Компания SK Hynix представила первую в мире память типа #DDR5. Новая память предлагает скорость передачи данных от 4800 то 5600 Мбит/с.
Samsung представила микросхемы управления питанием для памяти #DDR5: S2FPD01, S2FPD02 и S2FPC01. Первые две версии предназначены для дата-центров и серверов, третья для настольных ПК и ноутбуков.
PNY анонсировала память #DDR5 под названием XLR8 Gaming DDR5 4800 MHz Desktop Memory. Первыми процессорами с поддержкой нового стандарта станут чипы семейства Intel Alder Lake, которые должны появиться в конце 2021 года.
Patriot представила память #DDR5, которая будет доступна уже в ноябре этого года. Модули работают с частотой 4800 МГц (будущие версии до 8400 МГц). Напряжение 1,1 В.
Colorful представила память CVN ICICLE #DDR5 для энтузиастов и оверклокеров. Спецификация набора: 32 ГБ (2 x 16 ГБ), DDR5-6600, CL34. Поддерживается Intel XMP 3.0. Ожидается во втором квартале по рекомендуемой цене $105.
#Samsung начала серийное производство 16-гигабитных чипов оперативной памяти #DDR5 DRAM на базе техпроцесса 12-нм класса. По сравнению с предыдущим поколением, новая память снижает энергопотребление на 23% и повышает выход микросхем с пластины на 20%. Семейства 12-нм памяти DDR5 предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.
Micron начнёт производство 32-гигабайтных чипов памяти #DDR5 в следующем году. Монолитные 32-гигабайтные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета). Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 ГБ и 1 ТБ может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми.
В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабайтных и 24-гигабайтных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.
В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабайтных и 24-гигабайтных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт.
Samsung представила микросхемы оперативной памяти #DDR5 ёмкостью 32 Гбит, которые позволят создавать модули ОЗУ объёмом 128 ГБ. Используется техпроцесс 12-нм класса. Массовое производство таких микросхем запланировано на конец текущего года.