Forwarded from ICT.Moscow
ТПП предложила усилить контроль за происхождением российской радиоэлектронной продукции
Торгово-промышленная палата (ТПП) обратилась в Минпромторг России с просьбой доработать механизмы борьбы с «псевдолокализацией» российской радиоэлектронной продукции. Речь идет о случаях, в которых производители выдают иностранные решения за отечественные.
В ТПП утверждают, что компании продолжают использовать иностранные компоненты вместо отечественных уже после внесения решений в реестр, а у заказчиков «нет эффективных механизмов входного контроля и проверки фактического состава продукции».
Вице-президент GS Group Сергей Долгопольский рассказал, что количество «псевдолокализованной» продукции велико, большая доля оказывается в серой зоне, поскольку поставщик для включения в реестр представляет российские комплектующие, а в массовом производстве использует иностранную ЭКБ.
В Fplus считают, что оценить, сколько сейчас на рынке «псевдолокализованной» продукции, нельзя, так как «чаще всего попадают на рынок компоненты по второму уровню локализации, когда документация делается в России, а продукт производится в Китае, это самый распространенный способ».
🔗 В марте сообщалось, что Минпромторг России может ужесточить критерии локализации компонентов печатных плат.
Торгово-промышленная палата (ТПП) обратилась в Минпромторг России с просьбой доработать механизмы борьбы с «псевдолокализацией» российской радиоэлектронной продукции. Речь идет о случаях, в которых производители выдают иностранные решения за отечественные.
В ТПП утверждают, что компании продолжают использовать иностранные компоненты вместо отечественных уже после внесения решений в реестр, а у заказчиков «нет эффективных механизмов входного контроля и проверки фактического состава продукции».
Вице-президент GS Group Сергей Долгопольский рассказал, что количество «псевдолокализованной» продукции велико, большая доля оказывается в серой зоне, поскольку поставщик для включения в реестр представляет российские комплектующие, а в массовом производстве использует иностранную ЭКБ.
В Fplus считают, что оценить, сколько сейчас на рынке «псевдолокализованной» продукции, нельзя, так как «чаще всего попадают на рынок компоненты по второму уровню локализации, когда документация делается в России, а продукт производится в Китае, это самый распространенный способ».
🔗 В марте сообщалось, что Минпромторг России может ужесточить критерии локализации компонентов печатных плат.
❤6🤝3😁1
Forwarded from Электронное машиностроение
🇮🇳 Индия утвердила программу Semicon 2.0 с бюджетом свыше 13 млрд долл. США, расширяющую меры поддержки национальной полупроводниковой отрасли
📜 Кабинет министров Индии 15 июля 2026 года утвердил программу Semicon 2.0 — второй этап государственной поддержки полупроводниковой отрасли, запущенной для снижения зависимости от импорта. Первый этап, запущенный в 2021 году, первоначально оценивался примерно в 10 млрд долл. США. Одновременно была одобрена отдельная программа поддержки производства мобильных телефонов на 6,5 млрд долл. США, рассчитанная на 2026/27–2030/31 финансовые годы.
💸 На первом этапе действия программы государство возмещало 50% капитальных затрат по любому проекту. Semicon 2.0 отказывается от единой ставки в пользу дифференцированной, при этом уровень поддержки производства снижается:
— кремниевые фабрики — 40% капзатрат;
— фабрики по производству полупроводников на основе соединений (compound semiconductors) и дисплеев — до 35%;
— передовое корпусирование — до 35%;
— традиционное корпусирование — до 25%.
🆕 Одновременно вводится новая категория получателей: производители оборудования для выпуска микросхем, а также материалов, химикатов и технологических газов получат до 30% капитальных затрат. На первом этапе этот сегмент под господдержку не подпадал.
Поддержка предоставляется в форме прямых капитальных грантов: государство софинансирует вложения одновременно с инвестором. Это отличает индийскую модель от Кореи и Тайваня, где преобладают налоговые вычеты и субсидирование операционных расходов, и сближает её с японской практикой адресных грантов.
Если предыдущий этап был сосредоточен главным образом на запуске фабрик, то Semicon 2.0 расширяет охват господдержки на всю цепочку создания стоимости. Новые инициативы касаются следующих направлений:
📋 Проектирование. В проектировании акцент сделан на создании собственных IP-блоков, законченных проектов микросхем и систем на кристалле.
🔬 НИОКР. Индия нацелена на переход от освоенных технологий диапазона 28–110 нм к более передовым топологическим нормам и другим перспективным технологиям в сотрудничестве с исследовательскими центрами внутри страны и за рубежом.
🧩 Корпусирование. Программа ориентирована на привлечение в страну компаний, специализирующихся на передовом корпусировании.
👩🏫 Подготовка кадров. Один из приоритетов новой программы – углубление подготовки на уровне вузов и участие индустрии в обучении работе в чистых помещениях и строительству фабрик.
По итогам первого этапа Semicon 1.0 правительство Индии одобрило создание 12 производственных проектов с совокупным объёмом инвестиций более 17 млрд долл. США: одна кремниевая фабрика, одна фабрика производства полупроводников на основе карбида кремния, интегрированная фабрика микро-LED-дисплеев на нитриде галлия и девять предприятий корпусирования. Коммерческое производство в стране уже начали три компании — Micron, Kaynes Semicon и CG Semi, ещё одно предприятие должно выйти на этот этап в 2026 году.
📈 Объём рынка микросхем в Индии вырос примерно с 38 млрд долл. США в 2023 году до оценочных 45–50 млрд в 2024–2025 годах. Целевой показатель правительства — 100–110 млрд долл. США к 2030 году.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии #Индия
📜 Кабинет министров Индии 15 июля 2026 года утвердил программу Semicon 2.0 — второй этап государственной поддержки полупроводниковой отрасли, запущенной для снижения зависимости от импорта. Первый этап, запущенный в 2021 году, первоначально оценивался примерно в 10 млрд долл. США. Одновременно была одобрена отдельная программа поддержки производства мобильных телефонов на 6,5 млрд долл. США, рассчитанная на 2026/27–2030/31 финансовые годы.
💸 На первом этапе действия программы государство возмещало 50% капитальных затрат по любому проекту. Semicon 2.0 отказывается от единой ставки в пользу дифференцированной, при этом уровень поддержки производства снижается:
— кремниевые фабрики — 40% капзатрат;
— фабрики по производству полупроводников на основе соединений (compound semiconductors) и дисплеев — до 35%;
— передовое корпусирование — до 35%;
— традиционное корпусирование — до 25%.
🆕 Одновременно вводится новая категория получателей: производители оборудования для выпуска микросхем, а также материалов, химикатов и технологических газов получат до 30% капитальных затрат. На первом этапе этот сегмент под господдержку не подпадал.
Поддержка предоставляется в форме прямых капитальных грантов: государство софинансирует вложения одновременно с инвестором. Это отличает индийскую модель от Кореи и Тайваня, где преобладают налоговые вычеты и субсидирование операционных расходов, и сближает её с японской практикой адресных грантов.
Если предыдущий этап был сосредоточен главным образом на запуске фабрик, то Semicon 2.0 расширяет охват господдержки на всю цепочку создания стоимости. Новые инициативы касаются следующих направлений:
📋 Проектирование. В проектировании акцент сделан на создании собственных IP-блоков, законченных проектов микросхем и систем на кристалле.
🔬 НИОКР. Индия нацелена на переход от освоенных технологий диапазона 28–110 нм к более передовым топологическим нормам и другим перспективным технологиям в сотрудничестве с исследовательскими центрами внутри страны и за рубежом.
🧩 Корпусирование. Программа ориентирована на привлечение в страну компаний, специализирующихся на передовом корпусировании.
👩🏫 Подготовка кадров. Один из приоритетов новой программы – углубление подготовки на уровне вузов и участие индустрии в обучении работе в чистых помещениях и строительству фабрик.
По итогам первого этапа Semicon 1.0 правительство Индии одобрило создание 12 производственных проектов с совокупным объёмом инвестиций более 17 млрд долл. США: одна кремниевая фабрика, одна фабрика производства полупроводников на основе карбида кремния, интегрированная фабрика микро-LED-дисплеев на нитриде галлия и девять предприятий корпусирования. Коммерческое производство в стране уже начали три компании — Micron, Kaynes Semicon и CG Semi, ещё одно предприятие должно выйти на этот этап в 2026 году.
📈 Объём рынка микросхем в Индии вырос примерно с 38 млрд долл. США в 2023 году до оценочных 45–50 млрд в 2024–2025 годах. Целевой показатель правительства — 100–110 млрд долл. США к 2030 году.
#ЭлМаш #технологии #Индия
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
Business-Standard
Semicon India 1.0 vs 2.0: What's new in the govt's ₹1.27 trillion plan?
From chip design and fabs to talent development, here's how Semicon India 2.0 builds on the gains of the first phase
🤔3❤2
🇷🇺 Отечественная электроника. Рынок серверов. Оценки и прогнозы. Аналитика. Россия
В Fplus оценили российский рынок серверов в 2025 году и высказали предположения относительно итогов 2026 года
Основные выводы – в течение 2025 года рынок находился под мощным давлением регуляторных ограничений. При этом сокращалась доля прежних (в основном зарубежных) лидеров рынка – Dell, Lenovo, IBM и так далее. Несмотря на общее замедление экономики, серверный рынок продемонстрировал уверенный рост в деньгах (порядка 30%), объем оценивается суммой около 180 млрд руб. Учитывая тот факт, что количество поставленных серверов оценивают в 140-150 тысяч (примерно, как в 2024 году), можно с уверенностью говорить о повышении средней цены сервера на российском рынке. Впрочем, это вполне укладывается в глобальный тренд.
Рост рынка в деньгах в компании связывают прежде всего, с подорожанием основных компонентов (память – оперативная и SSD и ряда других), причем по некоторым позициям рост был более чем в 10 раз. Также у некоторых российских производителей в портфолио появились более тяжеловесные и, соответственно, более дорогостоящие системы за счет того, что удалось решить проблему доступности передовых платформ и ключевых компонентов, а также совместимости стека программных продуктов на широком круге прикладных задач.
