🇯🇵 SiC. Силовая электроника. Высокотемпературная. Горизонты технологий. Япония
Разработан прототип SiC-транзистора, работающий при 600 °C
Исследовательская группа Киотского университета опубликовала в журнале APL Electronic Devices статью, в которой описана новая конструкция транзистора на основе карбида кремния (SiC), способного стабильно работать при температуре 600 °C. Работа выполнена под руководством профессора Цунэнобу Кимото, первый автор - Мицуаки Канэко. В отличие от предыдущих разработок, новая структура решает 2 ключевые проблемы, десятилетиями препятствовавшие созданию практических SiC-приборов для экстремальных условий.
📌 Новая конструкция: вместо традиционного верхнего затвора (top-gate) исследователи применили нижний затвор (bottom-gate), разместив управляющий электрод под каналом транзистора. Это позволило компенсировать разброс примесных атомов при ионной имплантации и снизить расхождение между расчётным и измеренным пороговым напряжением с более чем 2 В до менее 0,1 В при 400 °C.
📌 Второе усовершенствование - двойная колодезная структура (double-well isolation) вместо полуизолирующей подложки SiC: элементы изолированы друг от друга pn-переходами, которые сохраняют свойства при нагреве и подавляют токи утечки, которые ранее возрастали на порядки. В результате при 600 °C ток утечки оказался на порядок ниже, чем у традиционных приборов при 400 °C, и приблизился к теоретическому пределу, определяемому собственными свойствами SiC.
💎 Почему 600 °C - важная цель. Обычная кремниевая электроника перестаёт работать уже выше 250 °C. Внутри реактивных двигателей, в скважинах геотермальных станций, в промышленных печах или на поверхности Венеры (460 °C) температура не оставляет выбора: компоненты должны выдерживать экстремальный нагрев без активного охлаждения. Среди коммерчески доступных широкозонных полупроводников SiC - наиболее зрелая технология: он уже используется как материал для силовых приборов, а его широкая запрещённая зона (3,2 эВ) обеспечивает принципиальную возможность работы при температурах, недоступных для кремния.
Однако это пока только прототип. Нынешний транзистор выполнен в normally-on конфигурации - то есть без управляющего сигнала он открыт, а не закрыт, что неприемлемо для большинства практических применений. Следующий шаг команды - создать normally-off транзистор в рамках новой конструкции и на его основе разработать комплементарную JFET-интегральную схему с n- и p-каналами. В еще более отдаленной перспективе - создание более сложных схем, переход на пластины промышленного размера и обеспечение долговременной надёжности всей конструкции в экстремальных условиях. Тем не менее сам факт, что первая же попытка новой конструкции показала работу при 600 °C, подтверждает: SiC-электроника для экстремальных условий может быть одновременно точной и надёжной. ||
((картинки - авторов публикации DOI: 10.1063/5.0346734 ; тему подсказал - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Разработан прототип SiC-транзистора, работающий при 600 °C
Исследовательская группа Киотского университета опубликовала в журнале APL Electronic Devices статью, в которой описана новая конструкция транзистора на основе карбида кремния (SiC), способного стабильно работать при температуре 600 °C. Работа выполнена под руководством профессора Цунэнобу Кимото, первый автор - Мицуаки Канэко. В отличие от предыдущих разработок, новая структура решает 2 ключевые проблемы, десятилетиями препятствовавшие созданию практических SiC-приборов для экстремальных условий.
📌 Новая конструкция: вместо традиционного верхнего затвора (top-gate) исследователи применили нижний затвор (bottom-gate), разместив управляющий электрод под каналом транзистора. Это позволило компенсировать разброс примесных атомов при ионной имплантации и снизить расхождение между расчётным и измеренным пороговым напряжением с более чем 2 В до менее 0,1 В при 400 °C.
📌 Второе усовершенствование - двойная колодезная структура (double-well isolation) вместо полуизолирующей подложки SiC: элементы изолированы друг от друга pn-переходами, которые сохраняют свойства при нагреве и подавляют токи утечки, которые ранее возрастали на порядки. В результате при 600 °C ток утечки оказался на порядок ниже, чем у традиционных приборов при 400 °C, и приблизился к теоретическому пределу, определяемому собственными свойствами SiC.
Однако это пока только прототип. Нынешний транзистор выполнен в normally-on конфигурации - то есть без управляющего сигнала он открыт, а не закрыт, что неприемлемо для большинства практических применений. Следующий шаг команды - создать normally-off транзистор в рамках новой конструкции и на его основе разработать комплементарную JFET-интегральную схему с n- и p-каналами. В еще более отдаленной перспективе - создание более сложных схем, переход на пластины промышленного размера и обеспечение долговременной надёжности всей конструкции в экстремальных условиях. Тем не менее сам факт, что первая же попытка новой конструкции показала работу при 600 °C, подтверждает: SiC-электроника для экстремальных условий может быть одновременно точной и надёжной. ||
((картинки - авторов публикации DOI: 10.1063/5.0346734 ; тему подсказал - TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
1👍6🔥2
🇮🇳 Чипы ИИ. Производители чипов ИИ. Индия
Индия продолжает разработку собственного ИИ-чипа
Это масштабный государственный проект, призванный снизить зависимость от американских технологий в условиях экспортных ограничений со стороны США.
Проект курирует Центр разработки передовых вычислительных технологий (C-DAC) – правительственная исследовательская организация, основанная в 1988 году для создания первых индийских суперкомпьютеров. На разработку чипа выделено $200 млн. Финансирование осуществляется в рамках Национальной суперкомпьютерной миссии, а не новой программы Semicon 2.0.
Насколько можно судить по доступной информации, в Индии разрабатывают чип GPU по технологии 2нм. Производить чип планируют на мощностях TSMC. По состоянию на июль 2026 года, чип перешел в стадию опытного производства. Валидацией конструкции и оценкой производительности разработки займется компания HCL Infosystems.
Чип планируют позиционировать в качестве аналога продуктов NVIDIA, Google (TPU) и Groq (LPU). Первый промышленный инференс-чип будет представлен в 2029 или в 2030 году.
Получится ли у индусов? Должно срастись несколько вещей – должна получиться сколько-то конкурентоспособная разработка; должно реализоваться успешное сотрудничество с TSMC (или другими подходящими факторами), поскольку своих производств такого уровня у Индии нет и не предвидится в ближайшие годы; должна быть создана полноценная программная экосистема.
Будет интересно посмотреть, что получится, но пока что ясности нет. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Индия продолжает разработку собственного ИИ-чипа
Это масштабный государственный проект, призванный снизить зависимость от американских технологий в условиях экспортных ограничений со стороны США.
Проект курирует Центр разработки передовых вычислительных технологий (C-DAC) – правительственная исследовательская организация, основанная в 1988 году для создания первых индийских суперкомпьютеров. На разработку чипа выделено $200 млн. Финансирование осуществляется в рамках Национальной суперкомпьютерной миссии, а не новой программы Semicon 2.0.
Насколько можно судить по доступной информации, в Индии разрабатывают чип GPU по технологии 2нм. Производить чип планируют на мощностях TSMC. По состоянию на июль 2026 года, чип перешел в стадию опытного производства. Валидацией конструкции и оценкой производительности разработки займется компания HCL Infosystems.
Чип планируют позиционировать в качестве аналога продуктов NVIDIA, Google (TPU) и Groq (LPU). Первый промышленный инференс-чип будет представлен в 2029 или в 2030 году.
Получится ли у индусов? Должно срастись несколько вещей – должна получиться сколько-то конкурентоспособная разработка; должно реализоваться успешное сотрудничество с TSMC (или другими подходящими факторами), поскольку своих производств такого уровня у Индии нет и не предвидится в ближайшие годы; должна быть создана полноценная программная экосистема.
Будет интересно посмотреть, что получится, но пока что ясности нет. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍2🤔2😭1
🇯🇵 Производство CMOS-сенсоров. Крупнейшие участники рынка. Япония
Sony заняла половину мирового рынка CMOS-сенсоров - впервые по независимым данным
По данным аналитиков Yole Group, в 2025 году доля Sony на мировом рынке CMOS-сенсоров изображения (CIS) впервые достигла около 50%. До этого Yole признавала за Sony 40% с небольшим - и в 2023-м, и в 2024-м.
Этот успех наглядно отразился на финансовых результатах компании. В 2025 финансовом году полупроводниковое направление Sony показало рекордную выручку и операционную прибыль. Апрель–июнь 2026 года тоже стали рекордными по операционной прибыли за несколько последних лет.
