HBM2E Flashbolt: Schneller Samsung-Speicher mit 410 GByte/s pro Chip
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Samsung hat im Rahmen der GTC 2019 HBM2E "Flashbolt" angekündigt, der doppelt so viel Speicherplatz und 33 Prozent mehr Transferrate bietet wie der Vorgänger.

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HBM2E-Stapelspeicher: Hohe Transferraten und Kapazität für GPUs und FPGAs
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HBM2E verdoppelt die Kapazität gegenüber HBM2 und nutzt höhere Übertragungsraten․ Ein Compute-Beschleuniger mit vier Stacks erreicht 64 GByte und 1,84 TByte/s․

Grafikspeicher: Samsung baut 24 GByte große HBM2-Stacks
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Samsung erhöht die Anzahl der maximal möglichen DRAM-Speicherlagen von acht auf zwölf und kann damit besonders große HBM2-Module herstellen․

​​​​​DRAM-Stapelspeicher: SK Hynix' HBM2E erreicht 460 GByte/s pro Stack
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SK Hynix ist nach Samsung der zweite Speicherhersteller, der HBM2E-Chips in Serie produziert․

​​​​​Intel-Xeons künftig auch mit schnellem HBM-Speicher
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Die nächste Xeon-SP-Generation Sapphire Rapids bringt Varianten mit HBM; schnelle Ethernet-Adapter und -Switches sollen Infiniband überflüssig machen․