Количество и состав основных игроков рынка также не изменились: несмотря на достаточно тяжёлую ситуацию на рынке, лидеры сохраняют и упрочняют свои позиции, как производители, так и основные поставщики-интеграторы.
Прогноз на 2026 год
Пока что он «осторожный», хотя некоторые крупные участники рынка и рассчитывают на двузначный рост.
➚ В частности, можно надеяться на сокращение объема серого импорта, что, возможно, будет толкать вверх продажи отечественных решений, активная фаза реализации программ импортозамещения и растущая потребность в ИИ-решениях. Еще одним стимулом для роста станут требования ФСТЭК в рамках приказа №117, которые поддержат спрос на доверенные платформы для хранения и обработки данных граждан с использованием импортозамещенного аппаратного стека.
➘ Есть и сдерживающие факторы. В первую очередь, это продолжающийся дефицит и рост цен на компоненты, а также то, что многие госкорпорации действуют осторожно и прагматично, практически не закладывают бюджет на развитие ИТ-систем, а расходуют деньги только на поддержку и сопровождение текущей инфраструктуры. Поэтому, несмотря на уже сформированный отложенный спрос, вполне вероятен и сценарий с незначительным падением рынка.
((источник: канал Fplus))
💎 В качестве «итого» хочется воспроизвести известное высказывание Йоды: «Тёмная сторона застилает всё. Невозможно увидеть будущее». На мой взгляд, оно хорошо характеризует сложившуюся ситуацию.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Fplus оценили российский рынок серверов в 2025 году и высказали предположения относительно итогов 2026 года
Основные выводы – в течение 2025 года рынок находился под мощным давлением регуляторных ограничений. При этом сокращалась доля прежних (в основном зарубежных) лидеров рынка – Dell, Lenovo, IBM и так далее. Несмотря на общее замедление экономики, серверный рынок продемонстрировал уверенный рост в деньгах (порядка 30%), объем оценивается суммой около 180 млрд руб. Учитывая тот факт, что количество поставленных серверов оценивают в 140-150 тысяч (примерно, как в 2024 году), можно с уверенностью говорить о повышении средней цены сервера на российском рынке. Впрочем, это вполне укладывается в глобальный тренд.
Рост рынка в деньгах в компании связывают прежде всего, с подорожанием основных компонентов (память – оперативная и SSD и ряда других), причем по некоторым позициям рост был более чем в 10 раз. Также у некоторых российских производителей в портфолио появились более тяжеловесные и, соответственно, более дорогостоящие системы за счет того, что удалось решить проблему доступности передовых платформ и ключевых компонентов, а также совместимости стека программных продуктов на широком круге прикладных задач.
«Более половины оборота (около 65%) пришлось на госзакупки по 44 ФЗ и 223 ФЗ. В сегменте закупок для госучреждений и госкорпораций в целом наблюдалось формирование устойчивого рынка - количество неисполненных госконтрактов сократилось в 1,5 раза, что говорит об адекватном восприятии бизнеса заказчиками, выстраивании реалистичных ожиданий по срокам, цене, доступности решений», - замечают в компании.
Количество и состав основных игроков рынка также не изменились: несмотря на достаточно тяжёлую ситуацию на рынке, лидеры сохраняют и упрочняют свои позиции, как производители, так и основные поставщики-интеграторы.
Прогноз на 2026 год
Пока что он «осторожный», хотя некоторые крупные участники рынка и рассчитывают на двузначный рост.
➚ В частности, можно надеяться на сокращение объема серого импорта, что, возможно, будет толкать вверх продажи отечественных решений, активная фаза реализации программ импортозамещения и растущая потребность в ИИ-решениях. Еще одним стимулом для роста станут требования ФСТЭК в рамках приказа №117, которые поддержат спрос на доверенные платформы для хранения и обработки данных граждан с использованием импортозамещенного аппаратного стека.
➘ Есть и сдерживающие факторы. В первую очередь, это продолжающийся дефицит и рост цен на компоненты, а также то, что многие госкорпорации действуют осторожно и прагматично, практически не закладывают бюджет на развитие ИТ-систем, а расходуют деньги только на поддержку и сопровождение текущей инфраструктуры. Поэтому, несмотря на уже сформированный отложенный спрос, вполне вероятен и сценарий с незначительным падением рынка.
«В целом мы считаем, что 2026 год скорее всего повторит результаты рынка в денежном выражении и уменьшится не более, чем на 5-10% в количественном выражении», - резюмируют в Fplus.
((источник: канал Fplus))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🤔6❤2😁1👌1🤨1
🇷🇺 Производство микроэлектроники. Электронно-лучевые литографы. Вести из лабораторий. Россия
В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах
Об этом рассказали Известия. При использовании мультикатода, можно обработать кремниевую пластину за 5-7 минут, на несколько порядков быстрее, чем при использовании традиционных однолучевых электронных литографов. Это позволяет по-новому взглянуть на технологию электронной литографии, как до какой-то степени, альтернативу традционной фотолитографии при производстве полупроводников.
На данный момент завершён этап научно-исследовательских работ (НИР): мультикатод изготовлен и прошёл практические испытания. Однако самого литографа пока нет — его создание в рамках опытно-конструкторской разработки (ОКР) ещё впереди. Разработчики рассчитывают, что первый опытный образец может появиться примерно через 3 года
Заявляется, что источники пучков имеют радиус закругления вершины от 1.5 до 2 нм – это позволяет рассчитывать на возможность создания с помощью будущей установки передовых чипов. Впрочем, чтобы можно было изготавливать чипы по техпроцессам с высоким разрешением, необходим далеко не только литограф, а еще десятки других установок, входящий в цепочку, формирующую полупроводниковые структуры на пластине, и подходящие материалы.
Главное преимущество российской технологии — способ формирования лучей: вместо сложных схем расщепления одного луча с большим количеством зеркал и оптических затворов (как в зарубежных аналогах) установка создаёт множество независимых источников электронов на единой подложке. Это упрощает конструкцию, снижает энергопотребление и стоимость оборудования.
По оценкам разработчиков первый опытный образец литографа может быть создан в России примерно через 3 года.
На ключевой вопрос – какие техпроцессы доступны с помощью такого литографа – ответить непросто. Это зависит от многих факторов. Даже если катод позволяет формировать множество очень узких лучей, которыми можно управлять с высокой точностью, разрешающая способность установки будет зависеть и от ряда других факторов, например, от качества фоторезистов. Технология потенциально может использоваться для производства микросхем с нормами от 350 нм до нескольких нанометров, но конкретный диапазон станет ясен только после появления работающего прототипа. ||
🗝 Подробнее о мультикатодах - патент (неизвестно, этот ли патент положен в основу разработки)
В России разработали многолучевый катод для использования в электронных литографах
Об этом рассказали Известия. При использовании мультикатода, можно обработать кремниевую пластину за 5-7 минут, на несколько порядков быстрее, чем при использовании традиционных однолучевых электронных литографов. Это позволяет по-новому взглянуть на технологию электронной литографии, как до какой-то степени, альтернативу традционной фотолитографии при производстве полупроводников.
На данный момент завершён этап научно-исследовательских работ (НИР): мультикатод изготовлен и прошёл практические испытания. Однако самого литографа пока нет — его создание в рамках опытно-конструкторской разработки (ОКР) ещё впереди. Разработчики рассчитывают, что первый опытный образец может появиться примерно через 3 года
Заявляется, что источники пучков имеют радиус закругления вершины от 1.5 до 2 нм – это позволяет рассчитывать на возможность создания с помощью будущей установки передовых чипов. Впрочем, чтобы можно было изготавливать чипы по техпроцессам с высоким разрешением, необходим далеко не только литограф, а еще десятки других установок, входящий в цепочку, формирующую полупроводниковые структуры на пластине, и подходящие материалы.
Главное преимущество российской технологии — способ формирования лучей: вместо сложных схем расщепления одного луча с большим количеством зеркал и оптических затворов (как в зарубежных аналогах) установка создаёт множество независимых источников электронов на единой подложке. Это упрощает конструкцию, снижает энергопотребление и стоимость оборудования.
По оценкам разработчиков первый опытный образец литографа может быть создан в России примерно через 3 года.
На ключевой вопрос – какие техпроцессы доступны с помощью такого литографа – ответить непросто. Это зависит от многих факторов. Даже если катод позволяет формировать множество очень узких лучей, которыми можно управлять с высокой точностью, разрешающая способность установки будет зависеть и от ряда других факторов, например, от качества фоторезистов. Технология потенциально может использоваться для производства микросхем с нормами от 350 нм до нескольких нанометров, но конкретный диапазон станет ясен только после появления работающего прототипа. ||
🗝 Подробнее о мультикатодах - патент (неизвестно, этот ли патент положен в основу разработки)
👏10❤5👍2
Forwarded from Электронное машиностроение
🇩🇪 Zeiss SMT открыл первый корпус расширенного производства EUV-оптики в Оберкохене
🏗️ ZEISS SMT завершила первый этап расширения своей основной площадки в Оберкохене, где выпускается высокоточная оптика для литографических систем ASML. Строительство нового офисного корпуса стартовало в мае 2022 года. В дальнейшем компания будет поэтапно вводить производственные здания. Общая площадь новых производственных и вспомогательных помещений составит около 25 тыс. м².
📍 Оберкохен и Вецлар остаются единственными площадками в мире, способными выпускать комплектные оптические системы для сканеров ASML. ZEISS является единственным поставщиком зеркал, линз, осветительных систем, коллекторов и ряда других критически важных оптических компонентов. В 2025 году объем закупок ASML у ZEISS SMT и связанных с ней компаний достиг примерно 4,8 млрд долл. США против 4,3 млрд долл. США в 2024 году и 3,6 млрд долл. США в 2023 году.
📈 Расширение площадки напрямую связано с планами ASML нарастить выпуск EUV-оборудования. В 2026 году компания рассчитывает поставить около 65 сканеров Low-NA EUV, а в 2027 году увеличить соответствующие мощности примерно на 30%. Еще одно увеличение на 30% рассматривается на 2028 год. Параллельно ASML сокращает цикл сборки литографических установок примерно с 22 до 15–16 недель, поэтому производительность ZEISS становится одним из ключевых ограничений для дальнейшего роста выпуска.
