​​​​​Transistor: Germanium statt Silizium
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Comeback für Germanium: Forscher haben einen neuartigen Germanium-Zinn-Transistor entwickelt, der schneller und energiesparender sein könnte als gängige Silizium-Transistoren․ Möglich wird dies durch Nanodrähte aus einer Legierung von Germanium und Zinn․ Der neue Bautyp erhöht die Beweglichkeit der Ladungen im Germanium-Halbleiter und macht den resultierenden Feldeffekttransistor zudem kältebeständiger als klassische Silizium-MOSFETS․ Damit eignet er sich auch․․․