Yole в своём свежем отчёте выделила ключевые технологические направления развития рынка CIS: миниатюризация логических слоёв и 3D-стековая интеграция с дополнительной памятью и другими компонентами. В качестве наглядного примера обеих тенденций аналитики привели трёхслойный стековый сенсор Sony - то есть передовая технология японской компании задает направление для движения всей отрасли.
Вопрос в том, удастся ли Sony продолжить движение от 50% к целевым 60%, еще в 2022 году компания заявляла о таких амбициях.
((источник: @Techpubisher, по материалам EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Sony заняла половину мирового рынка CMOS-сенсоров - впервые по независимым данным
По данным аналитиков Yole Group, в 2025 году доля Sony на мировом рынке CMOS-сенсоров изображения (CIS) впервые достигла около 50%. До этого Yole признавала за Sony 40% с небольшим - и в 2023-м, и в 2024-м.
Этот успех наглядно отразился на финансовых результатах компании. В 2025 финансовом году полупроводниковое направление Sony показало рекордную выручку и операционную прибыль. Апрель–июнь 2026 года тоже стали рекордными по операционной прибыли за несколько последних лет.
Yole в своём свежем отчёте выделила ключевые технологические направления развития рынка CIS: миниатюризация логических слоёв и 3D-стековая интеграция с дополнительной памятью и другими компонентами. В качестве наглядного примера обеих тенденций аналитики привели трёхслойный стековый сенсор Sony - то есть передовая технология японской компании задает направление для движения всей отрасли.
Вопрос в том, удастся ли Sony продолжить движение от 50% к целевым 60%, еще в 2022 году компания заявляла о таких амбициях.
((источник: @Techpubisher, по материалам EE Times Japan))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥2👌1
🇯🇵 Производство на пластинах 150мм. Тренды. Япония
Renesas закрывает производство на 6-дюймовых пластинах в Такасаки
Японская Renesas Electronics планомерно сворачивает производство на заводе в Такасаки, которому более 50 лет. Производство закроют полностью - поддерживать линии на 6-дюймовых (150 мм) пластинах стало экономически нецелесообразно: оборудование устарело, а его модернизация признана неоправданной. Исследовательские и конструкторские подразделения, напротив, сохранят и усилят.
Закрытие завода Renesas отражает глобальный тренд: крупные игроки (включая TSMC) сейчас выводят из эксплуатации старые 6-дюймовые линии. Современные процессоры, память и сложная логика более рентабельно выпускать на пластинах 200 мм (8 дюймов) и 300 мм (12 дюймов). Однако 6-дюймовый формат не исчезает полностью - он сохраняется в нишевых сегментах, где зрелость технологии – это не дефект, а цель.
В частности, 6-дюймовые линии остаются востребованы для аналоговых микросхем, дискретных силовых компонентов, датчиков и MEMS. Кроме того, на пластинах 150 мм сейчас активно пробуют осваивать производство из новых материалов, например, китайская Hangzhou Garen Semiconductor в 2026 году запустила первую в мире серийную линию по выпуску силовой микроэлектронике на базе пластин из оксида галлия (Ga₂O₃) диаметром 6 и 8 дюймов.
В России 6-дюймовые пластины остаются де-факто стандартом для многих производств. В условиях санкций ставка на 150 мм выглядит прагматично: бывшее в употреблении оборудование для таких линий доступнее, техпроцессы хорошо изучены, а потребности небольшого внутреннего рынка в силовой электронике и компонентах для промышленности как правило могут быть закрыты этим типоразмером. В России тоже идут работы по освоению новых материалов, например, оксида галлия.
Таким образом, 150-мм пластины хотя и перестают быть мейнстримом, но продолжают жить в нише зрелых технологий и становятся стартовой площадкой для революционных материалов будущего. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Renesas закрывает производство на 6-дюймовых пластинах в Такасаки
Японская Renesas Electronics планомерно сворачивает производство на заводе в Такасаки, которому более 50 лет. Производство закроют полностью - поддерживать линии на 6-дюймовых (150 мм) пластинах стало экономически нецелесообразно: оборудование устарело, а его модернизация признана неоправданной. Исследовательские и конструкторские подразделения, напротив, сохранят и усилят.
Закрытие завода Renesas отражает глобальный тренд: крупные игроки (включая TSMC) сейчас выводят из эксплуатации старые 6-дюймовые линии. Современные процессоры, память и сложная логика более рентабельно выпускать на пластинах 200 мм (8 дюймов) и 300 мм (12 дюймов). Однако 6-дюймовый формат не исчезает полностью - он сохраняется в нишевых сегментах, где зрелость технологии – это не дефект, а цель.
В частности, 6-дюймовые линии остаются востребованы для аналоговых микросхем, дискретных силовых компонентов, датчиков и MEMS. Кроме того, на пластинах 150 мм сейчас активно пробуют осваивать производство из новых материалов, например, китайская Hangzhou Garen Semiconductor в 2026 году запустила первую в мире серийную линию по выпуску силовой микроэлектронике на базе пластин из оксида галлия (Ga₂O₃) диаметром 6 и 8 дюймов.
В России 6-дюймовые пластины остаются де-факто стандартом для многих производств. В условиях санкций ставка на 150 мм выглядит прагматично: бывшее в употреблении оборудование для таких линий доступнее, техпроцессы хорошо изучены, а потребности небольшого внутреннего рынка в силовой электронике и компонентах для промышленности как правило могут быть закрыты этим типоразмером. В России тоже идут работы по освоению новых материалов, например, оксида галлия.
Таким образом, 150-мм пластины хотя и перестают быть мейнстримом, но продолжают жить в нише зрелых технологий и становятся стартовой площадкой для революционных материалов будущего. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤3🔥2
🇷🇺 Встречи. Отраслевые конференции. Россия
В Москве пройдет предконференция «Доверенная и экстремальная электроника»
Это одно из мероприятий российского форума «Микроэлектроника 2026», которое пройдет с 7 по 10 сентября 2026 года в Москве на площадке Консорциума НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС» (проспект Андропова, д. 18, корпус 5), более 50 докладов в 5 тематических блоках.
✦ «Экстремальная электроника»: специалисты обсудят создание и испытания изделий, предназначенных для работы при радиационных воздействиях, расширенных температурах, повышенных электрических нагрузках, электромагнитных помехах и других внешних дестабилизирующих факторах.
✦ «Технологическое и контрольно-измерительное оборудование»: будет обсуждаться, прежде всего, вопросы импортзамещения.
✦ «Разработка и производство ЭКБ микроэлектроники, СВЧ, фотоники, микросистемной техники, пассивки»: темы проектирования, разработки и изготовления изделий микроэлектроники разных классов.
✦ «Доверенная электроника» и ✦ «Развитие стандартизации в доверенной электроники»: участники обсудят какие требования должны предъявляться к электронным компонентам; радиоэлектронным устройствам; ПАК для объектов КИА, а также каким образом соответствие этим требованиям должно обеспечиваться и подтверждаться на разных стадиях жизненного цикла изделий.
Целый день будет посвящен обсуждению подходов к стандартизации в области электроники для критической информационной инфраструктуры при сомодераторстве экспертов «Росатом» и участии руководителя центрального органа СДС «КИИ-СЕРТ» и руководителя направления по оценке соответствия и стандартизации АО «НПО КИС». В центре дискуссии окажутся подтверждённые качество и безопасность электронной продукции. В понятие качества входят работоспособность, надёжность и стойкость к режимам и условиям эксплуатации, а безопасность включает информационную, технологическую и функциональную составляющие. Отдельное внимание планируется уделить контролируемости жизненного цикла электронной компонентной базы, прослеживаемости её происхождения и производства, выявлению контрафактной продукции и недекларированных возможностей.
Участники рассмотрят вопросы разработки национальных стандартов, сертификации доверенных ПАК и ЭКБ, формирования требований к испытаниям и подтверждения соответствия продукции к предполагаемым условиям эксплуатации. Значительная часть программы будет посвящена практическим механизмам обеспечения доверенности: контролю проектных и технологических решений, верификации, испытаниям, оценке надёжности и стойкости, а также сохранению подтверждённых свойств электронной продукции на стадиях производства, поставки и эксплуатации.
Предконференция станет московским этапом подготовки к основной программе Российского форума «Микроэлектроника 2026», который пройдёт с 27 сентября по 3 октября 2026 года на Федеральной территории «Сириус», где продолжится обсуждение вопросов доверенной электроники в рамках трека обзорно-дискуссионных заседаний «Доверенный ПАК и ЭК для регулируемых рынков критической информационной инфраструктуры». ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Москве пройдет предконференция «Доверенная и экстремальная электроника»
Это одно из мероприятий российского форума «Микроэлектроника 2026», которое пройдет с 7 по 10 сентября 2026 года в Москве на площадке Консорциума НИЯУ МИФИ и АО «ЭНПО СПЭЛС» (проспект Андропова, д. 18, корпус 5), более 50 докладов в 5 тематических блоках.