☝️ При этом в годовом отчёте ASML прямо указывается, что количество систем, которые компания способна производить, ограничено производственными мощностями ZEISS SMT. Фактически именно немецкая площадка выступает узким местом всей цепочки EUV-сканеров, определяя верхний предел масштабирования выпуска.
🪩 Особенно сложным остается производство оптики для High-NA EUV. Проекционная система содержит более 40 тыс. компонентов, весит около 12 т и примерно в семь раз превосходит стандартную EUV-оптику по массе и объему. Осветительная система включает еще около 25 тыс. деталей и весит 6 т. Отдельные зеркала весят несколько сотен килограммов, примерно вдвое крупнее и в десять раз тяжелее зеркал современных EUV-систем. Для их проверки используется специальная вакуумная камера размером 5 × 10 м, которая состоит более чем из 100 тыс. деталей и весит свыше 150 т.
Новые площади позволят ZEISS вести больше производственных и контрольных операций параллельно. Однако само расширение не сокращает многомесячную механическую обработку, нанесение покрытий и аттестацию оптических элементов, поэтому оптика продолжит определять предельные темпы масштабирования выпуска EUV-сканеров.
💬 Электронное машиностроение в МАХ
#ЭлМаш #технологии #EUV #ZEISS #ASML
🏗️ ZEISS SMT завершила первый этап расширения своей основной площадки в Оберкохене, где выпускается высокоточная оптика для литографических систем ASML. Строительство нового офисного корпуса стартовало в мае 2022 года. В дальнейшем компания будет поэтапно вводить производственные здания. Общая площадь новых производственных и вспомогательных помещений составит около 25 тыс. м².
📍 Оберкохен и Вецлар остаются единственными площадками в мире, способными выпускать комплектные оптические системы для сканеров ASML. ZEISS является единственным поставщиком зеркал, линз, осветительных систем, коллекторов и ряда других критически важных оптических компонентов. В 2025 году объем закупок ASML у ZEISS SMT и связанных с ней компаний достиг примерно 4,8 млрд долл. США против 4,3 млрд долл. США в 2024 году и 3,6 млрд долл. США в 2023 году.
📈 Расширение площадки напрямую связано с планами ASML нарастить выпуск EUV-оборудования. В 2026 году компания рассчитывает поставить около 65 сканеров Low-NA EUV, а в 2027 году увеличить соответствующие мощности примерно на 30%. Еще одно увеличение на 30% рассматривается на 2028 год. Параллельно ASML сокращает цикл сборки литографических установок примерно с 22 до 15–16 недель, поэтому производительность ZEISS становится одним из ключевых ограничений для дальнейшего роста выпуска.
☝️ При этом в годовом отчёте ASML прямо указывается, что количество систем, которые компания способна производить, ограничено производственными мощностями ZEISS SMT. Фактически именно немецкая площадка выступает узким местом всей цепочки EUV-сканеров, определяя верхний предел масштабирования выпуска.
🪩 Особенно сложным остается производство оптики для High-NA EUV. Проекционная система содержит более 40 тыс. компонентов, весит около 12 т и примерно в семь раз превосходит стандартную EUV-оптику по массе и объему. Осветительная система включает еще около 25 тыс. деталей и весит 6 т. Отдельные зеркала весят несколько сотен килограммов, примерно вдвое крупнее и в десять раз тяжелее зеркал современных EUV-систем. Для их проверки используется специальная вакуумная камера размером 5 × 10 м, которая состоит более чем из 100 тыс. деталей и весит свыше 150 т.
Новые площади позволят ZEISS вести больше производственных и контрольных операций параллельно. Однако само расширение не сокращает многомесячную механическую обработку, нанесение покрытий и аттестацию оптических элементов, поэтому оптика продолжит определять предельные темпы масштабирования выпуска EUV-сканеров.
#ЭлМаш #технологии #EUV #ZEISS #ASML
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
🔥3❤2🤣1
🇷🇺 Производство полупроводников. Производственное оборудование. Установки жидкостного химического травления. Контракты. Россия
РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм
Информацией поделился CNews. Исполнителем выступает ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», Саров, Ростатом. Сумма контракта – 1,43 млрд. Работа из четырех этапов должна быть завершена до 30 ноября 2029 года.
Установка ЖХТ позволяет проводить химическое травление, очистку, промывку и сушку. Оборудование работает с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C. Оно способно обрабатывать за цикл до 100 пластин, обеспечивать их автоматическую загрузку и выгрузку с использованием SMIF-загрузчика. Равномерность травления по пластине – не более 5%. (Функциональными аналогами являются: Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY™+, а также японская Tokyo Electron ZETA™+ 200).
Критические компоненты установки: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение – все это должно быть отечественным (впрочем, по согласования с заказчиком допускается и применение импортных комплектующих).
Совсем недавно, в июле 2026 года РФЯЦ-ВНИИЭФ получил еще один заказа от Минпромторга – на разработку установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. В рамках проекта будут созданы два типа установок: для временного соединения полупроводниковых пластин с пластиной-носителем (бондинг), а также для дебондинга и очистки кремниевых пластин. Сумма контракта – 992,85 млн руб.
Интересно… Помнится в 2026 году мы ожидали линейку установок жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин (ЖХО) от ЭСТО и НИИС Седакова, в 2025 году был готов опытный образец транспортно-перегрузочного модуля (ТПМ), их вроде бы производят теперь серийно. Но где же линейка установок ЖХО этих производителей?
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
РФЯЦ-ВНИИЭФ разрабатывает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм
Информацией поделился CNews. Исполнителем выступает ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», Саров, Ростатом. Сумма контракта – 1,43 млрд. Работа из четырех этапов должна быть завершена до 30 ноября 2029 года.
Установка ЖХТ позволяет проводить химическое травление, очистку, промывку и сушку. Оборудование работает с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C. Оно способно обрабатывать за цикл до 100 пластин, обеспечивать их автоматическую загрузку и выгрузку с использованием SMIF-загрузчика. Равномерность травления по пластине – не более 5%. (Функциональными аналогами являются: Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY™+, а также японская Tokyo Electron ZETA™+ 200).
Критические компоненты установки: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение – все это должно быть отечественным (впрочем, по согласования с заказчиком допускается и применение импортных комплектующих).
Совсем недавно, в июле 2026 года РФЯЦ-ВНИИЭФ получил еще один заказа от Минпромторга – на разработку установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин. В рамках проекта будут созданы два типа установок: для временного соединения полупроводниковых пластин с пластиной-носителем (бондинг), а также для дебондинга и очистки кремниевых пластин. Сумма контракта – 992,85 млн руб.
Интересно… Помнится в 2026 году мы ожидали линейку установок жидкостно-химической обработки полупроводниковых пластин (ЖХО) от ЭСТО и НИИС Седакова, в 2025 году был готов опытный образец транспортно-перегрузочного модуля (ТПМ), их вроде бы производят теперь серийно. Но где же линейка установок ЖХО этих производителей?
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤7👍2
Forwarded from ё-Пром | Промышленные инновации России
Минпромторг подготовил законопроект, который закроет с 1 января 2027 года популярную схему обхода импортозамещения для электроники, сообщили «Ведомости».
❌ Сейчас госзаказчики легально закупают иностранные ноутбуки, планшеты и мониторы вместо российской техники, добавляя в один лот тендера одновременно технику, у которой есть отечественные аналоги, и ту, у которой аналогов нет. Это позволяет обойти правило «второй лишний» и закупить всё иностранное оборудование по всем позициям лота, полностью игнорируя российскую продукцию. На эту схему жаловались более 70% компаний из сфер радиоэлектроники.
Проект постановления Минпромторга запретит смешивать в одном лоте товары с российскими аналогами и без таковых:
🔹 ноутбуки и планшетные компьютеры (массой до 10 кг);
🔹 мониторы и проекторы;
🔹 принтеры, сканеры и МФУ;
🔹 клавиатуры, мыши и другую периферию;
🔹 электронно-вычислительные машины для обработки данных.
✔️ Похожее ограничение уже действует, но только для специфического оборудования (некоторых медизделий и музыкальных инструментов). Радиоэлектроника под него пока не подпадала.
Производители электроники считают, что такие меры нужно было вводить ещё три года назад, в 2023 году. Сейчас, по их словам, ситуация с импортозамещением близка к кризисной.
Часть экспертов поддерживает разделение лотов — это сделает госзакупки прозрачнее. Другие предлагают оставить смешанные лоты, но только из техники, которая есть в реестре Минпромторга. Проблема возникает, когда в лот добавляют одну отсутствующую в реестре деталь, чтобы «завезти» весь иностранный комплект.
Однако не все верят, что запрет мгновенно переключит заказчиков на российскую электронику. Отмечается, что проблема смешанных лотов только регулированием госзакупок не решается: заказчики часто составляют список оборудования ещё на этапе проектирования с учётом совместимости. Также есть мнение, что разделение лотов может повысить объёмы закупок отечественной техники, но массового перехода к прямым контрактам с заводами это вряд ли вызовет.
📸 Фото: Pixabay
#Радиоэлектроника
Отдать голос за
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
❤9👏2🤔2🔥1
🇷🇺 Отечественная электроника. Системы хранения. Россия
Компания Yadro сообщает о доступности старшей модели в линейке специализированных систем резервного копирования
Новую модель TATLIN.BACKUP.L отличает объем полезной емкости более 1 ПБ и два контроллера хранения для дополнительной отказоустойчивости. Решение разработано специально для крупных корпоративных сред с повышенными требования к доступности данных и объему их хранения.
Также компания выпустила масштабное обновление ПО v1.5 для всей линейки систем хранения резервных копий. В дополнение к технологиям дедупликации и компрессии данных, в системе появилась асинхронная репликация на уровне виртуальных файловых систем. Технология позволяет регулярно передавать данные на удаленную площадку, чтобы иметь возможность гарантированного восстановления в случае аварии на основном ЦОД. Также упростилась процедура самостоятельной замены дисков (CRU). Расширен комплекс мер безопасности, улучшен аудит логов при подключении по протоколу T-BOOST, обновлены инструменты мониторинга и управления системой. Это обеспечивает надежное и эффективное хранение огромных массивов информации, упрощает администрирование.
