🇺🇸 Микроэлектроника. Искусственный интеллект. Платформы. SoC. Тренды. США
Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства
Nvidia анонсировала свою новую платформу на выставке Computex 2026, которую в целом можно свести к одной общей идее – ИИ массово идет на пользовательские устройства. Решение Nvidia послужит катализатором этого процесса, но и без того тема мейнстримовая, Nvidia – далеко не единственный участник рынка, который способствует движению в данную сторону.
Итак, что такое Nvidia RTX Spark – это SoC, созданная в сотрудничестве с MediaTek, произведенная по 3нм техпроцессу TSMC. В общем, без Тайваня, ее бы не было.
В составе платформы – 20-ядерный ARM-процессор Grace, и графический процессор Blackwell RTX с 6144-ядрами, с поддержкой всего, что создается под CUDA и тензорными ядрами. Заявленная производительность в терминах FP4 – до 1 Петафлопс.
За счет применения унифицированной памяти LPDDR5X с ее пропускной способностью до 300 ГБ/с емкостью до 128 ГБ, на платформе можно запускать LLM до 120 млрд параметров.
Первые устройства на базе RTX Spark, а это будут ноуты и мини-ПК от таких известных брендов, как Dell, HP, Lenovo, Sus, Acer и MSI появятся еще до конца 2026 года. Хочется верить, что хоть что-то из этого изобилия будет доступно и на подсанкционном и локализуемом российском рынке – было бы обидно оказаться в стороне от мейнстрима.
В целом выставка ясно дала понять: ИИ смещается от облачных серверов в сторону «физического ИИ». В качестве необязательных доказательств – партнерство Nvidia с китайской Unitree для создания гуманоидного ИИ-робота для исследователей, ИИ-решения 3D зрения от Aetina, решения Edge AI от Advanctech.
Один из побудительных мотивов к смещению ИИ из облака на устройство пользователя – это, конечно, приватность. Данные, которые мы передаем ИИ, зачастую слишком многое рассказывают о нас, чтобы направлять их в облако – личные разговоры, медицинские данные и т.п. При использовании ИИ на устройстве, есть хотя бы теоретическая возможность, что персональные данные не покинут устройства пользователя, что снижает риск их утечки. Из дополнительных бонусов – снижение загрузки каналов связи и связанная с этим энергоэффективность ИИ-вычислений. Впрочем, это дискуссионная тема. Куда привлекательнее то, что локальные ИИ-возможности не зависят от доступности и стабильности интернет-подключения. Для российских условий с внезапными «замедлениями» или блокировками тех или других интернет-сайтов, приложений и сервисов, с частыми блокировками мобильного интернета последних месяцев, ИИ на устройстве - это в целом важная возможность.
Один минус – своей Nvidia в России пока нет.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
Платформа Nvidia RTX Spark – ИИ идет на ПК и другие пользовательские устройства
Nvidia анонсировала свою новую платформу на выставке Computex 2026, которую в целом можно свести к одной общей идее – ИИ массово идет на пользовательские устройства. Решение Nvidia послужит катализатором этого процесса, но и без того тема мейнстримовая, Nvidia – далеко не единственный участник рынка, который способствует движению в данную сторону.
Итак, что такое Nvidia RTX Spark – это SoC, созданная в сотрудничестве с MediaTek, произведенная по 3нм техпроцессу TSMC. В общем, без Тайваня, ее бы не было.
В составе платформы – 20-ядерный ARM-процессор Grace, и графический процессор Blackwell RTX с 6144-ядрами, с поддержкой всего, что создается под CUDA и тензорными ядрами. Заявленная производительность в терминах FP4 – до 1 Петафлопс.
За счет применения унифицированной памяти LPDDR5X с ее пропускной способностью до 300 ГБ/с емкостью до 128 ГБ, на платформе можно запускать LLM до 120 млрд параметров.
Первые устройства на базе RTX Spark, а это будут ноуты и мини-ПК от таких известных брендов, как Dell, HP, Lenovo, Sus, Acer и MSI появятся еще до конца 2026 года. Хочется верить, что хоть что-то из этого изобилия будет доступно и на подсанкционном и локализуемом российском рынке – было бы обидно оказаться в стороне от мейнстрима.
В целом выставка ясно дала понять: ИИ смещается от облачных серверов в сторону «физического ИИ». В качестве необязательных доказательств – партнерство Nvidia с китайской Unitree для создания гуманоидного ИИ-робота для исследователей, ИИ-решения 3D зрения от Aetina, решения Edge AI от Advanctech.
Один из побудительных мотивов к смещению ИИ из облака на устройство пользователя – это, конечно, приватность. Данные, которые мы передаем ИИ, зачастую слишком многое рассказывают о нас, чтобы направлять их в облако – личные разговоры, медицинские данные и т.п. При использовании ИИ на устройстве, есть хотя бы теоретическая возможность, что персональные данные не покинут устройства пользователя, что снижает риск их утечки. Из дополнительных бонусов – снижение загрузки каналов связи и связанная с этим энергоэффективность ИИ-вычислений. Впрочем, это дискуссионная тема. Куда привлекательнее то, что локальные ИИ-возможности не зависят от доступности и стабильности интернет-подключения. Для российских условий с внезапными «замедлениями» или блокировками тех или других интернет-сайтов, приложений и сервисов, с частыми блокировками мобильного интернета последних месяцев, ИИ на устройстве - это в целом важная возможность.
Один минус – своей Nvidia в России пока нет.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
❤3🤔1
🇷🇺 Силовая электроника. ЭЗС. Силовые модули. Цепочки поставок. Соглашения. Россия
Элемент-Технологии и Реватт договорились о поставках силовых модулей для зарядных станций
Компании договорились о поставке 800 силовых модулей мощностей 40 кВт разработки ГК Элемент, которые будут задействованы в электрозарядных станциях (ЭЗС) производства Реватт мощностью до 480 кВт и зарядных хабов. Для признания ЭЗС российской, использование произведенного в России силового модуля является обязательным, что стимулирует производителей ЭЗС внимательно приглядываться к российским поставщикам таких решений.
Серийное производство модулей планируется запустить «в ближайшие несколько месяцев» на собственном производстве компании Элемент-Технологии в ОЭЗ «Технополис Москва». До конца 2026 года на площадке в Алабушево планируется произвести «порядка 15 тысяч российских силовых модулей». Заявляемый КПД модулей для Реватт – около 95%, в Элемент-Технологиях работают над расширением линейки моделей для ЭЗС. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
Элемент-Технологии и Реватт договорились о поставках силовых модулей для зарядных станций
Компании договорились о поставке 800 силовых модулей мощностей 40 кВт разработки ГК Элемент, которые будут задействованы в электрозарядных станциях (ЭЗС) производства Реватт мощностью до 480 кВт и зарядных хабов. Для признания ЭЗС российской, использование произведенного в России силового модуля является обязательным, что стимулирует производителей ЭЗС внимательно приглядываться к российским поставщикам таких решений.
Серийное производство модулей планируется запустить «в ближайшие несколько месяцев» на собственном производстве компании Элемент-Технологии в ОЭЗ «Технополис Москва». До конца 2026 года на площадке в Алабушево планируется произвести «порядка 15 тысяч российских силовых модулей». Заявляемый КПД модулей для Реватт – около 95%, в Элемент-Технологиях работают над расширением линейки моделей для ЭЗС. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
❤10🔥5👏4
Forwarded from Пульс Телекома | АНО ТКО
Доля российских производителей на рынке радиоэлектроники выросла с 12–12,5% в 2020 г. до 62% в 2025 г. Об этом 5 июня 2026 г. на II Всероссийской научно-практической конференции по проектированию, разработке, материалам и технологиям производства печатных плат РТУ МИРЭА и Консорциума печатных плат заявил директор департамента радиоэлектронной промышленности Минпромторга Юрий Плясунов. Совокупную емкость этого сегмента по итогам прошлого года в министерстве оценивают в 3–4 трлн руб., из которых около 1–1,2 трлн руб. пришлось на госзаказ. Об этом пишет издание Ведомости.