✦ «Экстремальная электроника»: специалисты обсудят создание и испытания изделий, предназначенных для работы при радиационных воздействиях, расширенных температурах, повышенных электрических нагрузках, электромагнитных помехах и других внешних дестабилизирующих факторах.
✦ «Технологическое и контрольно-измерительное оборудование»: будет обсуждаться, прежде всего, вопросы импортзамещения.
✦ «Разработка и производство ЭКБ микроэлектроники, СВЧ, фотоники, микросистемной техники, пассивки»: темы проектирования, разработки и изготовления изделий микроэлектроники разных классов.
✦ «Доверенная электроника» и ✦ «Развитие стандартизации в доверенной электроники»: участники обсудят какие требования должны предъявляться к электронным компонентам; радиоэлектронным устройствам; ПАК для объектов КИА, а также каким образом соответствие этим требованиям должно обеспечиваться и подтверждаться на разных стадиях жизненного цикла изделий.
Целый день будет посвящен обсуждению подходов к стандартизации в области электроники для критической информационной инфраструктуры при сомодераторстве экспертов «Росатом» и участии руководителя центрального органа СДС «КИИ-СЕРТ» и руководителя направления по оценке соответствия и стандартизации АО «НПО КИС». В центре дискуссии окажутся подтверждённые качество и безопасность электронной продукции. В понятие качества входят работоспособность, надёжность и стойкость к режимам и условиям эксплуатации, а безопасность включает информационную, технологическую и функциональную составляющие. Отдельное внимание планируется уделить контролируемости жизненного цикла электронной компонентной базы, прослеживаемости её происхождения и производства, выявлению контрафактной продукции и недекларированных возможностей.
Участники рассмотрят вопросы разработки национальных стандартов, сертификации доверенных ПАК и ЭКБ, формирования требований к испытаниям и подтверждения соответствия продукции к предполагаемым условиям эксплуатации. Значительная часть программы будет посвящена практическим механизмам обеспечения доверенности: контролю проектных и технологических решений, верификации, испытаниям, оценке надёжности и стойкости, а также сохранению подтверждённых свойств электронной продукции на стадиях производства, поставки и эксплуатации.
Предконференция станет московским этапом подготовки к основной программе Российского форума «Микроэлектроника 2026», который пройдёт с 27 сентября по 3 октября 2026 года на Федеральной территории «Сириус», где продолжится обсуждение вопросов доверенной электроники в рамках трека обзорно-дискуссионных заседаний «Доверенный ПАК и ЭК для регулируемых рынков критической информационной инфраструктуры». ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤2👍1🔥1🤔1
🇯🇵 Производство корпусов для оптических трансиверов. Ключевые участники рынка. Тренды. Япония
Kyocera делает керамические корпуса для оптических трансиверов, опережая потребности рынка на 2 поколения
Kyocera наращивает технологическое совершенство и объемы производства керамических корпусов для оптических трансиверов, используемых в ИИ-ЦОД.
Керамика в этих изделиях защищает компоненты от влаги, пыли, электромагнитных помех и перегрева, а полая конструкция помогает миниатюризировать модули. Компания выпускает весь спектр необходимых отрасли корпусов - от компактных для поверхностного монтажа до многовыводных и коробчатых.
Ключевая разработка - технология GamoThru: трёхмерная трассировка сигналов внутри корпуса, снижающая потери на высоких частотах (свыше 90 ГГц!!). Kyocera уже предлагает корпуса для 128G Baud (1.6T и выше) и разрабатывает решения для 200G Baud.
Следующий осваиваемый этап - выход за пределы электро-оптической конвертации: компания осваивает сегменты CPO (Co-Packaged Optics) и оптических коммутаторов, где оптика размещается вплотную к чипу, сокращая энергопотребление - это критично для масштабирования ИИ-кластеров.
Kyocera на текущий момент занимает около 90% мирового рынка керамических корпусов для оптической связи - фактически это близко к монопольному положению. Чтобы нарастить производство и не терять опережение в R&D, компания инвестирует в свои разработки и производство около 650 млрд иен (~$4,4 млрд) до 2031 года, расширяя заводы в Кагосиме и Нагасаки.
Рынок керамических корпусов для оптики в 2025 году оценивался в $389–400 млн, а к 2032 году, как ожидается, он достигнет $748–760 млн (CAGR ~9,6%). При этом более широкий сегмент - керамические подложки - растёт еще быстрее, более чем на 20% в год и к 2032 году превысит $1,68 млрд. Это объясняется тем, что подложки используют не только в оптических корпусах, но и в других сегментах электроники, а также тем, что наблюдаются высокие темпы перехода на 800G, 1.6T и 3.2T модули для ИИ-кластеров.
Разрабатывая продукты под требования, которых рынок ещё не сформулировал (ориентир - «на 2 поколения вперёд»), Kyocera закрепляет своё лидерство: без её корпусов масштабирование ИИ-ЦОД и переход на сверхвысокие скорости становятся технически невозможными, превращая компанию из поставщика компонентов в системного бенефициара ИИ-бума с почти гарантированным спросом на годы вперёд. ||
Идея публикации - TechPublisher.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Kyocera делает керамические корпуса для оптических трансиверов, опережая потребности рынка на 2 поколения
Kyocera наращивает технологическое совершенство и объемы производства керамических корпусов для оптических трансиверов, используемых в ИИ-ЦОД.
Керамика в этих изделиях защищает компоненты от влаги, пыли, электромагнитных помех и перегрева, а полая конструкция помогает миниатюризировать модули. Компания выпускает весь спектр необходимых отрасли корпусов - от компактных для поверхностного монтажа до многовыводных и коробчатых.
Ключевая разработка - технология GamoThru: трёхмерная трассировка сигналов внутри корпуса, снижающая потери на высоких частотах (свыше 90 ГГц!!). Kyocera уже предлагает корпуса для 128G Baud (1.6T и выше) и разрабатывает решения для 200G Baud.
Следующий осваиваемый этап - выход за пределы электро-оптической конвертации: компания осваивает сегменты CPO (Co-Packaged Optics) и оптических коммутаторов, где оптика размещается вплотную к чипу, сокращая энергопотребление - это критично для масштабирования ИИ-кластеров.
Kyocera на текущий момент занимает около 90% мирового рынка керамических корпусов для оптической связи - фактически это близко к монопольному положению. Чтобы нарастить производство и не терять опережение в R&D, компания инвестирует в свои разработки и производство около 650 млрд иен (~$4,4 млрд) до 2031 года, расширяя заводы в Кагосиме и Нагасаки.
Рынок керамических корпусов для оптики в 2025 году оценивался в $389–400 млн, а к 2032 году, как ожидается, он достигнет $748–760 млн (CAGR ~9,6%). При этом более широкий сегмент - керамические подложки - растёт еще быстрее, более чем на 20% в год и к 2032 году превысит $1,68 млрд. Это объясняется тем, что подложки используют не только в оптических корпусах, но и в других сегментах электроники, а также тем, что наблюдаются высокие темпы перехода на 800G, 1.6T и 3.2T модули для ИИ-кластеров.
Разрабатывая продукты под требования, которых рынок ещё не сформулировал (ориентир - «на 2 поколения вперёд»), Kyocera закрепляет своё лидерство: без её корпусов масштабирование ИИ-ЦОД и переход на сверхвысокие скорости становятся технически невозможными, превращая компанию из поставщика компонентов в системного бенефициара ИИ-бума с почти гарантированным спросом на годы вперёд. ||
Идея публикации - TechPublisher.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
1❤2👍1🔥1
🇯🇵 Квантовые компьютеры. Кремниевые квантовые компьютеры. Вести из лабораторий. Япония
В Hitachi хотят внедрить в квантовые компьютеры две новые технологии
Hitachi в августе 2026 года объявила о разработке двух технологий, которые должны помочь перейти от экспериментальных квантовых систем к промышленным. Обе решают проблемы, без которых невозможно масштабирование - рост числа проводников и ошибки при переносе квантовой информации.
✦ Первая технология: архитектура "кросс-бар" вместо индивидуальных управляющих проводников
В традиционной схеме каждый кубит (квантовый разряд) требует отдельного управляющего проводника. При наращивании числа кубитов проводников становится так много, что возникают проблемы с компоновкой и охлаждением. Hitachi предложила архитектуру «кроссбар» с общими управляющими вентилями - это как матрица, в которой кубиты подключены к общим линиям, подобно тому, как в современной памяти. Вместо индивидуальной проводки к каждому кубиту - общие шины, что резко сокращает число необходимых соединений.