С выходом обновления v1.5 заказчикам стали доступны оптимизированные конфигурации систем TATLIN.BACKUP, оснащенные контроллерами хранения с 1.5 ТБ оперативной памяти. Вендор утверждает, что производительность системы сопоставима с конфигурациями с 2 ТБ оперативной памяти в малых инсталляциях полезной емкостью до 380 ТБ. При дальнейшем росте объемов данных и расширении ИТ-сценариев рекомендуется использовать максимальную конфигурацию с 2 ТБ оперативной памяти.
В дальнейших планах компании – развитие интеграций репликации с решениями технологических партнеров в сегменте ПО для резервного копирования. Также планируется развивать механизмы защиты резервных копий, включая поддержку неизменяемых резервных копий WORM и режим «Бункер».
Новая старшая модель TATLIN.BACKUP.L уже доступна для демонстрационного тестирования.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Компания Yadro сообщает о доступности старшей модели в линейке специализированных систем резервного копирования
Новую модель TATLIN.BACKUP.L отличает объем полезной емкости более 1 ПБ и два контроллера хранения для дополнительной отказоустойчивости. Решение разработано специально для крупных корпоративных сред с повышенными требования к доступности данных и объему их хранения.
Также компания выпустила масштабное обновление ПО v1.5 для всей линейки систем хранения резервных копий. В дополнение к технологиям дедупликации и компрессии данных, в системе появилась асинхронная репликация на уровне виртуальных файловых систем. Технология позволяет регулярно передавать данные на удаленную площадку, чтобы иметь возможность гарантированного восстановления в случае аварии на основном ЦОД. Также упростилась процедура самостоятельной замены дисков (CRU). Расширен комплекс мер безопасности, улучшен аудит логов при подключении по протоколу T-BOOST, обновлены инструменты мониторинга и управления системой. Это обеспечивает надежное и эффективное хранение огромных массивов информации, упрощает администрирование.
С выходом обновления v1.5 заказчикам стали доступны оптимизированные конфигурации систем TATLIN.BACKUP, оснащенные контроллерами хранения с 1.5 ТБ оперативной памяти. Вендор утверждает, что производительность системы сопоставима с конфигурациями с 2 ТБ оперативной памяти в малых инсталляциях полезной емкостью до 380 ТБ. При дальнейшем росте объемов данных и расширении ИТ-сценариев рекомендуется использовать максимальную конфигурацию с 2 ТБ оперативной памяти.
«Обновление 1.5 — один из самых масштабных и значимых релизов в истории TATLIN.BACKUP. Старшая модель TATLIN.BACKUP.L создавалась специально для крупнейших ИТ-инфраструктур с бескомпромиссными требованиями к доступности данных. В то же время новые конфигурации TATLIN.BACKUP оптимизируют стоимость владения решением без компромиссов в производительности, что особенно важно в условиях роста цен на электронные компоненты. Отдельное ключевое направление этого релиза - репликация. Она повышает сетевую эффективность, безопасность и киберустойчивость системы, а также формирует технологическую основу для режима «Бункер», который мы реализуем в следующей версии 1.6», - отметил Владислав Леонтьев, старший менеджер продукта TATLIN.BACKUP компании Yadro.
В дальнейших планах компании – развитие интеграций репликации с решениями технологических партнеров в сегменте ПО для резервного копирования. Также планируется развивать механизмы защиты резервных копий, включая поддержку неизменяемых резервных копий WORM и режим «Бункер».
Новая старшая модель TATLIN.BACKUP.L уже доступна для демонстрационного тестирования.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3👏3
🇰🇷 Производство памяти. Новые технологии. Аналитика. Конкуренция. Корея
Samsung представила 3D-память для ИИ: zHBM, zNAND-O и V10 BV-NAND
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, Samsung Electronics представила концептуальные модели памяти нового поколения, которые, по заявлению компании, должны кардинально изменить архитектуру ИИ-систем. Мероприятие собрало около 30 экспонатов, демонстрирующих дорожную карту Samsung в области DRAM, NAND и корпоративных хранилищ.
zHBM: память над ускорителем
Главной новинкой стала zHBM (vertical HBM) - архитектура, в которой высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (xPU), а не рядом с ним, как в традиционных решениях. Буква «z» в названии, очевидно, означает использование вертикальной оси (Z) для трёхмерной компоновки.
По оценкам Samsung, интерфейс следующего поколения на базе zHBM обеспечит примерно прирост производительности x8 по сравнению с HBM5. Благодаря технологии склеивания пластин (wafer bonding) достигается рост плотности памяти более чем x10, а также повышение энергоэффективности x3 и снижение теплового сопротивления более чем в 2 раза. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию заказных IP-блоков в промежуточный слой между памятью и ускорителем, что позволяет расширять ёмкость и адаптировать архитектуру под конкретные задачи.
zNAND-O: для периферийного ИИ
Второй концепт - zNAND-O - высокопроизводительное NAND-решение на базе V-NAND, оптимизированное для периферийных (edge) ИИ-сред. Буква «O» означает ориентацию на on-device AI - обработку данных непосредственно на устройстве. Решение разрабатывается в четырёх- и восьмислойной конфигурациях и сочетает высокую пространственную эффективность, улучшенную скорость ввода-вывода и низкую задержку для поддержки ресурсоёмких приложений реального времени.
V10 BV-NAND: более 400 слоёв
Кроме того, Samsung впервые продемонстрировала V10 BV-NAND - 10-е поколение вертикальной NAND-памяти с новой архитектурой склеивания пластин (Bonding V-NAND) и более чем 400 слоями. Это первая в отрасли V-NAND, преодолевшая рубеж в 400 слоёв. Плотность хранения увеличена примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, при этом улучшены производительность чтения/записи и энергоэффективность.
Рынок памяти: $1 трлн в 2026 году
Samsung конкурирует с SK Hynix и Micron за лидерство на рынке памяти и выгодные контракты с ИИ-гигантами. Во втором квартале 2026 года Samsung зафиксировала рекордную операционную прибыль, чему способствовали продажи памяти.
По данным Counterpoint Research, глобальная выручка от продаж полупроводниковой памяти в 2026 году достигнет около $975 млрд - $1 трлн, что в 4,2 раза больше, чем в 2025 году ($360 трлн вон). Драйвером роста выступает беспрецедентный спрос со стороны ИИ-дата-центров на фоне ограниченного предложения. Samsung также раскрыла, что долгосрочные контракты с клиентами могут составить 60–70% её продаж памяти.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Samsung представила 3D-память для ИИ: zHBM, zNAND-O и V10 BV-NAND
На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, Samsung Electronics представила концептуальные модели памяти нового поколения, которые, по заявлению компании, должны кардинально изменить архитектуру ИИ-систем. Мероприятие собрало около 30 экспонатов, демонстрирующих дорожную карту Samsung в области DRAM, NAND и корпоративных хранилищ.
zHBM: память над ускорителем
Главной новинкой стала zHBM (vertical HBM) - архитектура, в которой высокоскоростная память размещается вертикально непосредственно над ИИ-ускорителем (xPU), а не рядом с ним, как в традиционных решениях. Буква «z» в названии, очевидно, означает использование вертикальной оси (Z) для трёхмерной компоновки.
По оценкам Samsung, интерфейс следующего поколения на базе zHBM обеспечит примерно прирост производительности x8 по сравнению с HBM5. Благодаря технологии склеивания пластин (wafer bonding) достигается рост плотности памяти более чем x10, а также повышение энергоэффективности x3 и снижение теплового сопротивления более чем в 2 раза. Кроме того, zHBM поддерживает интеграцию заказных IP-блоков в промежуточный слой между памятью и ускорителем, что позволяет расширять ёмкость и адаптировать архитектуру под конкретные задачи.
zNAND-O: для периферийного ИИ
Второй концепт - zNAND-O - высокопроизводительное NAND-решение на базе V-NAND, оптимизированное для периферийных (edge) ИИ-сред. Буква «O» означает ориентацию на on-device AI - обработку данных непосредственно на устройстве. Решение разрабатывается в четырёх- и восьмислойной конфигурациях и сочетает высокую пространственную эффективность, улучшенную скорость ввода-вывода и низкую задержку для поддержки ресурсоёмких приложений реального времени.
V10 BV-NAND: более 400 слоёв
Кроме того, Samsung впервые продемонстрировала V10 BV-NAND - 10-е поколение вертикальной NAND-памяти с новой архитектурой склеивания пластин (Bonding V-NAND) и более чем 400 слоями. Это первая в отрасли V-NAND, преодолевшая рубеж в 400 слоёв. Плотность хранения увеличена примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, при этом улучшены производительность чтения/записи и энергоэффективность.
Рынок памяти: $1 трлн в 2026 году
Samsung конкурирует с SK Hynix и Micron за лидерство на рынке памяти и выгодные контракты с ИИ-гигантами. Во втором квартале 2026 года Samsung зафиксировала рекордную операционную прибыль, чему способствовали продажи памяти.
По данным Counterpoint Research, глобальная выручка от продаж полупроводниковой памяти в 2026 году достигнет около $975 млрд - $1 трлн, что в 4,2 раза больше, чем в 2025 году ($360 трлн вон). Драйвером роста выступает беспрецедентный спрос со стороны ИИ-дата-центров на фоне ограниченного предложения. Samsung также раскрыла, что долгосрочные контракты с клиентами могут составить 60–70% её продаж памяти.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3❤2🤣1
🇺🇸 Геополитика и микроэлектроника. Производство поликремния. США
Трамп ввел 15% пошлину на поликремний в рамках борьбы с доминированием Китая в этом сегменте
6 августа 2026 года в США подписан указ о введении 15% пошлины на импорт поликристаллического кремния (поликремния) и продукции из него. Одновременно установлены минимальные импортные цены: $21 за кг поликремния и $100 за кг готовой продукции из него. Документ подписан в рамках расследования Минторга США о рисках для нацбезопасности в рамках цепочки поставок поликремния.