Существенный рост доли российских производителей связан с изменением структуры спроса, когда в отсутствие иностранного участники рынка постепенно начали переход на отечественные решения. По мнению экспертов, дополнительным фактором развития стали государственные программы поддержки отрасли и требования по использованию отечественной продукции в отдельных категориях закупок.
— отметил генеральный директор АНО Консорциум "Телекоммуникационное оборудование" Григорий Ревазян.
Одна из мер по стимулированию рынка отечественной продукции – требования к признанию их российскими через постановление правительства № 719. Оно предусматривает начисление баллов, необходимых для попадания в реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга. Баллы можно получить за счет локальных комплектующих и техпроцессов, которые используются при производстве. Госзаказчики обязаны руководствоваться реестром Минпромторга при проведении закупок. В АНО ТКО считают, что
Существенный рост доли российских производителей связан с изменением структуры спроса, когда в отсутствие иностранного участники рынка постепенно начали переход на отечественные решения. По мнению экспертов, дополнительным фактором развития стали государственные программы поддержки отрасли и требования по использованию отечественной продукции в отдельных категориях закупок.
Доля 62% — это интегральный показатель, так как в зависимости от типа оборудования доли могут различаться. Драйвером такого увеличения, в первую очередь, является регулируемый рынок, где, по нашим оценкам, доля отечественного телеком оборудования составляет уже более 70%. Некоторые виды оборудования, например, устройства для коммутации и оборудование спектрального уплотнения (DWDM) востребованы и на нерегулируемом рынке. По некоторым типам оборудования доля еще небольшая (например, базовые станции), но и операторы связи, и производители в последнее время активно работают над увеличением доли российского ТКО,
— отметил генеральный директор АНО Консорциум "Телекоммуникационное оборудование" Григорий Ревазян.
Одна из мер по стимулированию рынка отечественной продукции – требования к признанию их российскими через постановление правительства № 719. Оно предусматривает начисление баллов, необходимых для попадания в реестр отечественной радиоэлектронной продукции Минпромторга. Баллы можно получить за счет локальных комплектующих и техпроцессов, которые используются при производстве. Госзаказчики обязаны руководствоваться реестром Минпромторга при проведении закупок. В АНО ТКО считают, что
"сейчас реализуется широкая линейка мер поддержки спроса, однако в тоже время необходимо уделить больше внимания увеличению существующих механизмов. Так, мы видим потенциал в стимулировании спроса на отечественные решения через регулирование требований в сфере критической информационной инфраструктуры. В определении типов и уровней, а также необходимого оборудования для КИИ существует возможность воздействовать и на нерегулируемый рынок с целью повышения доли отечественного".
👍11❤4👏2
🇷🇺 Производство электроники. Регулирование. Технологический сбор. Россия
«Технологический сбор» отодвинули на 1-е декабря 2026 года
Этот небольшой подарок особо не поможет компаниям, которые ввозят или производят электронику и компоненты, но хотя бы позволит им насладиться месяцами, остающимися до появления этого нового «неналога», подготовиться к его введению (насколько это вообще возможно в условиях проблем с оборотными средствами), настроить его администрирование.
Как заявляется, средства, собранные в рамках «техносбора» пойдут в бюджет. А затем, возможно, на субсидирование программ по развитию производства электроники и микроэлектроники. Возможно, через ФРП. Но это пока не точно.
Отсрочка, как ожидается, позволит уточнить процедуры обмена данными, снять «спорные вопросы», синхронизировать информационные системы. Впрочем, скорее всего, истинная причина временного послабления – политическая, приближаются выборы. А вот 2027 год, похоже, станет очередным серьезным испытанием для российского бизнеса в области электроники. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
«Технологический сбор» отодвинули на 1-е декабря 2026 года
Этот небольшой подарок особо не поможет компаниям, которые ввозят или производят электронику и компоненты, но хотя бы позволит им насладиться месяцами, остающимися до появления этого нового «неналога», подготовиться к его введению (насколько это вообще возможно в условиях проблем с оборотными средствами), настроить его администрирование.
Как заявляется, средства, собранные в рамках «техносбора» пойдут в бюджет. А затем, возможно, на субсидирование программ по развитию производства электроники и микроэлектроники. Возможно, через ФРП. Но это пока не точно.
Отсрочка, как ожидается, позволит уточнить процедуры обмена данными, снять «спорные вопросы», синхронизировать информационные системы. Впрочем, скорее всего, истинная причина временного послабления – политическая, приближаются выборы. А вот 2027 год, похоже, станет очередным серьезным испытанием для российского бизнеса в области электроники. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
❤5
🇨🇳 Микроэлектроника. Технологии. Наноимпринтинг. Китай
Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
Хотя об этом почему-то пишут сейчас, компания уже демонстрировала наноимпринтную установку еще в 2025 году, уже тогда на ней выпустили опытные изделия кремниевой фотоники. Что изменилось с августа 2025 года? Не знаю, на первый взгляд, ничего существенного. Фотонные чипы еще тогад были сформирована на 8-дюймовых кремниевых пластинах в сотрудничестве с Shenzhen Litra Technology.
В 2025 году Prinano представила установку PuLin PL-SR (степпер) для производства фотонных кристаллов на основе так называемой наноимпринтной литографии (Nanoimprint Lithography, NIL), не путать с фотолитографией.
Технология действительно может найти применение в микроэлектронном производстве, но пока что не претендует на возможность заменить EUV-литографию для производства передовых логических микросхем. EUV-установки ASML обеспечивают более высокую плотность размещения элементов, возможность многошаговой обработки. Но для кремниевой фотоники хватает и возможностей наноимпринтинга. Эта установка, похоже, является репликой решения Canon FPA-1200NZ2C, а этот инструмент умеет создавать линии плотностью до 10нм.
🎓 Как работает NIL-установка? Первым делом изготавливается шаблон-штамп с рельефной наноструктурой (для этого применяется электронно-лучевая литография). На подложку наносят резист, который под давлением отверждается УФ-излучением. Механизм прецизионного совмещения обеспечивает точное наложение и прижим шаблона к подложке, далее производится отверждение резиста и начинаются обычные процессы – травления, промыки, металлизации и т.п. Как правило, вместе с установкой наноимпринтинга применяют систему контроля качества отпечатка (используется атомно-силовая микроскопия).
Импринтные установки позволяют обойтись без сложнейшей оптики и мощных лазерных источников. Только на сниженном потреблении электроэнергии можно сэкономить значительные средства. В обмен предъявляются сложно реализуемые требования к штампу и поддержания чистоты процесса.
Стоит отметить, что Prinano не раскрыла такие ключевые показатели, как объём выпуска, данные о выходе годных, плотности дефектов. Нет информации о заказчиках и независимого подтверждения заявленных результатов также не представлено.