Совместно с бельгийским исследовательским центром imec на стандартных 300-мм кремниевых пластинах уже изготовлена тестовая матрица 4×4 (16 кубитов): сформированы все квантовые точки (места, где «живут» кубиты) и проверено выполнение части операций. Полноценная работа всех 16 кубитов пока не продемонстрирована.
✦ Вторая технология: плавное управление электронами
Роль кубитов в кремниевых квантовых процессорах играют электроны, несущие квантовую информацию. Чтобы кубиты могли взаимодействовать, электроны нужно перемещать между квантовыми точками - этот процесс называется электронным транспортом (или шаттлингом). Если электроны ускорять и тормозить сравнительно резко, это зачастую разрушает их квантовое состояние и приводит к ошибкам.
Hitachi разработала технологию фазовой модуляции напряжения - это как, если плавно подавать вперед педаль газа, не пытаясь одним движением вдавить педаль в пол. Электрон разгоняется и тормозится постепенно, без скачков, что сохраняет его квантовое состояние и снижает процент ошибок. Пока что метод проверен только в квантово-физических симуляциях, поэтому еще предстоит подождать – что получится в реальном мире.
Что дальше?
2027 год - открытый облачный доступ к квантовой системе для исследователей
2028 год - прототип на 100 кубитов с квантовой коррекцией ошибок
2030 год - система на 1000 кубитов
💎 Hitachi - не единственная компания, кто делает ставку на кремний в разработке квантовых компьютеров. Другие игроки тоже движутся в этом направлении: imec и австралийский стартап Diraq в июле 2026 года продемонстрировали работу 8 кремниевых кубитов, изготовленных по CMOS-совместимому процессу на 300-мм пластинах.
Кремниевый путь привлекателен тем, что использует уже существующие полупроводниковые заводы и технологии, которые намного проще масштабировать, чем при работе с экзотическими материалами. Hitachi рассчитывает, что её новые технологии логично продолжают этот подход. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Hitachi хотят внедрить в квантовые компьютеры две новые технологии
Hitachi в августе 2026 года объявила о разработке двух технологий, которые должны помочь перейти от экспериментальных квантовых систем к промышленным. Обе решают проблемы, без которых невозможно масштабирование - рост числа проводников и ошибки при переносе квантовой информации.
✦ Первая технология: архитектура "кросс-бар" вместо индивидуальных управляющих проводников
В традиционной схеме каждый кубит (квантовый разряд) требует отдельного управляющего проводника. При наращивании числа кубитов проводников становится так много, что возникают проблемы с компоновкой и охлаждением. Hitachi предложила архитектуру «кроссбар» с общими управляющими вентилями - это как матрица, в которой кубиты подключены к общим линиям, подобно тому, как в современной памяти. Вместо индивидуальной проводки к каждому кубиту - общие шины, что резко сокращает число необходимых соединений.
Совместно с бельгийским исследовательским центром imec на стандартных 300-мм кремниевых пластинах уже изготовлена тестовая матрица 4×4 (16 кубитов): сформированы все квантовые точки (места, где «живут» кубиты) и проверено выполнение части операций. Полноценная работа всех 16 кубитов пока не продемонстрирована.
✦ Вторая технология: плавное управление электронами
Роль кубитов в кремниевых квантовых процессорах играют электроны, несущие квантовую информацию. Чтобы кубиты могли взаимодействовать, электроны нужно перемещать между квантовыми точками - этот процесс называется электронным транспортом (или шаттлингом). Если электроны ускорять и тормозить сравнительно резко, это зачастую разрушает их квантовое состояние и приводит к ошибкам.
Hitachi разработала технологию фазовой модуляции напряжения - это как, если плавно подавать вперед педаль газа, не пытаясь одним движением вдавить педаль в пол. Электрон разгоняется и тормозится постепенно, без скачков, что сохраняет его квантовое состояние и снижает процент ошибок. Пока что метод проверен только в квантово-физических симуляциях, поэтому еще предстоит подождать – что получится в реальном мире.
Что дальше?
2027 год - открытый облачный доступ к квантовой системе для исследователей
2028 год - прототип на 100 кубитов с квантовой коррекцией ошибок
2030 год - система на 1000 кубитов
Кремниевый путь привлекателен тем, что использует уже существующие полупроводниковые заводы и технологии, которые намного проще масштабировать, чем при работе с экзотическими материалами. Hitachi рассчитывает, что её новые технологии логично продолжают этот подход. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍1🤣1
🇷🇺 Мнения. Опросы. Оценки. Прогнозы. Россия
Кризис в электронной отрасли? 45% производителей микросхем оценивают свой бизнес как «проблемный»
Отраслевое исследование, проведённое площадкой «Электроника CONNECT» в июле 2026 года (о нем рассказывает CNews), зафиксировало тревожную динамику в российской электронной промышленности. Хуже всего ситуация у производителей электронных компонентов: 45% из них оценивают состояние своего бизнеса как «проблемное», а 63% сообщили о сокращении выручки за последние полгода. Логично, что в такой ситуации компании этого сегмента не спешат расширять производство, инвестировать в оборудование или наращивать штат.
У производителей электронных устройств ситуация тоже сложная: 58% зафиксировали падение выручки - и, что примечательно, ни один участник опроса из этого сегмента не отметил роста. Но, несмотря на сложившиеся условия, большинство компаний не готовы «ждать у моря погоды», напротив, они намерены активничать: 89% компаний планируют вывод новых продуктов и услуг, несмотря на текущее падение.
В целом по отрасли картина выглядит так: выручка снизилась у 54% компаний (из них у 17% - значительно), персонал сократили 36% предприятий, инвестиции урезали 34%. Главные проблемы - падение спроса (49%), рост стоимости комплектующих и оборудования (34%), недоступность финансирования (32%).
Единственным относительно благополучным сектором остаётся инжиниринг и интеграция: 40% соответствующих компаний оценивают своё состояние как хорошее.
На ближайшие полгода бизнес выбирает тактику «точечного развития»: вывод новых продуктов или услуг планируют 50% участников, оптимизацию затрат - 43%, поиск новых партнёров и каналов сбыта - 35%. Перелома ситуации эксперты ожидают не раньше 2027 года, при условии снижения ключевой ставки.
💎 Исследование выявило все основные черты серьезного кризиса: производители компонентов страдают от затоваривания складов и от низких цен азиатских поставщиков, а сборщики конечных устройств – от неконтролируемого роста себестоимости при невозможности поднять цены из-за слабого спроса. При этом наиболее производители устройств демонстрирует максимальную готовность к продолжению инвестиций, в частности, 89% планируют обновление линейки, несмотря на отсутствие роста бизнеса. Компании вкладываются в новые продукты, чтобы выйти из кризиса через обновление предложения, а не через сокращение. Будет ли выбранный сценарий успешным? Во-многом, это определят макроэкономические условия, прежде всего, динамика изменений ключевой ставки ЦБ РФ и восстановления инвестиционной активности. ||
((картинка – из Telegram-канала «НИИчаво»))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Кризис в электронной отрасли? 45% производителей микросхем оценивают свой бизнес как «проблемный»
Отраслевое исследование, проведённое площадкой «Электроника CONNECT» в июле 2026 года (о нем рассказывает CNews), зафиксировало тревожную динамику в российской электронной промышленности. Хуже всего ситуация у производителей электронных компонентов: 45% из них оценивают состояние своего бизнеса как «проблемное», а 63% сообщили о сокращении выручки за последние полгода. Логично, что в такой ситуации компании этого сегмента не спешат расширять производство, инвестировать в оборудование или наращивать штат.
У производителей электронных устройств ситуация тоже сложная: 58% зафиксировали падение выручки - и, что примечательно, ни один участник опроса из этого сегмента не отметил роста. Но, несмотря на сложившиеся условия, большинство компаний не готовы «ждать у моря погоды», напротив, они намерены активничать: 89% компаний планируют вывод новых продуктов и услуг, несмотря на текущее падение.
В целом по отрасли картина выглядит так: выручка снизилась у 54% компаний (из них у 17% - значительно), персонал сократили 36% предприятий, инвестиции урезали 34%. Главные проблемы - падение спроса (49%), рост стоимости комплектующих и оборудования (34%), недоступность финансирования (32%).
Единственным относительно благополучным сектором остаётся инжиниринг и интеграция: 40% соответствующих компаний оценивают своё состояние как хорошее.
На ближайшие полгода бизнес выбирает тактику «точечного развития»: вывод новых продуктов или услуг планируют 50% участников, оптимизацию затрат - 43%, поиск новых партнёров и каналов сбыта - 35%. Перелома ситуации эксперты ожидают не раньше 2027 года, при условии снижения ключевой ставки.
