Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
🔬 Технология изготовления МДП интегральных схем 💡
Фильм о советских технологиях по микроэлектронике в области изготовления МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) интегральных схем. В фильме объясняется работа МДП-транзистора. 1979 год.
Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.
В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом.
Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки.
В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.
#атомная_физика #химия #физика #physics #видеоуроки #электроника #схемотехника #electronics
💡 Physics.Math.Code
Фильм о советских технологиях по микроэлектронике в области изготовления МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) интегральных схем. В фильме объясняется работа МДП-транзистора. 1979 год.
Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.
В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом.
Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки.
В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.
#атомная_физика #химия #физика #physics #видеоуроки #электроника #схемотехника #electronics
💡 Physics.Math.Code
👍104❤17🔥10⚡4😍3🤗2🤔1
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
🔬 Технология изготовления МДП интегральных схем 💡
Фильм о советских технологиях по микроэлектронике в области изготовления МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) интегральных схем. В фильме объясняется работа МДП-транзистора. 1979 год.
Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.
В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом.
Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки.
В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.
#атомная_физика #химия #физика #physics #видеоуроки #электроника #схемотехника #electronics
💡 Physics.Math.Code
Фильм о советских технологиях по микроэлектронике в области изготовления МДП (металл, диэлектрик, полупроводник) интегральных схем. В фильме объясняется работа МДП-транзистора. 1979 год.
Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они уходят из канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) — это полевой транзистор, затвор которого электрически изолирован от канала слоем диэлектрика.
В 1953 году Джордж Клемент Дейси и Росс предложили и реализовали конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом.
Впервые идея регулировки потока основных носителей электрическим полем в транзисторе с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—1928 годах. Однако трудности в реализации этой идеи на практике позволили создать первый работающий прибор только в 1960 году. В 1966 году Карвер Мид усовершенствовал эту конструкцию, шунтировав электроды такого прибора диодом Шоттки.
В 1977 году Джеймс Маккаллахем из Bell Labs установил, что использование полевых транзисторов может существенно увеличить производительность существующих вычислительных систем.
#атомная_физика #химия #физика #physics #видеоуроки #электроника #схемотехника #electronics
💡 Physics.Math.Code
👍89🔥19❤12😍2🤓2
⚡️ Задачка по электронике для наших подписчиков
▪️ Схема какого электронного элемента (полупроводникового устройства) показана на рисунке?
▪️ В чем основные преимущества и недостатки?
▪️ В чем был смысл усложнять более простую версию такого же радиоэлемента?
#задачи #электроника #схемотехника #физика #physisc #electronics #science
💡 Physics.Math.Code // @physics_lib
▪️ Схема какого электронного элемента (полупроводникового устройства) показана на рисунке?
▪️ В чем основные преимущества и недостатки?
▪️ В чем был смысл усложнять более простую версию такого же радиоэлемента?
#задачи #электроника #схемотехника #физика #physisc #electronics #science
💡 Physics.Math.Code // @physics_lib
👍56🤯13⚡8❤5🌚3
Media is too big
VIEW IN TELEGRAM
⚡️ Скин-эффект: Почему высокочастотный ток течет по поверхности проводника?
Когда мы рассчитываем сопротивление провода, обычно вспоминаем простую формулу: R = ρl/S. И для постоянного тока она работает идеально. Но стоит перейти к переменному току, как вступают в силу неожиданные эффекты — ток начинает «выталкиваться» к поверхности проводника.
📜 В 1880-х годах Оливер Хевисайд (тот самый, который придал уравнениям Максвелла современный вид) разбирался с задачами телеграфии. Он заметил: переменный ток распределяется по сечению провода неравномерно. Причина — вихревые токи, возникающие из-за переменного магнитного поля самого проводника. В центре провода магнитное поле максимально, оно создает встречную ЭДС, которая вытесняет ток наружу.
📝 Немного математики для понимания. Главная характеристика скин-эффекта — глубина скин-слоя δ. Это расстояние от поверхности, на котором плотность тока падает в e раз (примерно в 2.73). Для меди формула выглядит так: δ ≈ 66 / √f (в миллиметрах). где f — частота в герцах. Посчитаем для наглядности:
• Для сети 50 Гц: δ ≈ 9.5 мм
• Для звуковой частоты 10 кГц: δ ≈ 0.66 мм
• Для радиосигнала 100 МГц: δ ≈ 0.0066 мм (6.6 микрона)
Чем выше частота — тем тоньше «рабочий» слой проводника.
Инженерный смысл? Из-за скин-эффекта внутренность толстого провода на высоких частотах оказывается бесполезной — ток по ней просто не течет. Сопротивление переменному току становится выше, чем постоянному. Для медного провода диаметром больше 2 см на частоте 50 Гц уже заметен рост сопротивления — сердцевина работает вхолостую.