Пошлины вступят в силу через 120 дней - 4 декабря 2026 года. Указ также предусматривает механизм предотвращения накопления запасов в ожидании введения пошлин: Таможенно-пограничная служба США получила полномочия ограничивать импорт при подозрении в попытках уклониться от уплаты новых пошлин. Кроме того, министру торговли поручено разработать программу стимулирования для компаний, строящих или расширяющих производство поликремния в США.
Поликремний - сырьё для полупроводников и солнечных панелей. Китай контролирует более 90% мирового производства этого материала, тогда как доля США упала с 50% в 2005 году до менее 2%. Как заявил министр торговли Говард Лутник, новые меры должны перенести цепь поставок в США.
Посольство КНР в Вашингтоне заявило, что США «злоупотребляют государственной властью для атак на китайский бизнес», а протекционизм «не сделает США более конкурентоспособными». Китайские эксперты назвали меры протекционистскими и предупредили о росте издержек для американских производителей и отрасли солнечной электроэнергетики.
В России есть собственное производство поликремния, но оно не обеспечивает потребностей страны, во многом потому, что сталкивается с проблемами из-за демпингового импорта из Китая, которое делает российское производство мало конкурентным.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Трамп ввел 15% пошлину на поликремний в рамках борьбы с доминированием Китая в этом сегменте
6 августа 2026 года в США подписан указ о введении 15% пошлины на импорт поликристаллического кремния (поликремния) и продукции из него. Одновременно установлены минимальные импортные цены: $21 за кг поликремния и $100 за кг готовой продукции из него. Документ подписан в рамках расследования Минторга США о рисках для нацбезопасности в рамках цепочки поставок поликремния.
Пошлины вступят в силу через 120 дней - 4 декабря 2026 года. Указ также предусматривает механизм предотвращения накопления запасов в ожидании введения пошлин: Таможенно-пограничная служба США получила полномочия ограничивать импорт при подозрении в попытках уклониться от уплаты новых пошлин. Кроме того, министру торговли поручено разработать программу стимулирования для компаний, строящих или расширяющих производство поликремния в США.
Поликремний - сырьё для полупроводников и солнечных панелей. Китай контролирует более 90% мирового производства этого материала, тогда как доля США упала с 50% в 2005 году до менее 2%. Как заявил министр торговли Говард Лутник, новые меры должны перенести цепь поставок в США.
Посольство КНР в Вашингтоне заявило, что США «злоупотребляют государственной властью для атак на китайский бизнес», а протекционизм «не сделает США более конкурентоспособными». Китайские эксперты назвали меры протекционистскими и предупредили о росте издержек для американских производителей и отрасли солнечной электроэнергетики.
В России есть собственное производство поликремния, но оно не обеспечивает потребностей страны, во многом потому, что сталкивается с проблемами из-за демпингового импорта из Китая, которое делает российское производство мало конкурентным.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍1
🇷🇺 Измерительное оборудование. Электронные микроскопы. Россия
В ЗНТЦ займутся разработкой опытного образца сканирующего электронного микроскопа для контроля чипов
Об этом сообщает CNews. Оборудование типа CD-SEM должно позволять контролировать и измерять размеры элементов, сформированных на поверхности подложек - пластин диаметром 100, 150 и 200 мм.
Российская разработка, как ожидается, сможет заменить японские установки Hitachi CD-SEM S-9380 и CG4000.
Как и в других подобных случаях, критические узлы должны быть отечественными (электронная пушка, электронно-оптическая колонна, рабочая камера, вакуумные насосы, механизм загрузки-выгрузки пластин, центральный контроллер и программное обеспечение).
Сумма контракта - 2,37 млрд. Срок исполнения - до 30 июня 2030 года.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В ЗНТЦ займутся разработкой опытного образца сканирующего электронного микроскопа для контроля чипов
Об этом сообщает CNews. Оборудование типа CD-SEM должно позволять контролировать и измерять размеры элементов, сформированных на поверхности подложек - пластин диаметром 100, 150 и 200 мм.
Российская разработка, как ожидается, сможет заменить японские установки Hitachi CD-SEM S-9380 и CG4000.
Как и в других подобных случаях, критические узлы должны быть отечественными (электронная пушка, электронно-оптическая колонна, рабочая камера, вакуумные насосы, механизм загрузки-выгрузки пластин, центральный контроллер и программное обеспечение).
Сумма контракта - 2,37 млрд. Срок исполнения - до 30 июня 2030 года.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍8🔥2❤1👀1
🇰🇷 Производство памяти. Крупнейшие участники рынка. Инвестиции. Корея
SK Hynix инвестирует $38,3 млрд (54.3 трлн вон) в 2 новых фаба в Южной Корее
Это решение является частью более широкой долгосрочной стратегии компании, предусматривающей вложение 600 трлн вон в полупроводниковый кластер в Йонгине и 100 трлн вон в расширение производства в Чхонджу.
На завод Y2 в Йонгине будет направлено 35,2 трлн вон ($24,8 млрд) - это примерно две трети от общего бюджета. Y2 станет вторым из четырёх заводов в кластере Йонгина и будет производить DRAM и HBM для ИИ-серверов. Строительство начнётся в июле 2027 года, первая чистая комната должна заработать в июне 2029 года.
Ещё 19,1 трлн вон ($13,5 млрд) будут вложены в фаб M17 в Чхонджу, который будет выпускать память NAND-флеш. Строительство M17 начнётся раньше - в феврале 2027 года, а первая чистая комната откроется в декабре 2028 года.
Чхонджу выбран потому, что там уже работают заводы M11, M12 и M15 компании, что позволяет эффективно использовать существующую инфраструктуру.
SK Hynix намерена ускорить готовность всех четырёх фабов в кластере Йонгина, передвинув сроки полной готовности с 2045 года на 2033 год. При этом инфраструктура первой очереди кластера (энергоснабжение, водоснабжение) уже готова на 99%.
Генеральный директор SK Hynix предупредил, что 2027 год окажется годом наиболее серьёзного дефицита памяти в истории отрасли, спрос будет опережать производственные мощности как минимум до 2030 года. Компания рассматривает текущий рост спроса не как временный цикл, а как структурный сдвиг, в котором память стала ядром ИИ-инфраструктуры.
Во втором квартале 2026 года SK Hynix отчиталась о рекордной операционной прибыли в 60,54 трлн вон - рост на 557% год к году.
Конкурентная картина
Инвестиции SK Hynix - часть трёхсторонней гонки, в которую включились все крупнейшие производители памяти (впрочем, не стоит забывать и об активных китайских попытках выхода на этот рынок).
🇰🇷 Samsung Electronics остаётся лидером по масштабу. На 2026 год компания анонсировала инвестиции свыше $70 млрд в расширение производственных мощностей и НИОКР. В более долгосрочной перспективе Samsung планирует вложить 2 100 трлн вон в производство чипов до 2040 года. Вместе с SK Hynix компании также совместно инвестируют 800 трлн вон ($518 млрд) в создание нового полупроводникового хаба на юго-западе Кореи. По доле рынка Samsung лидирует с 38%, SK Hynix занимает второе место с 29%.
🇺🇸 Micron Technology - третий участник рынка и крупнейший производитель памяти в США. Компания планирует потратить около $27 млрд капитальных расходов в 2026 финансовом году с дальнейшим ростом в 2027-м. Мощности Micron по выпуску HBM полностью распроданы до конца 2026 года, а компания не ожидает, что предложение догонит спрос раньше 2028 года. Доля Micron на рынке оценивается в 22%.
SK Hynix с инвестициями $38 млрд находится между более масштабными ($70 млрд+) вложениями Samsung и более скромными ($27 млрд) расходами Micron, но опережает обоих по темпам роста операционной прибыли и занимает прочную позицию в сегменте HBM для ИИ.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
SK Hynix инвестирует $38,3 млрд (54.3 трлн вон) в 2 новых фаба в Южной Корее
Это решение является частью более широкой долгосрочной стратегии компании, предусматривающей вложение 600 трлн вон в полупроводниковый кластер в Йонгине и 100 трлн вон в расширение производства в Чхонджу.
На завод Y2 в Йонгине будет направлено 35,2 трлн вон ($24,8 млрд) - это примерно две трети от общего бюджета. Y2 станет вторым из четырёх заводов в кластере Йонгина и будет производить DRAM и HBM для ИИ-серверов. Строительство начнётся в июле 2027 года, первая чистая комната должна заработать в июне 2029 года.
Ещё 19,1 трлн вон ($13,5 млрд) будут вложены в фаб M17 в Чхонджу, который будет выпускать память NAND-флеш. Строительство M17 начнётся раньше - в феврале 2027 года, а первая чистая комната откроется в декабре 2028 года.
Чхонджу выбран потому, что там уже работают заводы M11, M12 и M15 компании, что позволяет эффективно использовать существующую инфраструктуру.
SK Hynix намерена ускорить готовность всех четырёх фабов в кластере Йонгина, передвинув сроки полной готовности с 2045 года на 2033 год. При этом инфраструктура первой очереди кластера (энергоснабжение, водоснабжение) уже готова на 99%.
Генеральный директор SK Hynix предупредил, что 2027 год окажется годом наиболее серьёзного дефицита памяти в истории отрасли, спрос будет опережать производственные мощности как минимум до 2030 года. Компания рассматривает текущий рост спроса не как временный цикл, а как структурный сдвиг, в котором память стала ядром ИИ-инфраструктуры.
Во втором квартале 2026 года SK Hynix отчиталась о рекордной операционной прибыли в 60,54 трлн вон - рост на 557% год к году.
Конкурентная картина
Инвестиции SK Hynix - часть трёхсторонней гонки, в которую включились все крупнейшие производители памяти (впрочем, не стоит забывать и об активных китайских попытках выхода на этот рынок).
🇰🇷 Samsung Electronics остаётся лидером по масштабу. На 2026 год компания анонсировала инвестиции свыше $70 млрд в расширение производственных мощностей и НИОКР. В более долгосрочной перспективе Samsung планирует вложить 2 100 трлн вон в производство чипов до 2040 года. Вместе с SK Hynix компании также совместно инвестируют 800 трлн вон ($518 млрд) в создание нового полупроводникового хаба на юго-западе Кореи. По доле рынка Samsung лидирует с 38%, SK Hynix занимает второе место с 29%.