((картинка – из Telegram-канала «НИИчаво»))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4🤣2
🇷🇺 Отечественная электроника. Устройства автоматизации. Отечественные компоненты. Россия
«Колибри Микроэлектроникс» выпустила устройства автоматизации BIXANIT на микросхемах «Микрона»
Российский разработчик и производитель устройств автоматизации «Колибри Микроэлектроникс» завершил разработку линейки универсальных устройств BIXANIT на базе микросхем АО «Микрон» (ГК «Элемент»).
В устройствах BIXANIT ATD1-R, предназначенных для ввода и вывода дискретных и аналоговых сигналов в составе автоматизированных систем управления, используются микроконтроллер MIK32 «Амур» (К1948ВК015) и трансивер К5361ВВ1Т. MIK32 «Амур» реализует полный цикл управления устройством: сбор и обработку сигналов, выдачу команд через GPIO и ЦАП по интерфейсу SPI, а также обмен данными с контроллерами верхнего уровня. Трансивер К5361ВВ1Т обеспечивает связь по протоколу RS-485 на скорости до 10 000 Кбит/с.
Обе микросхемы выпускаются зеленоградским предприятием «Микрон» серийно и включены в реестр отечественной электронной продукции как компоненты первого уровня, что позволяет заказчикам получать максимальные баллы при локализации своих устройств.
Устройства BIXANIT предназначены для автоматизации в пищевой, перерабатывающей и химической промышленности, ЖКХ, сельском хозяйстве, на транспорте, в машиностроении, металлургии и энергетике. Линейка включает различные типы дискретных и аналоговых входов-выходов, чтобы дать возможность подбора решений под конкретные задачи. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
«Колибри Микроэлектроникс» выпустила устройства автоматизации BIXANIT на микросхемах «Микрона»
Российский разработчик и производитель устройств автоматизации «Колибри Микроэлектроникс» завершил разработку линейки универсальных устройств BIXANIT на базе микросхем АО «Микрон» (ГК «Элемент»).
В устройствах BIXANIT ATD1-R, предназначенных для ввода и вывода дискретных и аналоговых сигналов в составе автоматизированных систем управления, используются микроконтроллер MIK32 «Амур» (К1948ВК015) и трансивер К5361ВВ1Т. MIK32 «Амур» реализует полный цикл управления устройством: сбор и обработку сигналов, выдачу команд через GPIO и ЦАП по интерфейсу SPI, а также обмен данными с контроллерами верхнего уровня. Трансивер К5361ВВ1Т обеспечивает связь по протоколу RS-485 на скорости до 10 000 Кбит/с.
Обе микросхемы выпускаются зеленоградским предприятием «Микрон» серийно и включены в реестр отечественной электронной продукции как компоненты первого уровня, что позволяет заказчикам получать максимальные баллы при локализации своих устройств.
Устройства BIXANIT предназначены для автоматизации в пищевой, перерабатывающей и химической промышленности, ЖКХ, сельском хозяйстве, на транспорте, в машиностроении, металлургии и энергетике. Линейка включает различные типы дискретных и аналоговых входов-выходов, чтобы дать возможность подбора решений под конкретные задачи. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥7👍5❤1
🇯🇵 Материалы. Производство микроэлектроники. Япония
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали новый материал для полупроводниковых тест-сокетов - Fe-Cu-Ag микрокомпозитный порошок. Его электропроводность выше, чем у никелевых аналогов, а магнитные и механические характеристики сопоставимы.
Тест-сокеты применяются при проверке чипов: через них чип электрически соединяется с тестером. Стандартный наполнитель для таких сокетов - никелевый порошок или никель с благородным покрытием. По мере того как чипы становятся мельче, а число контактов растёт, старые материалы перестают справляться.
В новом порошке железо обеспечивает магнитные свойства и механическую прочность, медь и серебро - высокую проводимость. Соотношение компонентов по массе: Fe:Cu:Ag = 3:5:2.
Порошок синтезировали двумя методами. Газовое распыление (газоатомизация) расплавленного металла с быстрым охлаждением даёт частицы средним размером около 50 мкм. Метод термоплазмы, при котором охлаждают металлические пары, - наночастицы около 100 нм.
Оба варианта превзошли никель по электропроводности. Микропорошок сравнивали с Ni-частицами диаметром ~50 мкм, нанопорошок - с Ni-частицами ~5 мкм: в обоих случаях Fe-Cu-Ag показал более высокую проводимость при любой нагрузке.
По насыщенной намагниченности - параметру, важному для выравнивания наполнителя в сокете магнитным полем - микропорошок набрал 63 эме/г, нанопорошок 56 эме/г против 57 эме/г у никеля.
Твёрдость по Виккерсу у нового материала - 127 HV (1,25 ГПа), у стандартного никелевого порошка - 100–110 HV (0,98–1,08 ГПа), то есть сплав Fe-Cu-Ag механически прочнее.
((русскоязычная версия публикации EE Times Japan - канал TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали новый материал для полупроводниковых тест-сокетов - Fe-Cu-Ag микрокомпозитный порошок. Его электропроводность выше, чем у никелевых аналогов, а магнитные и механические характеристики сопоставимы.
Тест-сокеты применяются при проверке чипов: через них чип электрически соединяется с тестером. Стандартный наполнитель для таких сокетов - никелевый порошок или никель с благородным покрытием. По мере того как чипы становятся мельче, а число контактов растёт, старые материалы перестают справляться.
В новом порошке железо обеспечивает магнитные свойства и механическую прочность, медь и серебро - высокую проводимость. Соотношение компонентов по массе: Fe:Cu:Ag = 3:5:2.
Порошок синтезировали двумя методами. Газовое распыление (газоатомизация) расплавленного металла с быстрым охлаждением даёт частицы средним размером около 50 мкм. Метод термоплазмы, при котором охлаждают металлические пары, - наночастицы около 100 нм.
Оба варианта превзошли никель по электропроводности. Микропорошок сравнивали с Ni-частицами диаметром ~50 мкм, нанопорошок - с Ni-частицами ~5 мкм: в обоих случаях Fe-Cu-Ag показал более высокую проводимость при любой нагрузке.
По насыщенной намагниченности - параметру, важному для выравнивания наполнителя в сокете магнитным полем - микропорошок набрал 63 эме/г, нанопорошок 56 эме/г против 57 эме/г у никеля.
Твёрдость по Виккерсу у нового материала - 127 HV (1,25 ГПа), у стандартного никелевого порошка - 100–110 HV (0,98–1,08 ГПа), то есть сплав Fe-Cu-Ag механически прочнее.
((русскоязычная версия публикации EE Times Japan - канал TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Telegram
TechPublisher
Японские учёные создали магнитный порошок из железа, меди и серебра для тестирования микрочипов
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали…
Исследователи японского Национального института передовой промышленной науки и технологий (AIST) совместно с корейским Национальным университетом Пукён синтезировали…
🤣1
📈 Производство микросхем. Производственное оборудование. Тренды
ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV
7 сентября 2026 года, накануне конференции SPIE Bacus, ASML и TSMC объявили о создании отраслевой инициативы по переходу на 12-дюймовые фотомаски для High-NA EUV-литографии. К инициативе уже присоединились Samsung и другие крупные игроки отрасли, а SK Hynix рассматривает возможность участия
High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.
Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.
Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.
При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.
ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ASML и крупнейшие производители микросхем начинают переход на 12-дюймовые маски для High-NA EUV
7 сентября 2026 года, накануне конференции SPIE Bacus, ASML и TSMC объявили о создании отраслевой инициативы по переходу на 12-дюймовые фотомаски для High-NA EUV-литографии. К инициативе уже присоединились Samsung и другие крупные игроки отрасли, а SK Hynix рассматривает возможность участия
High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.
Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.
Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.
При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.
ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🔥4👌2
📈 Рынок GaN. Участники рынка. Оценки и прогнозы. Аналитика
Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience
Рынок GaN-транзисторов для силовой электроники в 2025 году вырос на 63% - до $588 млн. На этом фоне Infineon Technologies совершил один из самых заметных рывков в отрасли: поднялся с 5-го места на 2-е, увеличив долю рынка с 11,2% до 16%.
Это данные из отчёта Power GaN 2026, опубликованного французской исследовательской компанией Yole Group в августе 2026 года.
Лидером по-прежнему остаётся китайская Innoscience - с долей 31%. Она удерживала первое место и в 2024-м, когда рынок был вдвое меньше: $361 млн.
В 2024 году расстановка сил выглядела иначе. Второе место занимала Navitas Semiconductor с долей 17%, третье - Power Integrations (15,2%), четвёртое - EPC (13,5%), и лишь потом шёл Infineon с 11,2%.