Наноимпринтная технология известна не первый день, ей давно и активно занимаются в Японии. Canon совместно с Toshiba создали прототип NIL‑установки для 5‑нм фотонных чипов. В 2025 году они запустили пилотную линию по выпуску оптических компонентов для ЦОД. В Токийском Университете пробуют сочетать NIL и плазменное травление, добиваясь разрешения в 18нм. Sharp использует NIL для производства волноводов и резонаторов для LiDAR-систем. Компания Dai Nippon Printing (DNP) заявляет, что уже испытывает технологию с планами начать серийное производство в 2027 году. В декабре 2025 года компания показывала технологию с шириной линии 10нм на выставке SEMICON Japan 2025 в Токио. Ширина линии 10 нм была достигнута с помощью так называемой технологии саморегулируемого двойного формирования рисунка (паттернинга) или SADP. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
Китайская Prianano показала потенциал применения наноимпринтной технологии в фотонике
Хотя об этом почему-то пишут сейчас, компания уже демонстрировала наноимпринтную установку еще в 2025 году, уже тогда на ней выпустили опытные изделия кремниевой фотоники. Что изменилось с августа 2025 года? Не знаю, на первый взгляд, ничего существенного. Фотонные чипы еще тогад были сформирована на 8-дюймовых кремниевых пластинах в сотрудничестве с Shenzhen Litra Technology.
В 2025 году Prinano представила установку PuLin PL-SR (степпер) для производства фотонных кристаллов на основе так называемой наноимпринтной литографии (Nanoimprint Lithography, NIL), не путать с фотолитографией.
Технология действительно может найти применение в микроэлектронном производстве, но пока что не претендует на возможность заменить EUV-литографию для производства передовых логических микросхем. EUV-установки ASML обеспечивают более высокую плотность размещения элементов, возможность многошаговой обработки. Но для кремниевой фотоники хватает и возможностей наноимпринтинга. Эта установка, похоже, является репликой решения Canon FPA-1200NZ2C, а этот инструмент умеет создавать линии плотностью до 10нм.
🎓 Как работает NIL-установка? Первым делом изготавливается шаблон-штамп с рельефной наноструктурой (для этого применяется электронно-лучевая литография). На подложку наносят резист, который под давлением отверждается УФ-излучением. Механизм прецизионного совмещения обеспечивает точное наложение и прижим шаблона к подложке, далее производится отверждение резиста и начинаются обычные процессы – травления, промыки, металлизации и т.п. Как правило, вместе с установкой наноимпринтинга применяют систему контроля качества отпечатка (используется атомно-силовая микроскопия).
Импринтные установки позволяют обойтись без сложнейшей оптики и мощных лазерных источников. Только на сниженном потреблении электроэнергии можно сэкономить значительные средства. В обмен предъявляются сложно реализуемые требования к штампу и поддержания чистоты процесса.
Стоит отметить, что Prinano не раскрыла такие ключевые показатели, как объём выпуска, данные о выходе годных, плотности дефектов. Нет информации о заказчиках и независимого подтверждения заявленных результатов также не представлено.
Наноимпринтная технология известна не первый день, ей давно и активно занимаются в Японии. Canon совместно с Toshiba создали прототип NIL‑установки для 5‑нм фотонных чипов. В 2025 году они запустили пилотную линию по выпуску оптических компонентов для ЦОД. В Токийском Университете пробуют сочетать NIL и плазменное травление, добиваясь разрешения в 18нм. Sharp использует NIL для производства волноводов и резонаторов для LiDAR-систем. Компания Dai Nippon Printing (DNP) заявляет, что уже испытывает технологию с планами начать серийное производство в 2027 году. В декабре 2025 года компания показывала технологию с шириной линии 10нм на выставке SEMICON Japan 2025 в Токио. Ширина линии 10 нм была достигнута с помощью так называемой технологии саморегулируемого двойного формирования рисунка (паттернинга) или SADP. ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
❤7👍1
🇨🇳 🇯🇵 🇺🇸 РЗЭ. Геополитика. Китай. Япония. США
США попросили Китай возобновить экспорт в Японию РЗЭ, но, похоже, просьба не возымеет успеха
В марте-апреле 2026 года экспорт РЗЭ из Китая в Японию сократился на десятки процентов год к году, что некоторые связывают с реакцией Пекина на заявление осенью 2025 года премьер-министра Японии о возможном участии его страны в потенциальном конфликте за Тайвань. Впрочем, есть и другие стимулы для таких ограничений – внутренние квоты Китая на экспорт РЗЭ и рост внутреннего потребления РЗЭ в Китае.
Почему США просят за Японию? Эти две страны состоят в очень тесных отношениях, Япония – ключевой союзник США в АТР, частично можно говорить о взаимозависимости их экономик. Поэтому не удивительно, что США просят Китай за своего близкого и надежного союзника.
Хотя официальных заявлений по поводу ответа Пекина пока не было, нетрудно предположить, что в Китае не поспешат пойти навстречу. Подогревает ситуацию и Тайвань, где сейчас рассматривают возможность ужесточения экспортного контроля в отношении поставок чипов ИИ китайским компаниям – США продолжают латать «дырки в заборе» экспортного контроля.
Для Японии ситуация неприятная, промышленность этой страны уже ощущает негативные последствия нехватки РЗЭ. РЗЭ критически важны для японской промышленности, особенно для производства постоянных магнитов (неодим, празеодим), аккумуляторов (лантан, церий), оптики и лазеров (иттрий, европий).
Альтернатив немного – просить РЗЭ у союзников в лице США, которые также сталкиваются с их нехваткой, искать возможность закупки РЗЭ в других странах, - из реалистичных альтернатив можно перечислить Бразилию, Австралию, Вьетнам и, до какой-то степени, Россию, отношения с которой у Японии сейчас далеко не лучшие. Еще один поставщик РЗЭ в Японию – это Индия, но и эта страна намеревается остановить экспорт РЗЭ в Японию – страны не ссорились, просто Индия сама страдает от нехватки РЗЭ.
В этих условиях Япония активно инвестирует в проекты в Австралии, во Вьетнаме, присматривается к глубоководной добыче конкреций, рециклинку РЗЭ из электроники и магнитов – но все это не позволит заменить отвалившиеся закупки из Китая в краткосрочном периоде.
Для Китая на сегодня доминирование по добыче (60-70% мирового объема) и переработке (до 90%) РЗЭ стало «увесистой дубинкой», которую можно применять в международных отношениях. И в Китае ею пользуются, хотя и с определенной аккуратностью, не размахивая направо и налево просто «потому что могут». ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
США попросили Китай возобновить экспорт в Японию РЗЭ, но, похоже, просьба не возымеет успеха
В марте-апреле 2026 года экспорт РЗЭ из Китая в Японию сократился на десятки процентов год к году, что некоторые связывают с реакцией Пекина на заявление осенью 2025 года премьер-министра Японии о возможном участии его страны в потенциальном конфликте за Тайвань. Впрочем, есть и другие стимулы для таких ограничений – внутренние квоты Китая на экспорт РЗЭ и рост внутреннего потребления РЗЭ в Китае.
Почему США просят за Японию? Эти две страны состоят в очень тесных отношениях, Япония – ключевой союзник США в АТР, частично можно говорить о взаимозависимости их экономик. Поэтому не удивительно, что США просят Китай за своего близкого и надежного союзника.
Хотя официальных заявлений по поводу ответа Пекина пока не было, нетрудно предположить, что в Китае не поспешат пойти навстречу. Подогревает ситуацию и Тайвань, где сейчас рассматривают возможность ужесточения экспортного контроля в отношении поставок чипов ИИ китайским компаниям – США продолжают латать «дырки в заборе» экспортного контроля.
Для Японии ситуация неприятная, промышленность этой страны уже ощущает негативные последствия нехватки РЗЭ. РЗЭ критически важны для японской промышленности, особенно для производства постоянных магнитов (неодим, празеодим), аккумуляторов (лантан, церий), оптики и лазеров (иттрий, европий).