🇺🇸 Micron Technology - третий участник рынка и крупнейший производитель памяти в США. Компания планирует потратить около $27 млрд капитальных расходов в 2026 финансовом году с дальнейшим ростом в 2027-м. Мощности Micron по выпуску HBM полностью распроданы до конца 2026 года, а компания не ожидает, что предложение догонит спрос раньше 2028 года. Доля Micron на рынке оценивается в 22%.
SK Hynix с инвестициями $38 млрд находится между более масштабными ($70 млрд+) вложениями Samsung и более скромными ($27 млрд) расходами Micron, но опережает обоих по темпам роста операционной прибыли и занимает прочную позицию в сегменте HBM для ИИ.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤2🤣1
🇺🇸 Чипы ИИ. Участники рынка. США
Anthropic подтвердила создание собственной команды разработчиков микросхем для Claude
Компания Anthropic официально подтвердила, что формирует внутреннюю команду по разработке «кастомного кремния» для создания специализированных чипов под свои модели ИИ Claude.
Это публичное подтверждение планов компании по разработке собственных процессоров. Как сообщили в Anthropic изданию Business Insider, целью является повышение производительности и эффективности моделей на фоне растущего спроса.
В компании подчеркнули, что не намерены отказываться от существующих поставщиков. Anthropic будет придерживаться «мультичиповой стратегии» (multi-chip strategy), продолжая использовать решения AWS (Trainium), Google (TPU), Nvidia и AMD. Создание собственной команды инженеров с опытом работы на всех уровнях стека позволит компании разрабатывать оборудование и модели в тесной связке.
Ранее, в июле 2026 года, СМИ сообщали, что Anthropic ведёт переговоры с Samsung Electronics о возможном производстве своих чипов с использованием 2-нм техпроцесса Samsung Foundry. В апреле 2026 года Reuters также сообщало, что Anthropic изучает возможность создания собственных чипов.
Компания ведет найм специалистов – в объявлении о вакансии для инженеров по разработке чипов указан диапазон заработной платы от $320 тысяч до $485 тысяч в год (от 2,17 млн до 3,29 млн рублей в месяц – в России я о таких зарплатах для инженеров не слышал).
Компания ищет специалистов в области архитектуры, верификации, физического проектирования, производства и упаковки чипов.
Если планы Anthropic по созданию собственных чипов будут реализованы, компания пополнит растущий список игроков, разрабатывающих собственные процессоры для ИИ: OpenAI (проект Jápadá, партнёрство с Broadcom), Google (чип Frozen v2 для Gemini) и Amazon (собственные чипы Trainium и Inferentia).
А что у нас?
Яндекс на данный момент не анонсировал разработку собственных ИИ-чипов. Компания обучает свои модели на суперкомпьютерах, построенных на GPU Nvidia (H100, A100). Пополнять парк новейшими американскими чипами стало сложно. Возможная перспектива – использование китайских чипов.
Сбер показывал прототип фотонного чипа на ранней стадии, но это пока что, скорее, научно-исследовательская разработка, а не серийное изделие. В будущем компания, вероятно, будет использовать китайские чипы, но пока что их не применяет.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Anthropic подтвердила создание собственной команды разработчиков микросхем для Claude
Компания Anthropic официально подтвердила, что формирует внутреннюю команду по разработке «кастомного кремния» для создания специализированных чипов под свои модели ИИ Claude.
Это публичное подтверждение планов компании по разработке собственных процессоров. Как сообщили в Anthropic изданию Business Insider, целью является повышение производительности и эффективности моделей на фоне растущего спроса.
В компании подчеркнули, что не намерены отказываться от существующих поставщиков. Anthropic будет придерживаться «мультичиповой стратегии» (multi-chip strategy), продолжая использовать решения AWS (Trainium), Google (TPU), Nvidia и AMD. Создание собственной команды инженеров с опытом работы на всех уровнях стека позволит компании разрабатывать оборудование и модели в тесной связке.
Ранее, в июле 2026 года, СМИ сообщали, что Anthropic ведёт переговоры с Samsung Electronics о возможном производстве своих чипов с использованием 2-нм техпроцесса Samsung Foundry. В апреле 2026 года Reuters также сообщало, что Anthropic изучает возможность создания собственных чипов.
Компания ведет найм специалистов – в объявлении о вакансии для инженеров по разработке чипов указан диапазон заработной платы от $320 тысяч до $485 тысяч в год (от 2,17 млн до 3,29 млн рублей в месяц – в России я о таких зарплатах для инженеров не слышал).
Компания ищет специалистов в области архитектуры, верификации, физического проектирования, производства и упаковки чипов.
Если планы Anthropic по созданию собственных чипов будут реализованы, компания пополнит растущий список игроков, разрабатывающих собственные процессоры для ИИ: OpenAI (проект Jápadá, партнёрство с Broadcom), Google (чип Frozen v2 для Gemini) и Amazon (собственные чипы Trainium и Inferentia).
А что у нас?
Яндекс на данный момент не анонсировал разработку собственных ИИ-чипов. Компания обучает свои модели на суперкомпьютерах, построенных на GPU Nvidia (H100, A100). Пополнять парк новейшими американскими чипами стало сложно. Возможная перспектива – использование китайских чипов.
Сбер показывал прототип фотонного чипа на ранней стадии, но это пока что, скорее, научно-исследовательская разработка, а не серийное изделие. В будущем компания, вероятно, будет использовать китайские чипы, но пока что их не применяет.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
🙈4✍2❤1👍1
🇹🇼 Вести из лабораторий. Перспективные материалы. MoS₂. Тайвань
TSMC продемонстрировала однослойный транзистор MoS₂ с верхним затвором
TSMC совместно с тайваньским Национальным университетом Ян Мин Цзяо Тун (NYCU) разработала top-gate транзистор на основе однослойного дисульфида молибдена (MoS₂). Результаты исследования опубликованы в журнале Nature Electronics.
Пока речь идет о лабораторной демонстрации, однако работа представляет интерес для дальнейшего масштабирования транзисторов в субнанометровый диапазон. Толщина монослоя MoS₂ составляет всего около 0,7 нм, что обеспечивает сильный электростатический контроль канала со стороны затвора.
Главная проблема при создании таких транзисторов - формирование чрезвычайно тонкого и качественного диэлектрика непосредственно на поверхности 2D-материала. Обычные методы осаждения могут приводить к появлению дефектов на интерфейсе, а при уменьшении толщины диэлектрика усиливается рассеяние носителей заряда, что ухудшает характеристики транзистора.
TSMC и NYCU предложили решить эту проблему с помощью эпитаксиального интерфейса. В условиях сверхвысокого вакуума непосредственно на MoS₂ нанесли тонкий слой алюминия, который затем окислили. В результате сформировался сверхтонкий слой Al₂O₃, после чего поверх него был сформирован основной high-k диэлектрик из HfO₂.
Получившаяся структура позволила сформировать затвор с эквивалентной толщиной диэлектрика (EOT) около 1 нм и при этом сохранить хорошие электрические характеристики. В частности, исследователи получили крутизну характеристики транзистора около 0,45 мСм/мкм без существенного ухудшения подвижности носителей из-за воздействия диэлектрика.
Это важно не столько само по себе как рекорд лабораторного транзистора, сколько как решение одной из ключевых проблем будущих 2D-транзисторов: как сформировать ультратонкий high-k диэлектрик на атомарно тонком канале, не разрушив его электрические свойства.
🔹 От лаборатории - к 300-мм пластинам
Работа TSMC и NYCU вписывается в более широкий тренд по переходу 2D-транзисторов от отдельных лабораторных образцов к технологиям, совместимым с промышленным производством.
Еще один важный результат был получен в июне 2026 года: imec совместно с ASML и TSMC продемонстрировал на 300-мм кремниевой пластине интеграцию транзисторов с каналами из 2D-материалов. Были сформированы nFET на MoS₂ и pFET на основе других переходных дихалькогенидов металлов - WS₂/WSe₂. В процессе использовалась EUV-литография.
Это пока также не означает готовности технологии к массовому производству. Однако результат показывает, что 2D-материалы уже начинают рассматриваться не только как объект фундаментальных исследований, но и с точки зрения 300-мм технологического процесса и интеграции в производственную цепочку.
Атомарно тонкие материалы вроде MoS₂ рассматриваются как один из возможных путей дальнейшего масштабирования логических транзисторов. Они особенно интересны для будущих архитектур CFET (Complementary Field-Effect Transistor), в которых n- и p-транзисторы располагаются вертикально друг над другом.
При этом связывать конкретный транзистор из новой работы TSMC/NYCU непосредственно с «0,7-нм техпроцессом» пока неправильно. 0,7 нм в данном случае - прежде всего толщина монослоя MoS₂, тогда как обозначение технологического узла не соответствует физической длине затвора.
Тем не менее сочетание двух результатов — атомарно тонкого канала и продемонстрированной ранее 300-мм интеграции 2D-транзисторов - показывает, почему MoS₂ и другие 2D-материалы становятся одним из наиболее интересных кандидатов для следующего этапа масштабирования полупроводниковой электроники.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
TSMC продемонстрировала однослойный транзистор MoS₂ с верхним затвором
TSMC совместно с тайваньским Национальным университетом Ян Мин Цзяо Тун (NYCU) разработала top-gate транзистор на основе однослойного дисульфида молибдена (MoS₂). Результаты исследования опубликованы в журнале Nature Electronics.
Пока речь идет о лабораторной демонстрации, однако работа представляет интерес для дальнейшего масштабирования транзисторов в субнанометровый диапазон. Толщина монослоя MoS₂ составляет всего около 0,7 нм, что обеспечивает сильный электростатический контроль канала со стороны затвора.
Главная проблема при создании таких транзисторов - формирование чрезвычайно тонкого и качественного диэлектрика непосредственно на поверхности 2D-материала. Обычные методы осаждения могут приводить к появлению дефектов на интерфейсе, а при уменьшении толщины диэлектрика усиливается рассеяние носителей заряда, что ухудшает характеристики транзистора.
TSMC и NYCU предложили решить эту проблему с помощью эпитаксиального интерфейса. В условиях сверхвысокого вакуума непосредственно на MoS₂ нанесли тонкий слой алюминия, который затем окислили. В результате сформировался сверхтонкий слой Al₂O₃, после чего поверх него был сформирован основной high-k диэлектрик из HfO₂.