За один год Infineon не просто сохранил позиции в условиях быстро растущего рынка, а опередил его: рынок вырос на 63%, тогда как доля Infineon увеличилась на 4,8 процентных пункта. Это означает, что выручка компании в сегменте GaN росла быстрее среднерыночного темпа.
Navitas, Power Integrations и EPC, судя по данным Yole, уступили ему позиции - каждый опустился как минимум на одну строчку в рейтинге.
💎 Основная причина этого рывка Infineon – это покупка GaN Systems в 2023 году. Это обеспечило компании не только дополнительную продуктовую линейку, но также доступ к клиентской базе в области ЦОД и в автопроме.
От рынка GaN ожидается серьезный рост – с $588 млн по итогам 2025 года до $3.5 млрд к 2031 году. Поскольку серьезную долю прироста ожидают от рынка ИИ дата-центров и от автомобильного сектора, а в этих секторах важны масштабы производства и вертикальная интеграция, у германской Infineon, несмотря на ее «европейскость», есть немалые преимущества. ||
((диаграммы - компании YOLE Group))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience
Рынок GaN-транзисторов для силовой электроники в 2025 году вырос на 63% - до $588 млн. На этом фоне Infineon Technologies совершил один из самых заметных рывков в отрасли: поднялся с 5-го места на 2-е, увеличив долю рынка с 11,2% до 16%.
Это данные из отчёта Power GaN 2026, опубликованного французской исследовательской компанией Yole Group в августе 2026 года.
Лидером по-прежнему остаётся китайская Innoscience - с долей 31%. Она удерживала первое место и в 2024-м, когда рынок был вдвое меньше: $361 млн.
В 2024 году расстановка сил выглядела иначе. Второе место занимала Navitas Semiconductor с долей 17%, третье - Power Integrations (15,2%), четвёртое - EPC (13,5%), и лишь потом шёл Infineon с 11,2%.
За один год Infineon не просто сохранил позиции в условиях быстро растущего рынка, а опередил его: рынок вырос на 63%, тогда как доля Infineon увеличилась на 4,8 процентных пункта. Это означает, что выручка компании в сегменте GaN росла быстрее среднерыночного темпа.
Navitas, Power Integrations и EPC, судя по данным Yole, уступили ему позиции - каждый опустился как минимум на одну строчку в рейтинге.
От рынка GaN ожидается серьезный рост – с $588 млн по итогам 2025 года до $3.5 млрд к 2031 году. Поскольку серьезную долю прироста ожидают от рынка ИИ дата-центров и от автомобильного сектора, а в этих секторах важны масштабы производства и вертикальная интеграция, у германской Infineon, несмотря на ее «европейскость», есть немалые преимущества. ||
((диаграммы - компании YOLE Group))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍4
🇺🇸 🇯🇵 Твердотельные реле. SiC. Высоковольтные реле. Участники рынка. США. Япония
ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе
Твердотельное реле G3VH-331 позволяет коммутировать 3.3 кВ (до 300 мА непрерывно, до 900 мА импульсно) постоянного тока в стандартном корпусе 8.8 х 6.4 мм. (Серия G3VH-181, рассчитанная на напряжение 1800 В, может выдерживать непрерывный ток до 30 мА и импульсный ток до 80 мА, с сопротивлением 120 Ом). Такие результаты были достигнуты за счет использования SiC (карбида кремния).
В составе реле – два SiC-MOSFET транзистора, включенные встречно-последовательно, с оптически изолированным драйвером затвора. Электрическая прочность изоляции между входом и выходов – 5 кВ. Сопротивление G3VH-331 в открытом состоянии – 3.5 Ом между клеммами, время выключения – 0.2 мс, включения - 1 или 2 мс.
Такие реле востребованы, например, в автоматических тестерах (ATE), которыми быстро проверяют высоковольтные силовые модули на производственной линии. Области применения этим не ограничиваются, твердотельные реле можно применять, например, в системах управления батареями (BMS), в прецизионных измерительных приборах.
Что такое ARATAS Corp.?
В марте 2026 года японская OMRON Corp. договорилась о продаже своего подразделения DMS (Device & Module Solution) американскому инвестфонду Carlyle Group. На основе DMS 1 июля 2026 года создана ARATAS Corp. (за OMRON останется 5% в ARATAS). Переход контроля к Carlyle Group намечен на 1 октября 2026 года. Так что «новая» ARATAS – это 10 предприятий и около 7 тысяч сотрудников с компетенциями и собственной разработкой.
💎 Впору задуматься, почему OMRON решила избавиться от своего core бизнеса, запущенного еще в 1933 году. Ответ прост – конкуренция с китайскими производителями, которая становится все более жесткими. У японцев просто не хватило денег, чтобы инвестировать с теми же темпами и в тех же объемах, как это делают в Китае (да и решения в Японии зачастую принимают слишком медленно). Американцы, скорее всего, купили бизнес из стратегических соображений.
OMRON теперь сосредоточится на своем более прибыльном направлении – промышленной автоматизации и сервисах на основе данных. ||
((изображение GSVH-331E - компании ARARAS Americas))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе
Твердотельное реле G3VH-331 позволяет коммутировать 3.3 кВ (до 300 мА непрерывно, до 900 мА импульсно) постоянного тока в стандартном корпусе 8.8 х 6.4 мм. (Серия G3VH-181, рассчитанная на напряжение 1800 В, может выдерживать непрерывный ток до 30 мА и импульсный ток до 80 мА, с сопротивлением 120 Ом). Такие результаты были достигнуты за счет использования SiC (карбида кремния).
В составе реле – два SiC-MOSFET транзистора, включенные встречно-последовательно, с оптически изолированным драйвером затвора. Электрическая прочность изоляции между входом и выходов – 5 кВ. Сопротивление G3VH-331 в открытом состоянии – 3.5 Ом между клеммами, время выключения – 0.2 мс, включения - 1 или 2 мс.
Такие реле востребованы, например, в автоматических тестерах (ATE), которыми быстро проверяют высоковольтные силовые модули на производственной линии. Области применения этим не ограничиваются, твердотельные реле можно применять, например, в системах управления батареями (BMS), в прецизионных измерительных приборах.
Что такое ARATAS Corp.?
В марте 2026 года японская OMRON Corp. договорилась о продаже своего подразделения DMS (Device & Module Solution) американскому инвестфонду Carlyle Group. На основе DMS 1 июля 2026 года создана ARATAS Corp. (за OMRON останется 5% в ARATAS). Переход контроля к Carlyle Group намечен на 1 октября 2026 года. Так что «новая» ARATAS – это 10 предприятий и около 7 тысяч сотрудников с компетенциями и собственной разработкой.
OMRON теперь сосредоточится на своем более прибыльном направлении – промышленной автоматизации и сервисах на основе данных. ||
((изображение GSVH-331E - компании ARARAS Americas))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤2👍1
🇩🇪 Искусственный интеллект. Проектирование микросхем. Автоматизация. EDA. Германия
«Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов
Siemens EDA расширила платформу Fuse EDA AI Agent до режима автономной работы с самопроверкой: теперь ИИ-агент не только проектирует чип, но и самостоятельно верифицирует результат - без постоянного контроля каждого шага инженером. Анонс был сделан на конференции DAC 2026 в Лонг-Бич в июле, а 4 сентября на Siemens EDA Tech Forum 2026 в Токио компания представила более широкую стратегию «AI-native EDA».
До сих пор инженер должен был контролировать каждую итерацию. Теперь агент может действовать в режиме длительной работы - достаточно запустить процесс и можно не вмешиваться. Агент самостоятельно планирует работу, вызывает инструменты через архитектуру Model Context Protocol (MCP), проверяет промежуточные результаты через детерминированные физические движки и вносит необходимые коррективы.
Расширение сделано совместно с NVIDIA: в агент встроены ИИ-технологии компании, включая модели Nemotron и библиотеку NeMo Gym. Это повысило качество результатов, надёжность вызовов инструментов и эффективность использования токенов.
В итоге, например, верификация библиотек через Solido Characterization Suite позволила ускорить процесс более чем в 10 раз, а его стоимость в токенах упала в 5–10 раз.
Fuse EDA AI Agent - часть платформы Fuse EDA AI System, которую Siemens представила в июне 2025 года. В марте 2026-го на GTC добавили оркестрацию нескольких инструментов. Июльское обновление добавляет к этому самопроверку и поддержку длительной автономной работы.
Платформа открытая: к ней можно подключать инструменты сторонних производителей - при условии, что те предоставляют MCP-сервер или API.