Альтернатив немного – просить РЗЭ у союзников в лице США, которые также сталкиваются с их нехваткой, искать возможность закупки РЗЭ в других странах, - из реалистичных альтернатив можно перечислить Бразилию, Австралию, Вьетнам и, до какой-то степени, Россию, отношения с которой у Японии сейчас далеко не лучшие. Еще один поставщик РЗЭ в Японию – это Индия, но и эта страна намеревается остановить экспорт РЗЭ в Японию – страны не ссорились, просто Индия сама страдает от нехватки РЗЭ.
В этих условиях Япония активно инвестирует в проекты в Австралии, во Вьетнаме, присматривается к глубоководной добыче конкреций, рециклинку РЗЭ из электроники и магнитов – но все это не позволит заменить отвалившиеся закупки из Китая в краткосрочном периоде.
Для Китая на сегодня доминирование по добыче (60-70% мирового объема) и переработке (до 90%) РЗЭ стало «увесистой дубинкой», которую можно применять в международных отношениях. И в Китае ею пользуются, хотя и с определенной аккуратностью, не размахивая направо и налево просто «потому что могут». ||
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
🔥5👀1
Forwarded from Пульс Телекома | АНО ТКО
Китай начал крупномасштабные поставки полупроводников и микросхем на основе нитрида галлия (GaN). В частности, будет реализовано 5 млн компонентов, предназначенных для терминалов спутниковой связи 6G. Передовой компонент разработан «Научно-исследовательским институтом электронных технологий №55» Китая (CETC), который находится под санкциями США, а также его подразделением – Nanjing Guobo Electronics.
Китай является крупнейшим в мире держателем запасов галлия, а также крупнейшим экспортером этого редкоземельного элемента. В настоящее время экспорт галлия и его оксидов контролируется госструктурами Китая.
Активность по части разработки и внедрения GaN-полупроводников, включая микросхемы и микросборки, сейчас наблюдается во многих технологически развитых странах. Этому способствует возможность полупроводниковых GaN-устройств выдерживать большие мощности и температуры, чем кремниевых на высоких частотах, оставаться энергоэффективными в большем диапазоне частот.
В России в применении разработок на основе GaN тоже заинтересованы. В конце 2025 года компания «Миландр» (Зеленоград) завершила квалификационные испытания широкой линейки мощных импульсных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия, предназначенных для использования в перспективном телекоммуникационном оборудовании. Также в Институте физики полупроводников СО РАН изучают возможности системы самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AIN.
#вмире
Китай является крупнейшим в мире держателем запасов галлия, а также крупнейшим экспортером этого редкоземельного элемента. В настоящее время экспорт галлия и его оксидов контролируется госструктурами Китая.
Активность по части разработки и внедрения GaN-полупроводников, включая микросхемы и микросборки, сейчас наблюдается во многих технологически развитых странах. Этому способствует возможность полупроводниковых GaN-устройств выдерживать большие мощности и температуры, чем кремниевых на высоких частотах, оставаться энергоэффективными в большем диапазоне частот.
В России в применении разработок на основе GaN тоже заинтересованы. В конце 2025 года компания «Миландр» (Зеленоград) завершила квалификационные испытания широкой линейки мощных импульсных СВЧ-транзисторов на основе нитрида галлия, предназначенных для использования в перспективном телекоммуникационном оборудовании. Также в Институте физики полупроводников СО РАН изучают возможности системы самоорганизованных GaN квантовых точек в матрице AIN.
#вмире
❤5
(2) 🇨🇳 Микроэлектроника. Производство полупроводников. GaN для телекома. 5G/6G. Китай
Продолжу тему деталями общей картины активностей в области нитрида галлия в других странах:
🇺🇸 В США GaN-компоненты предлагают компании Qorvo, Wolfspeed и Microchip. Они используются в радарах и в системах спутниковой связи. Intel Foundry Services объявила о крупном технологическом прорыве - разработке и изготовлении «самого тонкого в мире» чиплета из нитрида галлия (GaN-on-Si). Толщина кремниевой подложки уменьшена до 19 мкм.
Есть любопытный факт партнерства американской onsemi с китайской Innoscience. В декабре 2025 года подписано соглашение этих компаний о совместной разработке GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ.
🇯🇵 В Японии рынок RF GaN хорошо развит – Mitsubishi Electric, например, выпускает усилитель мощности 7 ГГц для БС 5G Advanced. NTT Advanced Technology (NTT-AT) занимается производством эпитаксиальных пластин GaN-HEMT.
🇰🇷 В Корее разрабатывают как силовые полупроводники GaN, так и интегральные схемы MMIC. Компания IVWorks – единственный в стране производитель эпитаксиальных платин GaN-HEMT привлекла $4.5 млн для расширения рынка для своих продуктов, в частности, с ориентацией на спутниковую связь.
🇹🇼 Тайвань ведет активные исследования в области GaN-компонентов для 6G и спутниковой связи. TSMC лицензирует свои наработки в этой области, например, компании ROHM. В 2024 году было объявлено о стратегическом партнерстве для разработки автомобильных и телекоммуникационных GaN-устройств. Можно вспомнить о WIN Semi, одном из тайваньских разработчиков GaN HEMT – изделий. Тайваньская компания VIS лицензировала технологию GaN-on-QST.
🇪🇸 Испания. Sener координирует проект SGAN-Next по разработке европейских чипов GaN для спутников, как низкоорбитальных, так и геостационарных. Проект поддерживает Еврокомиссия в рамках программы Horizon Europe.
🇸🇪 Швеция. SweGaN и Ericsson сотрудничают в разработке GaN-усилителей для 6G. В 2025 году они запустили проект GaN6G+, направленный на создание высокоэффективных усилителей мощности для 6G в диапазоне 7–15 ГГц (X/Ku-диапазоны).
🇩🇪 Германия. Fraunhofer IAF разрабатывает высокочастотную электронику GaN для телекома 5G/6G, радаров и спутниковой связи. Институт фокусируется на компонентах и модулях, включая HEMT и MMIC для усилителей мощности, малошумящих усилителей и переключателей.
🇮🇳 Индия. Здесь создан первый в стране фаб по производству GaN-чипов (Polymatech Electronics), есть лаборатория тестирования GaN-чипов (AGNIT) и разработка чипов для ВПК (DRDO). Индийская инженерно-технологическая компания Cyient (штаб-квартира в Хайдарабаде) объявила о разработке семейства силовых интегральных схем на основе нитрида галлия (GaN), созданных по технологиям американской Navitas.
🇮🇱 Израиль – заметный участник рынка GaN.
🇬🇧 Великобритания с ее компанией IQE – заметный участник рынка GaN.
🇨🇦 Канада с ее GaN Systems – заметный участник рынка GaN.
В целом рынку телекома прочат массовый переход на GaN-чипы, например, аналитики PWC. Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин GaN диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня уже и 150 мм считается устаревшим.
С учетом всех этих фактов и мнений - активность Китая по части GaN полупроводников, включая микросхемы, понятна и логична.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
Продолжу тему деталями общей картины активностей в области нитрида галлия в других странах:
🇺🇸 В США GaN-компоненты предлагают компании Qorvo, Wolfspeed и Microchip. Они используются в радарах и в системах спутниковой связи. Intel Foundry Services объявила о крупном технологическом прорыве - разработке и изготовлении «самого тонкого в мире» чиплета из нитрида галлия (GaN-on-Si). Толщина кремниевой подложки уменьшена до 19 мкм.