Получившаяся структура позволила сформировать затвор с эквивалентной толщиной диэлектрика (EOT) около 1 нм и при этом сохранить хорошие электрические характеристики. В частности, исследователи получили крутизну характеристики транзистора около 0,45 мСм/мкм без существенного ухудшения подвижности носителей из-за воздействия диэлектрика.
Это важно не столько само по себе как рекорд лабораторного транзистора, сколько как решение одной из ключевых проблем будущих 2D-транзисторов: как сформировать ультратонкий high-k диэлектрик на атомарно тонком канале, не разрушив его электрические свойства.
🔹 От лаборатории - к 300-мм пластинам
Работа TSMC и NYCU вписывается в более широкий тренд по переходу 2D-транзисторов от отдельных лабораторных образцов к технологиям, совместимым с промышленным производством.
Еще один важный результат был получен в июне 2026 года: imec совместно с ASML и TSMC продемонстрировал на 300-мм кремниевой пластине интеграцию транзисторов с каналами из 2D-материалов. Были сформированы nFET на MoS₂ и pFET на основе других переходных дихалькогенидов металлов - WS₂/WSe₂. В процессе использовалась EUV-литография.
Это пока также не означает готовности технологии к массовому производству. Однако результат показывает, что 2D-материалы уже начинают рассматриваться не только как объект фундаментальных исследований, но и с точки зрения 300-мм технологического процесса и интеграции в производственную цепочку.
Атомарно тонкие материалы вроде MoS₂ рассматриваются как один из возможных путей дальнейшего масштабирования логических транзисторов. Они особенно интересны для будущих архитектур CFET (Complementary Field-Effect Transistor), в которых n- и p-транзисторы располагаются вертикально друг над другом.
При этом связывать конкретный транзистор из новой работы TSMC/NYCU непосредственно с «0,7-нм техпроцессом» пока неправильно. 0,7 нм в данном случае - прежде всего толщина монослоя MoS₂, тогда как обозначение технологического узла не соответствует физической длине затвора.
Тем не менее сочетание двух результатов — атомарно тонкого канала и продемонстрированной ранее 300-мм интеграции 2D-транзисторов - показывает, почему MoS₂ и другие 2D-материалы становятся одним из наиболее интересных кандидатов для следующего этапа масштабирования полупроводниковой электроники.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍4🔥1🤣1
🇻🇳 🇺🇸 Международное сотрудничество. Страны-участницы "клуба производителей микроэлектроники". Вьетнам. США
Почему в США выбрали Вьетнам в качестве одной и стран-участниц программы международной технологической безопасности и инноваций (ITSI) в рамках Закона CHIPS
Вьетнам уже обладал промышленной базой в области полупроводников и электроники до запуска программы ITSI в 2023 году, а за последнее 10 лет Вьетнам привлек на свой рынок целый ряд ведущих американских компаний-производителей полупроводников. В частности, Intel Products Vietnam – один из крупнейших в мире сборочных и испытательных центров Intel. Инженерные и исследовательские центры создали во Вьетнаме такие компании как Synopsys, Cadence, Marvell и Qualcomm. В стране также сформирована экосистема производства электроники, в которой участвуют такие корпорации, как Samsung, Foxconn, LG и многие другие.
Выбор Вьетнама соответствует целям диверсификации и повышения устойчивости поставок полупроводников. Цель США – не вернуть все производство полупроводников на свою территорию, а создать сеть надежных партнеров, «разделяющих ценности прозрачности и безопасности цепочки поставок и технологического сотрудничества». В этом плане США поддерживают все активности Вьетнама, кроме непосредственно производства полупроводников – сборку, тестирование, упаковку и проектирование. Это призвано сохранять за США ключевые технологии, но при этом снижает концентрацию глобальной цепочки поставок.
Вьетнам – одно из наиболее привлекательных направлений инвестирования, поскольку может предоставить конкурентоспособную стоимость рабочей силы, стабильную политическую обстановку, неплохое географическое положение и доступ к ряду рынков за счет соглашений о свободной торговле. Кроме того, Вьетнам ежегодно готовит десятки тысяч инженеров в области электроники, ИТ и машиностроения. И хотя число высококвалифицированных инженеров в области полупроводников в стране невелико, есть немало молодых специалистов с хорошей математической базой, экспертизой в области ПО. Вьетнам продолжает развивать поддержку инженерного образования, в том числе, за счет создания новых лабораторий и укрепления сотрудничества между университетами и предприятиями.
Геополитически факторы включают повышение статуса вьетнамско-американских отношений до уровня стратегического партнерства в 2023 году, при этом ключевым направлением является сотрудничество в области полупроводниковой промышленности. Кроме того, наблюдается твердая приверженность правительства Вьетнама политике развития полупроводниковой промышленности в стране. Во Вьетнаме в последние годы относятся к полупроводникам, как к стратегически важному технологическому сектору, стремясь создавать центры проектирования микросхем, привлекать иностранные инвестиции и развивать отечественный полупроводниковый бизнес.
Для Вьетнама участие в ITSI открывает возможность доступа к ресурсам, знаниям, технологиям и ведущим мировым деловым сетям, что позволит этой стране усилить свои позиции на рынке полупроводников с его стратегической важностью. Другие страны, охваченные взаимодействием с Международным фондом технологической безопасности и инноваций (ITSI) – это, например, Коста-Рика, Мексика, Филиппины, Индонезия и другие.
((по материалам Вьетнам.vn))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Почему в США выбрали Вьетнам в качестве одной и стран-участниц программы международной технологической безопасности и инноваций (ITSI) в рамках Закона CHIPS
Вьетнам уже обладал промышленной базой в области полупроводников и электроники до запуска программы ITSI в 2023 году, а за последнее 10 лет Вьетнам привлек на свой рынок целый ряд ведущих американских компаний-производителей полупроводников. В частности, Intel Products Vietnam – один из крупнейших в мире сборочных и испытательных центров Intel. Инженерные и исследовательские центры создали во Вьетнаме такие компании как Synopsys, Cadence, Marvell и Qualcomm. В стране также сформирована экосистема производства электроники, в которой участвуют такие корпорации, как Samsung, Foxconn, LG и многие другие.
Выбор Вьетнама соответствует целям диверсификации и повышения устойчивости поставок полупроводников. Цель США – не вернуть все производство полупроводников на свою территорию, а создать сеть надежных партнеров, «разделяющих ценности прозрачности и безопасности цепочки поставок и технологического сотрудничества». В этом плане США поддерживают все активности Вьетнама, кроме непосредственно производства полупроводников – сборку, тестирование, упаковку и проектирование. Это призвано сохранять за США ключевые технологии, но при этом снижает концентрацию глобальной цепочки поставок.
Вьетнам – одно из наиболее привлекательных направлений инвестирования, поскольку может предоставить конкурентоспособную стоимость рабочей силы, стабильную политическую обстановку, неплохое географическое положение и доступ к ряду рынков за счет соглашений о свободной торговле. Кроме того, Вьетнам ежегодно готовит десятки тысяч инженеров в области электроники, ИТ и машиностроения. И хотя число высококвалифицированных инженеров в области полупроводников в стране невелико, есть немало молодых специалистов с хорошей математической базой, экспертизой в области ПО. Вьетнам продолжает развивать поддержку инженерного образования, в том числе, за счет создания новых лабораторий и укрепления сотрудничества между университетами и предприятиями.
Геополитически факторы включают повышение статуса вьетнамско-американских отношений до уровня стратегического партнерства в 2023 году, при этом ключевым направлением является сотрудничество в области полупроводниковой промышленности. Кроме того, наблюдается твердая приверженность правительства Вьетнама политике развития полупроводниковой промышленности в стране. Во Вьетнаме в последние годы относятся к полупроводникам, как к стратегически важному технологическому сектору, стремясь создавать центры проектирования микросхем, привлекать иностранные инвестиции и развивать отечественный полупроводниковый бизнес.
Для Вьетнама участие в ITSI открывает возможность доступа к ресурсам, знаниям, технологиям и ведущим мировым деловым сетям, что позволит этой стране усилить свои позиции на рынке полупроводников с его стратегической важностью. Другие страны, охваченные взаимодействием с Международным фондом технологической безопасности и инноваций (ITSI) – это, например, Коста-Рика, Мексика, Филиппины, Индонезия и другие.
((по материалам Вьетнам.vn))
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤6👍1👏1🤔1
🇷🇺 Штрафы. Импортзамещение. Участники рынка. Разработка микросхем. Россия
Минпромторг оштрафовал АО НТЦ Модуль на 290 млн за срыв разработки радстойкого процессора
Об этом на днях сообщил CNews. Разрабатывали импортзамещающую микросхему на замену британской E2V PC7448. Любопытно, что штраф «догнал» компанию спустя годы. Работы нужно было сдать в 2019 году, задержка по контракту на 603,7 млн составила менее года, тем не менее, пени за просрочку достигли 285,18 млн, а общая сумма штрафа – 290 млн.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Минпромторг оштрафовал АО НТЦ Модуль на 290 млн за срыв разработки радстойкого процессора
Об этом на днях сообщил CNews. Разрабатывали импортзамещающую микросхему на замену британской E2V PC7448. Любопытно, что штраф «догнал» компанию спустя годы. Работы нужно было сдать в 2019 году, задержка по контракту на 603,7 млн составила менее года, тем не менее, пени за просрочку достигли 285,18 млн, а общая сумма штрафа – 290 млн.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
❤2🤔2🤨1
🇱🇦 🇷🇺 Российская электроника. Планшеты. Экспорт. Лаос. Россия
В Лаосе протестируют российские планшеты
В Лаосе стартует пилотный проект по внедрению российских планшетов KVADRA_T с операционной системой Astra Linux Mobile в государственном секторе. Устройствами оснастят Министерство финансов страны и офис премьер‑министра. Планшеты предназначены для работы с документами, корпоративными сервисами и периферией - их рассматривают как мобильные рабочие места для госслужащих.