Малоизвестные факты:
▪️ 1. Фазовый сдвиг вглубь. На глубине, равной трем скин-слоям, ток может течь уже в противоположном направлении относительно поверхностного. Это не ошибка, а следствие волновой природы процесса.
▪️ 2. Ошибка с никелированием. В 1930-х инженеры заметили, что никелирование катушек для УКВ-диапазона резко ухудшает их добротность. Никель — ферромагнетик, его сопротивление велико. Ток течет по тонкому слою никеля, и потери растут. Серебрение же (даже микроны) работает отлично — ток течет по серебру, а прочность дает медная основа.
▪️ 3. Стальные тросы ЛЭП. В линиях электропередач внутри стальной сердечник для прочности, снаружи — алюминий. Это не только экономия металла: на 50 Гц ток все равно течет по поверхности, то есть по алюминию.
📝 Как борются и где используют:
▫️ Лицендрат (Litz wire). Для звуковой техники и преобразователей провода скручивают из множества тонких изолированных жил. Это заставляет ток распределяться по всему сечению равномерно.
▫️ Волноводы. На сверхвысоких частотах (СВЧ) глубина скин-слоя — микроны. Волноводы делают полыми: стенки все равно работают как проводник.
▫️ Закалка металлов. Токами высокой частоты греют только поверхность детали, оставляя сердцевину вязкой. Это дает твердую корку и упругую середину.
Скин-эффект — отличный пример того, как электродинамика вмешивается в, казалось бы, простые инженерные расчеты и заставляет пересматривать очевидные решения. #физика #электродинамика #скинэффект #электроника #электричество #магнетизм #physics #science #electronics
💡 Physics.Math.Code // @physics_lib
Когда мы рассчитываем сопротивление провода, обычно вспоминаем простую формулу: R = ρl/S. И для постоянного тока она работает идеально. Но стоит перейти к переменному току, как вступают в силу неожиданные эффекты — ток начинает «выталкиваться» к поверхности проводника.
📜 В 1880-х годах Оливер Хевисайд (тот самый, который придал уравнениям Максвелла современный вид) разбирался с задачами телеграфии. Он заметил: переменный ток распределяется по сечению провода неравномерно. Причина — вихревые токи, возникающие из-за переменного магнитного поля самого проводника. В центре провода магнитное поле максимально, оно создает встречную ЭДС, которая вытесняет ток наружу.
• Для сети 50 Гц: δ ≈ 9.5 мм
• Для звуковой частоты 10 кГц: δ ≈ 0.66 мм
• Для радиосигнала 100 МГц: δ ≈ 0.0066 мм (6.6 микрона)
Чем выше частота — тем тоньше «рабочий» слой проводника.
Инженерный смысл? Из-за скин-эффекта внутренность толстого провода на высоких частотах оказывается бесполезной — ток по ней просто не течет. Сопротивление переменному току становится выше, чем постоянному. Для медного провода диаметром больше 2 см на частоте 50 Гц уже заметен рост сопротивления — сердцевина работает вхолостую.
Малоизвестные факты:
▪️ 1. Фазовый сдвиг вглубь. На глубине, равной трем скин-слоям, ток может течь уже в противоположном направлении относительно поверхностного. Это не ошибка, а следствие волновой природы процесса.
▪️ 2. Ошибка с никелированием. В 1930-х инженеры заметили, что никелирование катушек для УКВ-диапазона резко ухудшает их добротность. Никель — ферромагнетик, его сопротивление велико. Ток течет по тонкому слою никеля, и потери растут. Серебрение же (даже микроны) работает отлично — ток течет по серебру, а прочность дает медная основа.
▪️ 3. Стальные тросы ЛЭП. В линиях электропередач внутри стальной сердечник для прочности, снаружи — алюминий. Это не только экономия металла: на 50 Гц ток все равно течет по поверхности, то есть по алюминию.
📝 Как борются и где используют:
▫️ Лицендрат (Litz wire). Для звуковой техники и преобразователей провода скручивают из множества тонких изолированных жил. Это заставляет ток распределяться по всему сечению равномерно.
▫️ Волноводы. На сверхвысоких частотах (СВЧ) глубина скин-слоя — микроны. Волноводы делают полыми: стенки все равно работают как проводник.
▫️ Закалка металлов. Токами высокой частоты греют только поверхность детали, оставляя сердцевину вязкой. Это дает твердую корку и упругую середину.
Скин-эффект — отличный пример того, как электродинамика вмешивается в, казалось бы, простые инженерные расчеты и заставляет пересматривать очевидные решения. #физика #электродинамика #скинэффект #электроника #электричество #магнетизм #physics #science #electronics
💡 Physics.Math.Code // @physics_lib
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍77🔥31❤22❤🔥5⚡2🤯2💯1