Есть любопытный факт партнерства американской onsemi с китайской Innoscience. В декабре 2025 года подписано соглашение этих компаний о совместной разработке GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ.
🇯🇵 В Японии рынок RF GaN хорошо развит – Mitsubishi Electric, например, выпускает усилитель мощности 7 ГГц для БС 5G Advanced. NTT Advanced Technology (NTT-AT) занимается производством эпитаксиальных пластин GaN-HEMT.
🇰🇷 В Корее разрабатывают как силовые полупроводники GaN, так и интегральные схемы MMIC. Компания IVWorks – единственный в стране производитель эпитаксиальных платин GaN-HEMT привлекла $4.5 млн для расширения рынка для своих продуктов, в частности, с ориентацией на спутниковую связь.
🇹🇼 Тайвань ведет активные исследования в области GaN-компонентов для 6G и спутниковой связи. TSMC лицензирует свои наработки в этой области, например, компании ROHM. В 2024 году было объявлено о стратегическом партнерстве для разработки автомобильных и телекоммуникационных GaN-устройств. Можно вспомнить о WIN Semi, одном из тайваньских разработчиков GaN HEMT – изделий. Тайваньская компания VIS лицензировала технологию GaN-on-QST.
🇪🇸 Испания. Sener координирует проект SGAN-Next по разработке европейских чипов GaN для спутников, как низкоорбитальных, так и геостационарных. Проект поддерживает Еврокомиссия в рамках программы Horizon Europe.
🇸🇪 Швеция. SweGaN и Ericsson сотрудничают в разработке GaN-усилителей для 6G. В 2025 году они запустили проект GaN6G+, направленный на создание высокоэффективных усилителей мощности для 6G в диапазоне 7–15 ГГц (X/Ku-диапазоны).
🇩🇪 Германия. Fraunhofer IAF разрабатывает высокочастотную электронику GaN для телекома 5G/6G, радаров и спутниковой связи. Институт фокусируется на компонентах и модулях, включая HEMT и MMIC для усилителей мощности, малошумящих усилителей и переключателей.
🇮🇳 Индия. Здесь создан первый в стране фаб по производству GaN-чипов (Polymatech Electronics), есть лаборатория тестирования GaN-чипов (AGNIT) и разработка чипов для ВПК (DRDO). Индийская инженерно-технологическая компания Cyient (штаб-квартира в Хайдарабаде) объявила о разработке семейства силовых интегральных схем на основе нитрида галлия (GaN), созданных по технологиям американской Navitas.
🇮🇱 Израиль – заметный участник рынка GaN.
🇬🇧 Великобритания с ее компанией IQE – заметный участник рынка GaN.
🇨🇦 Канада с ее GaN Systems – заметный участник рынка GaN.
В целом рынку телекома прочат массовый переход на GaN-чипы, например, аналитики PWC. Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин GaN диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня уже и 150 мм считается устаревшим.
С учетом всех этих фактов и мнений - активность Китая по части GaN полупроводников, включая микросхемы, понятна и логична.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
Telegram
RUSmicro
🔭 Прогнозы. Аналитика
Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке
Радиочастотные (RF) используются в различной радиоаппаратуре в различных каскадах приемников и передатчиков. С появлением 5G в миллиметровом диапазоне требуются полупроводники, способные…
Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке
Радиочастотные (RF) используются в различной радиоаппаратуре в различных каскадах приемников и передатчиков. С появлением 5G в миллиметровом диапазоне требуются полупроводники, способные…
👍4
☸️ Новости одним абзацем
🇨🇳 Китай готов вложить в ИИ еще $295 млрд в ближайшие 5 лет. Эти средства, около 2 трлн юаней, планируется инвестировать в постройку ЦОД по всей стране. Управлять этой гигантской вычислительной инфраструктурой поручат государственным телекоммуникационным компаниям – China Mobile и China Telecom, а основную часть технологий поставит Huawei.
🇺🇸 Nvidia претендует на серьезные позиции на рынке AI-RAN / 6G? Nvidia все более активно стремится выйти за ограничения сегмента графических процессоров для серверов. После недавнего выхода на рынок CPU для ПК, компания, похоже, демонстрирует серьезный интерес и к RAN compute.
🇷🇺 Сбербанк запросил у завода Квант 3.4 млрд рублей в счет долга, сообщает CNews. Так выглядят "силовые переговоры" с возможным покупателем завода - компанией NexTouch?
🇺🇸 ИИ Claude Fable 5 выкатили в общий доступ. Хотя более полная модель - Mythos 5 остается доступна только в режиме B2B, да и то лишь для избранных организаций в рамках Project Glasswing, но даже ее "усеченная" и "контролируемая" версия не может не впечатлять.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
🇨🇳 Китай готов вложить в ИИ еще $295 млрд в ближайшие 5 лет. Эти средства, около 2 трлн юаней, планируется инвестировать в постройку ЦОД по всей стране. Управлять этой гигантской вычислительной инфраструктурой поручат государственным телекоммуникационным компаниям – China Mobile и China Telecom, а основную часть технологий поставит Huawei.
🇺🇸 Nvidia претендует на серьезные позиции на рынке AI-RAN / 6G? Nvidia все более активно стремится выйти за ограничения сегмента графических процессоров для серверов. После недавнего выхода на рынок CPU для ПК, компания, похоже, демонстрирует серьезный интерес и к RAN compute.
🇷🇺 Сбербанк запросил у завода Квант 3.4 млрд рублей в счет долга, сообщает CNews. Так выглядят "силовые переговоры" с возможным покупателем завода - компанией NexTouch?
🇺🇸 ИИ Claude Fable 5 выкатили в общий доступ. Хотя более полная модель - Mythos 5 остается доступна только в режиме B2B, да и то лишь для избранных организаций в рамках Project Glasswing, но даже ее "усеченная" и "контролируемая" версия не может не впечатлять.
✓ подписаться на канал,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
🔥4❤2
🇰🇷 Вести из лабораторий. Новые транзисторы. Корея
В Южной Корее экспериментируют с комбинацией оксида цинка ZnO и теллура Te
Эти материалы, во-первых, можно наносить тонкими пленками при температуре ниже 200 °C, что важно, например, при доработке готовых чипов.
📌 А во-вторых на их основе создан гетеропереходный транзистор с двойной отрицательной дифференциальной крутизной (D-NDT). При росте напряжения на затворе такой транзистор вначале дает рост тока, затем ток уменьшается, причем процесс происходит дважды (за один период входного сигнала формируется четыре выходных импульса, то есть транзистор работает как умножитель частоты на 4), что позволяет на одном транзисторе выполнять функции, которые обычно требуют несколько компонентов (корейцы сообщают о возможности сокращения на 64-75%).
На базе этого устройства команда, в частности, сформировала четырехполюсник, преобразующий 1 входной сигнал в 4 выходных. D-NDT прочат практические применения, в частности, с перспективой ускорения вычислений.
Детальнее: https://www.researchgate.net
Интересно, что корейцы не взялись объяснить полученный эффект D-NDT, но желающие нашлись. В сети есть спорный текст: https://doi.org/10.5281/ZENODO.19634565 . Его автор предлагает свое объяснение наблюдаемого корейцами эффекта, делая это с привлечением теории, согласно которой время в транзисторе течет неравномерно, а "неровными шагами". Несмотря на то, что выглядит он как научный, я бы не спешил верить в это объяснение. Наверняка найдутся и другие желающие пояснить наблюдаемые эффекты, с версиями, более «стыкующимися» с современным состоянием науки, например, связав явления с квантовым туннелированнием.
В любом случае у нас есть эффект, и, предположительно, он может найти полезные применения.