Вице-президент Siemens EDA Анкур Гупта объясняет логику так: сейчас инженеры тратят от 40 до 60% рабочего времени на итерации. Если этот цикл отдать агенту, проектировщик сможет сосредоточиться на архитектурных решениях - там, где ИИ пока самостоятельно не справляется.
Глава Siemens EDA Japan Юкио Цутида особо выделил верификацию на уровне RTL (Register Transfer Level) как наиболее сложную часть: именно здесь повышение надёжности и скорости станет следующим приоритетом для команды.
💎 Кейс иллюстрирует два ключевых тренда в EDA-индустрии. Первый - переход от «AI как помощник» к «AI как автономный исполнитель»: агенты не просто генерируют варианты, а самостоятельно проверяют их через детерминированные симуляторы, что существенно меняет экономику проектирования.
Второй - победа открытых архитектур: MCP и API-подход позволяют собирать агентные воркфлоу из инструментов разных вендоров, превращая EDA-экосистему из набора проприетарных инструментов в платформу для оркестрации.
В итоге Siemens EDA не просто ускоряет верификацию, а переопределяет роли: инженер уходит от «тушения пожаров» к архитектурному проектированию, а ИИ берёт на себя рутину, где цена ошибки - миллионы долларов, потраченные на маску.
((По материалам TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
«Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов
Siemens EDA расширила платформу Fuse EDA AI Agent до режима автономной работы с самопроверкой: теперь ИИ-агент не только проектирует чип, но и самостоятельно верифицирует результат - без постоянного контроля каждого шага инженером. Анонс был сделан на конференции DAC 2026 в Лонг-Бич в июле, а 4 сентября на Siemens EDA Tech Forum 2026 в Токио компания представила более широкую стратегию «AI-native EDA».
До сих пор инженер должен был контролировать каждую итерацию. Теперь агент может действовать в режиме длительной работы - достаточно запустить процесс и можно не вмешиваться. Агент самостоятельно планирует работу, вызывает инструменты через архитектуру Model Context Protocol (MCP), проверяет промежуточные результаты через детерминированные физические движки и вносит необходимые коррективы.
Расширение сделано совместно с NVIDIA: в агент встроены ИИ-технологии компании, включая модели Nemotron и библиотеку NeMo Gym. Это повысило качество результатов, надёжность вызовов инструментов и эффективность использования токенов.
В итоге, например, верификация библиотек через Solido Characterization Suite позволила ускорить процесс более чем в 10 раз, а его стоимость в токенах упала в 5–10 раз.
Fuse EDA AI Agent - часть платформы Fuse EDA AI System, которую Siemens представила в июне 2025 года. В марте 2026-го на GTC добавили оркестрацию нескольких инструментов. Июльское обновление добавляет к этому самопроверку и поддержку длительной автономной работы.
Платформа открытая: к ней можно подключать инструменты сторонних производителей - при условии, что те предоставляют MCP-сервер или API.
Вице-президент Siemens EDA Анкур Гупта объясняет логику так: сейчас инженеры тратят от 40 до 60% рабочего времени на итерации. Если этот цикл отдать агенту, проектировщик сможет сосредоточиться на архитектурных решениях - там, где ИИ пока самостоятельно не справляется.
Глава Siemens EDA Japan Юкио Цутида особо выделил верификацию на уровне RTL (Register Transfer Level) как наиболее сложную часть: именно здесь повышение надёжности и скорости станет следующим приоритетом для команды.
Второй - победа открытых архитектур: MCP и API-подход позволяют собирать агентные воркфлоу из инструментов разных вендоров, превращая EDA-экосистему из набора проприетарных инструментов в платформу для оркестрации.
В итоге Siemens EDA не просто ускоряет верификацию, а переопределяет роли: инженер уходит от «тушения пожаров» к архитектурному проектированию, а ИИ берёт на себя рутину, где цена ошибки - миллионы долларов, потраченные на маску.
((По материалам TechPublisher))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍3❤2
🇺🇸 Большие сделки. Партнерства. Кастомные чипы. ИИ-чипы. Инфраструктура ЦОД. США
Qualcomm заключает сделку с Amazon о разработке кастомных ИИ-чипов
Qualcomm заключила с Amazon соглашение о разработке специализированных чипов для инфраструктуры ИИ ЦОД, одновременно выдав технологическому гиганту варрант на приобретение доли в чипмейкере на сумму до $4 млрд по мере достижения согласованных целевых показателей.
Можно говорить об очередном большом шаге в рамках стратегии Qualcomm по расширению бизнеса в сектор ИИ ЦОД, как и в случае приобретения Qualcomm софтверного разработчика Modular и развитии агентного ИИ за пределами периферийных устройств. Объем соглашения – порядка $60 млрд.
В рамках партнёрства как ожидается будут созданы специализированные процессоры, оптимизированные для инференс-нагрузок ИИ в ЦОД Amazon Web Services (AWS). Объединяя опыт Qualcomm в энергоэффективном проектировании вычислительных систем с глобальной облачной инфраструктурой AWS, компании намерены решить проблему стремительно растущего энергопотребления и необходимости во все новых мощностях генеративного ИИ.
Помимо специализированных процессоров, соглашение охватывает высокопроизводительные технологии оптической связности. Qualcomm планирует поставлять оптические цифровые сигнальные процессоры и сериализаторы/десериализаторы с поддержкой скоростей до 1,6 Тбит/с и выше. Высокоскоростные межсоединения должны устранить узкие места в сетях ЦОД, обеспечивая минимальную задержку при обмене данными между крупными кластерами ИИ-чипов.
Соглашение также предусматривает, что Qualcomm усилит использование инфраструктуры AWS в собственных внутренних целях. Чипмейкер, в частности, будет применять облачные ИИ-инструменты, включая Amazon Bedrock, для выполнения задач электронного проектирования, чтобы ускорить собственные циклы разработки чипов.
💎 Сделка превращает Qualcomm из "рядового" поставщика мобильных чипов в заметного участника рынка облачного ИИ-железа, делая эту компанию прямым конкурентом для Nvidia и AMD в критически важном сегменте инференса.
Amazon в рамках сделки получит рычаги контроля над собственным стеком аппаратного обеспечения, что снизит зависимость этой компании от традиционных поставщиков. Amazon становится якорным заказчиком Qualcomm в ЦОД-сегменте, что можно рассматривать, как прецедент для аналогичных сделок с другими гиперскейлерами.
Кроме того, это укрепляет тренд на вертикальную интеграцию и кастомизацию кремния под специфические ИИ-нагрузки.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Qualcomm заключает сделку с Amazon о разработке кастомных ИИ-чипов
Qualcomm заключила с Amazon соглашение о разработке специализированных чипов для инфраструктуры ИИ ЦОД, одновременно выдав технологическому гиганту варрант на приобретение доли в чипмейкере на сумму до $4 млрд по мере достижения согласованных целевых показателей.
Можно говорить об очередном большом шаге в рамках стратегии Qualcomm по расширению бизнеса в сектор ИИ ЦОД, как и в случае приобретения Qualcomm софтверного разработчика Modular и развитии агентного ИИ за пределами периферийных устройств. Объем соглашения – порядка $60 млрд.
В рамках партнёрства как ожидается будут созданы специализированные процессоры, оптимизированные для инференс-нагрузок ИИ в ЦОД Amazon Web Services (AWS). Объединяя опыт Qualcomm в энергоэффективном проектировании вычислительных систем с глобальной облачной инфраструктурой AWS, компании намерены решить проблему стремительно растущего энергопотребления и необходимости во все новых мощностях генеративного ИИ.
Помимо специализированных процессоров, соглашение охватывает высокопроизводительные технологии оптической связности. Qualcomm планирует поставлять оптические цифровые сигнальные процессоры и сериализаторы/десериализаторы с поддержкой скоростей до 1,6 Тбит/с и выше. Высокоскоростные межсоединения должны устранить узкие места в сетях ЦОД, обеспечивая минимальную задержку при обмене данными между крупными кластерами ИИ-чипов.
Соглашение также предусматривает, что Qualcomm усилит использование инфраструктуры AWS в собственных внутренних целях. Чипмейкер, в частности, будет применять облачные ИИ-инструменты, включая Amazon Bedrock, для выполнения задач электронного проектирования, чтобы ускорить собственные циклы разработки чипов.
Amazon в рамках сделки получит рычаги контроля над собственным стеком аппаратного обеспечения, что снизит зависимость этой компании от традиционных поставщиков. Amazon становится якорным заказчиком Qualcomm в ЦОД-сегменте, что можно рассматривать, как прецедент для аналогичных сделок с другими гиперскейлерами.