Astra Linux Mobile обеспечивает совместимость KVADRA_T с более чем 300 российскими программными продуктами и различными периферийными устройствами. Для государственных структур это важно: нужно, чтобы техника стабильно работала в защищённом ИТ‑контуре организации, была управляемой и готовой к типовым рабочим задачам. Насколько это актуально для Лаоса?
По итогам пилотного проекта стороны планируют оценить результаты использования планшетов и определить дальнейшие направления технологического сотрудничества.
В 4q2026 планируется поставка второй партии планшетов компании в Лаос.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
В Лаосе протестируют российские планшеты
В Лаосе стартует пилотный проект по внедрению российских планшетов KVADRA_T с операционной системой Astra Linux Mobile в государственном секторе. Устройствами оснастят Министерство финансов страны и офис премьер‑министра. Планшеты предназначены для работы с документами, корпоративными сервисами и периферией - их рассматривают как мобильные рабочие места для госслужащих.
Astra Linux Mobile обеспечивает совместимость KVADRA_T с более чем 300 российскими программными продуктами и различными периферийными устройствами. Для государственных структур это важно: нужно, чтобы техника стабильно работала в защищённом ИТ‑контуре организации, была управляемой и готовой к типовым рабочим задачам. Насколько это актуально для Лаоса?
«Для нас это пилотный проект, который позволит иностранным партнерам на практике оценить связку KVADRA_T и Astra Linux Mobile. Ранее устройства KVADRA уже применялись в B2B- и B2G-проектах в России, и передача планшетов в Лаос стала следующим шагом в работе с государственным сектором. Для таких заказчиков важны совместимость оборудования и программного обеспечения, управляемость устройств и готовность решения к конкретным рабочим задачам», - отметил Дмитрий Черкасов, генеральный директор KVADRA.
«В государственном секторе мобильные устройства должны корректно работать в защищенном ИТ-контуре организации. Astra Linux Mobile включает встроенные средства защиты информации, а также поддерживает сторонние решения антивирусной и криптографической защиты. В сочетании с аппаратной платформой KVADRA_T – это высокопроизводительное и современное решение, которое достойно представит российские технологии в рамках пилотного проекта», - отметил Михаил Геллерман, директор управления операционных систем «Группы Астра».
По итогам пилотного проекта стороны планируют оценить результаты использования планшетов и определить дальнейшие направления технологического сотрудничества.
В 4q2026 планируется поставка второй партии планшетов компании в Лаос.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍8❤5
🇺🇸 Чипы ИИ. Крупнейшие производители. США
Microsoft планирует представить новый чип ИИ в сентябре 2026 года
Компания Microsoft планирует представить чип Maia 300 для ИИ, возможно, через месяц. Предыдущий, Maia AI был представлен в ноябре 2023 года, но она отстает от Alphabet и Amazon, в наращивании собственных разработок чипов ИИ, чтобы снизить зависимость от дорогих процессоров Nvidia.
Google начала получать доход от прямых продаж своих специализированных чипов для ИИ (Tensor Processing Units) летом 2026 года. Amazon также наблюдает рост использования своих процессоров, включая Tranium.
По данным источника, Microsoft ведет переговоры с TSMC, чтобы зарезервировать производственные мощности для выпуска более 300 тысяч микросхем с поставкой в 2027 году. Компания стремится значительно нарастить производство и убедить крупных облачных клиентов, как Anthropic, внедрить этот чип.
В конечном итоге Microsoft стремится обеспечить производственные мощности для более чем 1 миллиона чипов Maia 300, хотя сложности с поставкой компонентов и незавершенные переговоры с TSMC о производственных мощностях могут ограничить ее планы.
В январе 2026 года компания представила свои чипы второго поколения Maia 200, разработанные TSMC с использованием техпроцесса 3нм. Особенность чипов Microsoft – значительный объем SRAM – этот тип памяти может обеспечить преимущества в скорости для систем ИИ, обрабатывающих большое количество запросов пользователей.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Microsoft планирует представить новый чип ИИ в сентябре 2026 года
Компания Microsoft планирует представить чип Maia 300 для ИИ, возможно, через месяц. Предыдущий, Maia AI был представлен в ноябре 2023 года, но она отстает от Alphabet и Amazon, в наращивании собственных разработок чипов ИИ, чтобы снизить зависимость от дорогих процессоров Nvidia.
Google начала получать доход от прямых продаж своих специализированных чипов для ИИ (Tensor Processing Units) летом 2026 года. Amazon также наблюдает рост использования своих процессоров, включая Tranium.
По данным источника, Microsoft ведет переговоры с TSMC, чтобы зарезервировать производственные мощности для выпуска более 300 тысяч микросхем с поставкой в 2027 году. Компания стремится значительно нарастить производство и убедить крупных облачных клиентов, как Anthropic, внедрить этот чип.
В конечном итоге Microsoft стремится обеспечить производственные мощности для более чем 1 миллиона чипов Maia 300, хотя сложности с поставкой компонентов и незавершенные переговоры с TSMC о производственных мощностях могут ограничить ее планы.
В январе 2026 года компания представила свои чипы второго поколения Maia 200, разработанные TSMC с использованием техпроцесса 3нм. Особенность чипов Microsoft – значительный объем SRAM – этот тип памяти может обеспечить преимущества в скорости для систем ИИ, обрабатывающих большое количество запросов пользователей.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
👍3❤1
🇰🇷 Геополитика и микроэлектроника. Корея
Корея запускает фонд на $3.5 млрд для укрепления цепочки поставок полупроводников
Правительство Кореи объявило о создании нового специализированного фонда для поддержки предприятий полупроводниковой отрасли объемом 5 трлн вон (около $3.5 млрд).
Как планируется, фонд должен поддерживать перспективные компании, работающие в сегментах материалов, компонентов и производственного оборудования, а также безфабричных производителей микросхем.
Несмотря на мировое лидерство Samsung и SK Hynix на рынке производства памяти, Южная Корея остается критически зависимой от импорта специализированной химии, высокоточных компонентов и литографического оборудования, закупаемого, прежде всего в Нидерландах и в Японии. Эта уязвимость уже давала о себе знать в 2019 гожу, когда Япония вводила ограничения на экспорт в Корею фоторезистов. Новый фонд призван снизить зависимость Кореи от других стран, за счет создания в стране «полного промышленного контура» - от сырья до готовых материалов и компонентов.
Созданием фонда дело не ограничится. В рамках объемного пакета поддержки правительств Кореи выделит еще 5 трлн вон на финансирование экспортно-ориентированных поставщиков и запустит десятилетнюю программу на 1 трлн вон для стимулирования сотрудничества между крупными корпорациями и малыми предприятиями в области разработки, тестирования и производства. Также будет ускорен процесс принятия закона о «мега-спецзонах», который должен упростить выдачу разрешений и строительства инфраструктуры для новых полупроводниковых кластеров.
Меры стали частью более широкой инициативы, которую увязывают с президентом Ли Чжэ Мёном, которую он представил в июне 2026 года. В ее рамках Samsung Electronics и SK Hynix совместно с поставщиками и местными властями планируют инвестировать более $576 млрд в новые проекты по производству микросхем. Власти уже выделили территорию площадью 8.3 млн кв.м в районе Кванджу под создание национального промышленного комплекса (на этой земле сейчас расположена военная авиабаза, которую планируют переместить к 2028 году). Для нового кластера в регионе Хонам к 2030 году планируется обеспечить 650 тысяч тонн воды в сутки, а для флагманского кластера в Йонгине к 2041 году – 14.7 ГВт электроэнергии.
💎 Новость подтверждает общий геополитический тренд: всё больше стран стремятся укрепить внутренние цепочки поставок в полупроводниковой отрасли, рассматривая это как стратегическую необходимость. Корея, США, Китай, ЕС, Япония и Россия - все движутся в этом направлении, хотя полной автономии от глобального рынка пока не достигла ни одна страна. Корея, даже если все программы будут выполнены сохранит зависимость от зарубежных поставщиков оборудования – ASML, Nikon и Canon. Да и по части материалов надеяться на полную автономность вряд ли приходится.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Корея запускает фонд на $3.5 млрд для укрепления цепочки поставок полупроводников
Правительство Кореи объявило о создании нового специализированного фонда для поддержки предприятий полупроводниковой отрасли объемом 5 трлн вон (около $3.5 млрд).
Как планируется, фонд должен поддерживать перспективные компании, работающие в сегментах материалов, компонентов и производственного оборудования, а также безфабричных производителей микросхем.
Несмотря на мировое лидерство Samsung и SK Hynix на рынке производства памяти, Южная Корея остается критически зависимой от импорта специализированной химии, высокоточных компонентов и литографического оборудования, закупаемого, прежде всего в Нидерландах и в Японии. Эта уязвимость уже давала о себе знать в 2019 гожу, когда Япония вводила ограничения на экспорт в Корею фоторезистов. Новый фонд призван снизить зависимость Кореи от других стран, за счет создания в стране «полного промышленного контура» - от сырья до готовых материалов и компонентов.
Созданием фонда дело не ограничится. В рамках объемного пакета поддержки правительств Кореи выделит еще 5 трлн вон на финансирование экспортно-ориентированных поставщиков и запустит десятилетнюю программу на 1 трлн вон для стимулирования сотрудничества между крупными корпорациями и малыми предприятиями в области разработки, тестирования и производства. Также будет ускорен процесс принятия закона о «мега-спецзонах», который должен упростить выдачу разрешений и строительства инфраструктуры для новых полупроводниковых кластеров.
Меры стали частью более широкой инициативы, которую увязывают с президентом Ли Чжэ Мёном, которую он представил в июне 2026 года. В ее рамках Samsung Electronics и SK Hynix совместно с поставщиками и местными властями планируют инвестировать более $576 млрд в новые проекты по производству микросхем. Власти уже выделили территорию площадью 8.3 млн кв.м в районе Кванджу под создание национального промышленного комплекса (на этой земле сейчас расположена военная авиабаза, которую планируют переместить к 2028 году). Для нового кластера в регионе Хонам к 2030 году планируется обеспечить 650 тысяч тонн воды в сутки, а для флагманского кластера в Йонгине к 2041 году – 14.7 ГВт электроэнергии.
✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max
Please open Telegram to view this post
VIEW IN TELEGRAM
👍1