((картинки - авторов исследования, источник - Advanced Functional Materials))
✓ подписаться на RUSmicro,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
В Южной Корее экспериментируют с комбинацией оксида цинка ZnO и теллура Te
Эти материалы, во-первых, можно наносить тонкими пленками при температуре ниже 200 °C, что важно, например, при доработке готовых чипов.
📌 А во-вторых на их основе создан гетеропереходный транзистор с двойной отрицательной дифференциальной крутизной (D-NDT). При росте напряжения на затворе такой транзистор вначале дает рост тока, затем ток уменьшается, причем процесс происходит дважды (за один период входного сигнала формируется четыре выходных импульса, то есть транзистор работает как умножитель частоты на 4), что позволяет на одном транзисторе выполнять функции, которые обычно требуют несколько компонентов (корейцы сообщают о возможности сокращения на 64-75%).
На базе этого устройства команда, в частности, сформировала четырехполюсник, преобразующий 1 входной сигнал в 4 выходных. D-NDT прочат практические применения, в частности, с перспективой ускорения вычислений.
Детальнее: https://www.researchgate.net
Интересно, что корейцы не взялись объяснить полученный эффект D-NDT, но желающие нашлись. В сети есть спорный текст: https://doi.org/10.5281/ZENODO.19634565 . Его автор предлагает свое объяснение наблюдаемого корейцами эффекта, делая это с привлечением теории, согласно которой время в транзисторе течет неравномерно, а "неровными шагами". Несмотря на то, что выглядит он как научный, я бы не спешил верить в это объяснение. Наверняка найдутся и другие желающие пояснить наблюдаемые эффекты, с версиями, более «стыкующимися» с современным состоянием науки, например, связав явления с квантовым туннелированнием.
В любом случае у нас есть эффект, и, предположительно, он может найти полезные применения.
((картинки - авторов исследования, источник - Advanced Functional Materials))
✓ подписаться на RUSmicro,
✓ наши новости можно читать также на MForum и в ВК
❤5👍3🙈1
🇨🇳 Производители памяти. DDR5. Китай
Чипы DDR5 китайской CXMT не дешевле «западных», но у компании есть свободные мощности - и это ее козырь в ситуации дефицита
Это основной посыл заметки iXBT. Чипы компании используются уже не только в бюджетных, но и в среднеценовых модулях DDR5. Выпускает компания и неплохие модули RDIMM для серверов, а вот параметры таких изделий как CUDIMM, CQDIMM, MRDIMM и CSODIMM ее производства пока что уступают продукции тройки мировых лидеров.
CXMT ориентирована, прежде всего, на внутренний рынок, но готова работать и с зарубежными заказчиками, причем пока что у китайцев нет жестких ограничений по объемам закупок и штрафных санкций, привычных клиентам глобальных лидеров. Это означает, что скорее всего мы будет и далее наблюдать рост доли этого производителя на глобальном рынке.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Чипы DDR5 китайской CXMT не дешевле «западных», но у компании есть свободные мощности - и это ее козырь в ситуации дефицита
Это основной посыл заметки iXBT. Чипы компании используются уже не только в бюджетных, но и в среднеценовых модулях DDR5. Выпускает компания и неплохие модули RDIMM для серверов, а вот параметры таких изделий как CUDIMM, CQDIMM, MRDIMM и CSODIMM ее производства пока что уступают продукции тройки мировых лидеров.
CXMT ориентирована, прежде всего, на внутренний рынок, но готова работать и с зарубежными заказчиками, причем пока что у китайцев нет жестких ограничений по объемам закупок и штрафных санкций, привычных клиентам глобальных лидеров. Это означает, что скорее всего мы будет и далее наблюдать рост доли этого производителя на глобальном рынке.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥6
🇨🇳 Вести из лабораторий. Дисульфид молибдена. Япония
Японские исследователи вырастили нанотрубки из дисульфеда молибдена диаметром около 1нм
Не путать с уже поднадоевшими графеновыми нанотрубками которые обычно заметно толще. Чтобы вырастить однослойную, почти идеальную нанотрубку из MoS₂, японцам пришлось ухищряться – вначале создать нанотрубку из нитрида бора, а затем, используя ее как форму, серией отжигов сформировать внутри полупроводниковую структуру из дисульфида молибдена диаметром около 1нм.
В теории эта технология пригодится для выращивания транзисторов GAA. Впрочем, чаще мы годами читаем о каких-то таких любопытных исследованиях, а технологии тем временем развиваются по каким-то совсем иным траекториям. Подробнее: 3dnews или U-Tokyo
((картинка – U-Tokyo))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Японские исследователи вырастили нанотрубки из дисульфеда молибдена диаметром около 1нм
Не путать с уже поднадоевшими графеновыми нанотрубками которые обычно заметно толще. Чтобы вырастить однослойную, почти идеальную нанотрубку из MoS₂, японцам пришлось ухищряться – вначале создать нанотрубку из нитрида бора, а затем, используя ее как форму, серией отжигов сформировать внутри полупроводниковую структуру из дисульфида молибдена диаметром около 1нм.
В теории эта технология пригодится для выращивания транзисторов GAA. Впрочем, чаще мы годами читаем о каких-то таких любопытных исследованиях, а технологии тем временем развиваются по каким-то совсем иным траекториям. Подробнее: 3dnews или U-Tokyo
((картинка – U-Tokyo))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤3
🇷🇺 Отечественная электроника. Отечественные сервера. Россия
Систему блокировок в российском сегменте Интернета готовят к расширению?
Как узнали в CNews, АО «Данные – центр обработки и автоматизации» (ДЦОА), известный как поставщик и интегратор ТСПУ, проводит конкурс на закупку российских серверов с начальной суммой выше 1.3 млрд руб. Это позволит закупить еще не менее полутора сотни серверов - для каких целей их будет использовать компания - не сообщается.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Систему блокировок в российском сегменте Интернета готовят к расширению?
Как узнали в CNews, АО «Данные – центр обработки и автоматизации» (ДЦОА), известный как поставщик и интегратор ТСПУ, проводит конкурс на закупку российских серверов с начальной суммой выше 1.3 млрд руб. Это позволит закупить еще не менее полутора сотни серверов - для каких целей их будет использовать компания - не сообщается.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
😢6❤3🤔3🙈3
🇷🇺 Отечественный подводный ВОК. Россия
В России начали производить волоконно-оптический подводный кабель для Арктики
В июне 2026 года Инкаб Холдинг завершил строительство производства подводного волоконно-оптического кабеля (ВОК) в Приморском крае. Объем инвестиций оценивают в 1.2 млрд, из них порядка трети предоставил ФРП в формате льготного займа по программе «Комплектующие изделия».
Инкаб Холдинг располагает и другой производственной площадкой, ООО Инкаб в Пермском крае, где компания выпускает так называемый оптический сердечник. Из него и будут производить (ООО Инкаб Дальний Восток) на Дальнем Востоке подводный кабель, пригодный к укладке и эксплуатации на глубинах до 4 тысяч метров.
Инкаб выпускает подводный ВОК с числом оптических волокон – до 96. Как ожидается, Инкаб сможет выпускать более 2.5 тысяч км подводного ВОК в год. Длина одной секции – до 50 км. В структуру холдинга входят также: ООО Инкаб Про (проектирование); ООО Окей-кабель (продажи); ООО ЦТК ВОЛС.Эксперт (обучение); ООО ВОЛС.Центр (поставки оборудования для строительства ВОЛС).