Кроме того, это укрепляет тренд на вертикальную интеграцию и кастомизацию кремния под специфические ИИ-нагрузки.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤1👍1
🇨🇳 Производство микросхем памяти. LPDDR6. Основные участники рынка. Китай
CXMT начала массовый выпуск LPDDR6 - китайский производитель догоняет лидеров
Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявила о начале массового производства передовой памяти для мобильных устройств - LPDDR6. Первым устройством, получившим новую память, станет складной смартфон Xiaomi 18 Fold, выход которого ожидается в сентябре 2026 года. Процессор Xring O3 от Xiaomi получил поддержку LPDDR6 от CXMT.
По данным компании, память способна обеспечивать пиковую скорость передачи данных в 12 800 Мбит/с. Ёмкость чипа в упаковке - 16 ГБ на основе кристаллов по 16 Гбит. По сравнению с LPDDR5X пропускная способность выросла на 60%, энергопотребление снизилось на 20%. Продукт соответствует стандарту JEDEC LPDDR6.
CXMT объявила о массовом производстве LPDDR6 раньше Samsung и SK Hynix. SK Hynix в марте 2026 года завершила разработку 16-Гбит LPDDR6 на техпроцессе 1c (10 нм-класс) и планировала начать поставки в 2H2026. Samsung демонстрировала LPDDR6 на CES 2026, но сроков массового производства не называла. По данным TechPowerUp со ссылкой на ISSCC 2026, Samsung планирует выпустить 16-Гбит LPDDR6 на 12-нм техпроцессе со скоростью 12,8 Гбит/с, а SK Hynix нацелена на 14,4 Гбит/с.
По данным Counterpoint Research, доля CXMT в глобальной выручке DRAM во втором квартале 2026 года достигла 10% (против 4% годом ранее). В TrendForce оценивают долю в 9,5%. Китайский производитель уверенно занимает четвёртое место после глобальных лидеров: Samsung (39,4%), SK Hynix (24,9%) и Micron (23,3%). Выручка CXMT за 1H2026 выросла почти в 10 раз.
Аналитики указывают на сохранение технологического разрыва. CXMT, по оценкам, использует техпроцесс 15–16 нм, тогда как корейские производители применяют 10-12 нм – отставание оценивается примерно в 3 года. Без возможности использования фотолитографов EUV китайская компания сталкивается с более высокой себестоимостью, в том числе из-за меньшего выхода годных. Все это не позволяет говорить о технологическом паритете.
CXMT впервые вышла на рынок нового поколения мобильной DRAM в тот же временной период, что и мировые лидеры, что демонстрирует ускорение темпов развития китайской компании. Однако сокращение разрыва по срокам вывода новинок продукции не означает сокращения технологического разрыва: в «тонкости» производственных процессов и в их эффективности CXMT по-прежнему уступает лидерам. Китай в целом сохраняет отставание в передовых полупроводниковых технологиях, но явно ускоряется в его сокращении. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
CXMT начала массовый выпуск LPDDR6 - китайский производитель догоняет лидеров
Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) объявила о начале массового производства передовой памяти для мобильных устройств - LPDDR6. Первым устройством, получившим новую память, станет складной смартфон Xiaomi 18 Fold, выход которого ожидается в сентябре 2026 года. Процессор Xring O3 от Xiaomi получил поддержку LPDDR6 от CXMT.
По данным компании, память способна обеспечивать пиковую скорость передачи данных в 12 800 Мбит/с. Ёмкость чипа в упаковке - 16 ГБ на основе кристаллов по 16 Гбит. По сравнению с LPDDR5X пропускная способность выросла на 60%, энергопотребление снизилось на 20%. Продукт соответствует стандарту JEDEC LPDDR6.
CXMT объявила о массовом производстве LPDDR6 раньше Samsung и SK Hynix. SK Hynix в марте 2026 года завершила разработку 16-Гбит LPDDR6 на техпроцессе 1c (10 нм-класс) и планировала начать поставки в 2H2026. Samsung демонстрировала LPDDR6 на CES 2026, но сроков массового производства не называла. По данным TechPowerUp со ссылкой на ISSCC 2026, Samsung планирует выпустить 16-Гбит LPDDR6 на 12-нм техпроцессе со скоростью 12,8 Гбит/с, а SK Hynix нацелена на 14,4 Гбит/с.
По данным Counterpoint Research, доля CXMT в глобальной выручке DRAM во втором квартале 2026 года достигла 10% (против 4% годом ранее). В TrendForce оценивают долю в 9,5%. Китайский производитель уверенно занимает четвёртое место после глобальных лидеров: Samsung (39,4%), SK Hynix (24,9%) и Micron (23,3%). Выручка CXMT за 1H2026 выросла почти в 10 раз.
Аналитики указывают на сохранение технологического разрыва. CXMT, по оценкам, использует техпроцесс 15–16 нм, тогда как корейские производители применяют 10-12 нм – отставание оценивается примерно в 3 года. Без возможности использования фотолитографов EUV китайская компания сталкивается с более высокой себестоимостью, в том числе из-за меньшего выхода годных. Все это не позволяет говорить о технологическом паритете.
CXMT впервые вышла на рынок нового поколения мобильной DRAM в тот же временной период, что и мировые лидеры, что демонстрирует ускорение темпов развития китайской компании. Однако сокращение разрыва по срокам вывода новинок продукции не означает сокращения технологического разрыва: в «тонкости» производственных процессов и в их эффективности CXMT по-прежнему уступает лидерам. Китай в целом сохраняет отставание в передовых полупроводниковых технологиях, но явно ускоряется в его сокращении. ||
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍4❤3
🇷🇺 Производство сенсоров. Германий. Работа с германием. Россия
В России локализован полный цикл производства сверхчувствительных германиевых детекторов
Предприятия «Росатома» замкнули технологическую цепочку - от глубокой очистки германиевого сырья до сборки готовых спектрометров. Завершающим звеном стал новый производственный участок на предприятии дивизиона «АСУ ТП и электротехника».
✦ АО «Гиредмет» (Химико-технологический кластер «Росатома») разработало технологию получения особо чистого германия (HPGe). Создано оборудование для выращивания монокристаллов чистотой не менее 7N. Это обеспечивает детекторное качество материала.
✦ Новый участок оборудован чистой зоной класса ISO 8 для предотвращения загрязнения германия на этапе сборки. Детекторы работают при охлаждении жидким азотом (−196°C) для минимизации тепловых шумов.
На базе детекторов собираются спектрометры, идентифицирующие радионуклиды по спектру излучения. Разработана линейка из четырёх моделей. Такие детекторы применяют, например, для контроля теплоносителя и герметичности твэлов на АЭС, исследований на ускорителях, анализа лунного грунта, геологоразведки, входного контроля в металлургии, таможенного досмотра.
💎 Полная локализация от сырья до прибора устраняет зависимость от импорта в критически узкой нише ядерного приборостроения и может стать базой для серийного выпуска необходимых приборов. Впрочем, о серийности я бы говорил с осторожностью, поскольку всё производство опирается на экспериментальное оборудование «Гиредмета», а масштабирование может быть сложным и длительным процессом.
((по материалам Атоммедиа-онлайн))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В России локализован полный цикл производства сверхчувствительных германиевых детекторов
Предприятия «Росатома» замкнули технологическую цепочку - от глубокой очистки германиевого сырья до сборки готовых спектрометров. Завершающим звеном стал новый производственный участок на предприятии дивизиона «АСУ ТП и электротехника».
✦ АО «Гиредмет» (Химико-технологический кластер «Росатома») разработало технологию получения особо чистого германия (HPGe). Создано оборудование для выращивания монокристаллов чистотой не менее 7N. Это обеспечивает детекторное качество материала.
✦ Новый участок оборудован чистой зоной класса ISO 8 для предотвращения загрязнения германия на этапе сборки. Детекторы работают при охлаждении жидким азотом (−196°C) для минимизации тепловых шумов.
На базе детекторов собираются спектрометры, идентифицирующие радионуклиды по спектру излучения. Разработана линейка из четырёх моделей. Такие детекторы применяют, например, для контроля теплоносителя и герметичности твэлов на АЭС, исследований на ускорителях, анализа лунного грунта, геологоразведки, входного контроля в металлургии, таможенного досмотра.
💎 Полная локализация от сырья до прибора устраняет зависимость от импорта в критически узкой нише ядерного приборостроения и может стать базой для серийного выпуска необходимых приборов. Впрочем, о серийности я бы говорил с осторожностью, поскольку всё производство опирается на экспериментальное оборудование «Гиредмета», а масштабирование может быть сложным и длительным процессом.
((по материалам Атоммедиа-онлайн))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👏7❤5👍1👀1🙈1