Источник и подробности: КоммерсантЪ
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
В России начали производить волоконно-оптический подводный кабель для Арктики
В июне 2026 года Инкаб Холдинг завершил строительство производства подводного волоконно-оптического кабеля (ВОК) в Приморском крае. Объем инвестиций оценивают в 1.2 млрд, из них порядка трети предоставил ФРП в формате льготного займа по программе «Комплектующие изделия».
Инкаб Холдинг располагает и другой производственной площадкой, ООО Инкаб в Пермском крае, где компания выпускает так называемый оптический сердечник. Из него и будут производить (ООО Инкаб Дальний Восток) на Дальнем Востоке подводный кабель, пригодный к укладке и эксплуатации на глубинах до 4 тысяч метров.
Инкаб выпускает подводный ВОК с числом оптических волокон – до 96. Как ожидается, Инкаб сможет выпускать более 2.5 тысяч км подводного ВОК в год. Длина одной секции – до 50 км. В структуру холдинга входят также: ООО Инкаб Про (проектирование); ООО Окей-кабель (продажи); ООО ЦТК ВОЛС.Эксперт (обучение); ООО ВОЛС.Центр (поставки оборудования для строительства ВОЛС).
Источник и подробности: КоммерсантЪ
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤4👏3
🇷🇺 Отечественная электроника. Отечественные серверы. Контракты. Поставки. Россия
Компания Yadro обеспечила Третьяковку современными отечественными серверами
Компания Yadro (ИКС Холдинг) обеспечивала поставку объемной партии серверов V240 G3 для Третьяковской галереи. Оборудование обеспечивает работу сайта галереи, системы онлайн-продажи билетов и балансировку нагрузки для ключевых веб-ресурсов.
V240 G3 – четырехпроцессорные системы корпоративного класса, форм-фактор – 2U. Каждая такая платформа поддерживает до 16 ТБ оперативной памяти DDR5 за счет 64 слотов и может применяться для ресурсоемких прикладных нагрузок, включая масштабные виртуальные среды, веб-сайты и системы резервного копирования. Это сервера на базе процессоров Intel Xeon.
Это не первая поставка решений Yadro (серверов, СХД и коммутаторов) для Третьяковки.
Пресс-релиз компании умалчивает о количестве поставляемых серверов или сумме заказа, но с учетом планов модернизации 15 подразделений филиалов компании, и по доступной редакции информации, речь может идти о поставке нескольких десятков единиц оборудования, общая стоимость которых может составлять сумму, превышающую 100 млн рублей.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Компания Yadro обеспечила Третьяковку современными отечественными серверами
Компания Yadro (ИКС Холдинг) обеспечивала поставку объемной партии серверов V240 G3 для Третьяковской галереи. Оборудование обеспечивает работу сайта галереи, системы онлайн-продажи билетов и балансировку нагрузки для ключевых веб-ресурсов.
V240 G3 – четырехпроцессорные системы корпоративного класса, форм-фактор – 2U. Каждая такая платформа поддерживает до 16 ТБ оперативной памяти DDR5 за счет 64 слотов и может применяться для ресурсоемких прикладных нагрузок, включая масштабные виртуальные среды, веб-сайты и системы резервного копирования. Это сервера на базе процессоров Intel Xeon.
Это не первая поставка решений Yadro (серверов, СХД и коммутаторов) для Третьяковки.
«При модернизации ИТ-инфраструктуры Третьяковская галерея ориентируется на решения, которые подтверждают надежность в реальных эксплуатационных сценариях. Оборудование YADRO уже работает в нашем контуре и зарекомендовало себя на практике. Новый этап сотрудничества позволит закрыть текущие задачи по балансировке ресурсов, поддержать стабильную работу цифровых сервисов и создать технологическую базу для дальнейшего развития ИТ-инфраструктуры галереи», - отметил Дмитрий Воронков, начальник отдела ИТ Государственной Третьяковской галереи.
«Для учреждений культуры цифровые сервисы становятся частью базовой инфраструктуры взаимодействия с аудиторией: через сайт, билетные системы, электронные архивы и другие онлайн-инструменты. В таких проектах важны не отдельные характеристики оборудования, а надежность всего технологического контура. Экспертиза Yadro в создании серверных платформ позволяет выстраивать производительную и масштабируемую инфраструктуру, которая поддерживает устойчивую работу сервисов музея и помогает создавать технологическую основу для сохранения, изучения и популяризации культурного наследия», - отметил Александр Бакулин, коммерческий директор Yadro.
Пресс-релиз компании умалчивает о количестве поставляемых серверов или сумме заказа, но с учетом планов модернизации 15 подразделений филиалов компании, и по доступной редакции информации, речь может идти о поставке нескольких десятков единиц оборудования, общая стоимость которых может составлять сумму, превышающую 100 млн рублей.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥9❤1
🇷🇺 Микроэлектроника. Регулирование. Производственное оборудование. Балльная система. Россия
С сентября 2026 года производителям производственного оборудования микроэлектроники придется проверять его на российскость балльной системой
Об этом рассказывает CNews. Изменения в виде документа №601 от 26 мая 2026 года внесены в ПП 719.
Производителям, например, литографов, по 30 баллов дадут за российские источники излучения, катодные узлы, объективы, оптические тракты, электронно-оптические системы, вакуумные насосы, модули совмещения и высоковольтные источники питания; по 20 - за использование отечественных механизмов перемещения пластин, контроллеров и устройств сопряжения, по 10 - за детекторы электронов, механизмы загрузки, ИБП, электротехнику и каркас.
Свои наборы баллов запланированы также для:
▫️оборудования эпитаксии;
▫️ установок ионной имплантации,
▫️ оборудования для производства монокристаллов;
▫️ термической обработки пластин;
▫️ формирования тонкопленочных структур;
▫️лазерного оборудования для обработки и полировки пластин.
Поощряется использование российского ПО, отработку базового техпроцесса на территории РФ.
Обязательным является наличие у производителя прав на конструкторскую документацию, сервисный центр в ЕАЭС (привет, оборудование из Беларуси); наладка и тестирование оборудования в РФ, как и сборка, установка и отладка ПО в РФ.
Как всегда, устанавливаются обязательные минимальные пороги "российскости", исходя из набранных баллов. И порог будет неумолимо расти - требования начнут действовать с сентября 2026 года, ужесточатся с 2029 года, и вновь ужесточатся в 2032 году, если вся эта система баллов еще будет актуальна к этому времени. Подробнее - читайте в CNews.
В отличие от простых изделий электроники, на рынке производственного оборудования зачастую нет конкурентных предложений. В этом смысле новые требования не кажутся своевременными. Тем не менее, если мы ориентируемся на то, что рынок постепенно будет двигаться в сторону конкуренции производителей производственного оборудования, вполне уместно выбирать между ними по принципу российскости. Жаль, если при этом в расчет не будет приниматься разница в стоимости оборудования. Не хотелось бы всякий раз переплачивать за «отечественность», ведь все эти переплаты будут «зашиты» в стоимость конечных изделий, за которые придется платить нам с вами.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
С сентября 2026 года производителям производственного оборудования микроэлектроники придется проверять его на российскость балльной системой
Об этом рассказывает CNews. Изменения в виде документа №601 от 26 мая 2026 года внесены в ПП 719.
Производителям, например, литографов, по 30 баллов дадут за российские источники излучения, катодные узлы, объективы, оптические тракты, электронно-оптические системы, вакуумные насосы, модули совмещения и высоковольтные источники питания; по 20 - за использование отечественных механизмов перемещения пластин, контроллеров и устройств сопряжения, по 10 - за детекторы электронов, механизмы загрузки, ИБП, электротехнику и каркас.
Свои наборы баллов запланированы также для:
▫️оборудования эпитаксии;
▫️ установок ионной имплантации,
▫️ оборудования для производства монокристаллов;
▫️ термической обработки пластин;
▫️ формирования тонкопленочных структур;
▫️лазерного оборудования для обработки и полировки пластин.
Поощряется использование российского ПО, отработку базового техпроцесса на территории РФ.
Обязательным является наличие у производителя прав на конструкторскую документацию, сервисный центр в ЕАЭС (привет, оборудование из Беларуси); наладка и тестирование оборудования в РФ, как и сборка, установка и отладка ПО в РФ.
Как всегда, устанавливаются обязательные минимальные пороги "российскости", исходя из набранных баллов. И порог будет неумолимо расти - требования начнут действовать с сентября 2026 года, ужесточатся с 2029 года, и вновь ужесточатся в 2032 году, если вся эта система баллов еще будет актуальна к этому времени. Подробнее - читайте в CNews.
В отличие от простых изделий электроники, на рынке производственного оборудования зачастую нет конкурентных предложений. В этом смысле новые требования не кажутся своевременными. Тем не менее, если мы ориентируемся на то, что рынок постепенно будет двигаться в сторону конкуренции производителей производственного оборудования, вполне уместно выбирать между ними по принципу российскости. Жаль, если при этом в расчет не будет приниматься разница в стоимости оборудования. Не хотелось бы всякий раз переплачивать за «отечественность», ведь все эти переплаты будут «зашиты» в стоимость конечных изделий, за которые придется платить нам с вами.
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
👍4❤1
🇷🇺 Микроэлектроника. Материалы. Высокочистые вещества. Импортзамещение. Россия
Росатом создал импортзамещающее производство высокочистых веществ: красного фосфора и оксихлорида фосфора
Важная и приятная, хотя и не совсем новость для производителей микроэлектроники, которые применяют оба этих вещества в техпроцессах формирования полупроводниковых структур. В частности, красный фосфор используют в процессе ионной имплантации, как легирующую присадку, он задает электрические свойства кремния. Оксихлорид фосфора применяют в микроэлектронике как легирующий агент в диффузионных процессах, а также как основу для синтеза нескольких других фосфорсодержащих соединений, используемых в производстве солнечных панелей и оптического волокна.
К моменту запуска производства этих веществ на площадке НИИ НПО Луч в Подольске в 2025 году, российские предприятия импортировали более 80% от потребляемых объемов этих веществ. Поставщиком выступали китайские производители и даже некоторые европейские.
Подготовкой производства, разработкой промышленной технологии, занимался Гиредмет (как и НИИ НПО Луч, это предприятие входит в научный дивизион Росатома). Технический красный фосфор выступает как сырье, его превращают в трихлорид фосфора, а далее следует многоступенчатая очистка. Из очищенного трихлорида выделяют высокочистый красный фосфор (99,9999% - шесть «девяток»), а также оксихлорид фосфора и триметилфосфат. Техпроцесс практически полностью автоматизирован.
Качество продукции уже подтверждено тестами, Росатом планирует получить сертификат СТ-1 и подать заявку на включение веществ в реестр отечественной продукции.
((по материалам «Атом медиа»))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Росатом создал импортзамещающее производство высокочистых веществ: красного фосфора и оксихлорида фосфора
Важная и приятная, хотя и не совсем новость для производителей микроэлектроники, которые применяют оба этих вещества в техпроцессах формирования полупроводниковых структур. В частности, красный фосфор используют в процессе ионной имплантации, как легирующую присадку, он задает электрические свойства кремния. Оксихлорид фосфора применяют в микроэлектронике как легирующий агент в диффузионных процессах, а также как основу для синтеза нескольких других фосфорсодержащих соединений, используемых в производстве солнечных панелей и оптического волокна.
К моменту запуска производства этих веществ на площадке НИИ НПО Луч в Подольске в 2025 году, российские предприятия импортировали более 80% от потребляемых объемов этих веществ. Поставщиком выступали китайские производители и даже некоторые европейские.
Подготовкой производства, разработкой промышленной технологии, занимался Гиредмет (как и НИИ НПО Луч, это предприятие входит в научный дивизион Росатома). Технический красный фосфор выступает как сырье, его превращают в трихлорид фосфора, а далее следует многоступенчатая очистка. Из очищенного трихлорида выделяют высокочистый красный фосфор (99,9999% - шесть «девяток»), а также оксихлорид фосфора и триметилфосфат. Техпроцесс практически полностью автоматизирован.
Качество продукции уже подтверждено тестами, Росатом планирует получить сертификат СТ-1 и подать заявку на включение веществ в реестр отечественной продукции.
((по материалам «Атом медиа»))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
🔥7👏2🙈1
🇪🇺 Оптические межсоединения. Интерконнект серверов ЦОД, ИИ. Европа
Европейская Ams Osram в марте 2026 года представила технологию создания оптических межсоединений для систем ИИ
Речь идет о такой технологии, как Eviyos microLED. С ее помощью создают продукты, которые отличаются низким энергопотреблением на высоких скоростях передачи данных. Ранее эту технологию применяли для создания автомобильных фар с высокой плотностью пикселей. Теперь с ее помощью стараются «расшить» узкое место инфраструктуры ИИ - высокое энергопотребление, необходимое для передачи данных между серверными стойками ИИ и внутри стоек.
Полученный продукт показывает частоту среза >1 ГГц при энергопотреблении ниже 2 пДж/бит.
Компания освоила производство микроизлучающих матриц, включающих 25 600 индивидуально адресуемых пикселей в компактном корпусе. Излучающая матрица интегрируется с управляющим кристаллом, - типичное изделие цифровой фотоники. На основе этого продукта были созданы оптические компоненты ввода-вывода для серверов ИИ и межстоечных подключений (до 10 м).
Впрочем, если для фар используют монолитный массив, то в приложениях для ЦОД применяются отдельные светодиоды, которые вырезают из кремниевой пластины и монтируют на подложку. Каждое изделие подключают к собственному оптоволоконному каналу. Подложку можно собрать на целевой CMOS-пластине для удобства интеграции.
Обеспечивается скорость данных на линию – от 3 Гбит/с, частота ошибок передачи битов – ниже 10⁻¹⁵. Обеспечиваются массовые, параллельные оптические пути ввода-вывода с малой дальностью действия. То есть вместо сверхвысокоскоростной последовательной линии, данные распределяются по сотням параллельно действующих каналов. С использованием оптических межсоединений можно достичь более высокой надежности, например, за счет использования резервных каналов; меньшего энергопотребления, меньшего тепловыделения – оба эти показателя чрезвычайно важны для операторов ЦОД. Еще одно преимущество – параллельность межсоединений microLED, что позволяет исключить этапы сериализации/десериализации.
Это направление развития – трендовое. Кроме европейцев Ams Osram темой оптического интерконнекта на базе moicroLED занимается тайваньская MediaTek вместе Microsoft Research (проект MOSAIC). Решения на microLED показывала на выставке Computex 2026 компания ACON Optics. Оптический трансивер для связи GPU-GPU, плата-к-плате и стойка-к-стойке в партнерстве с Fabric.AI разрабатывает Kopin.
Тем не менее, говорить о готовности технологии на базе MicroLED к массовому внедрению пока что было бы преждевременно, в частности, нужно подтвердить возможность серийного производства таких изделий, возможность массового изготовления микроLED-массивов.
((по материалам компании Ams-Osram))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
Европейская Ams Osram в марте 2026 года представила технологию создания оптических межсоединений для систем ИИ
Речь идет о такой технологии, как Eviyos microLED. С ее помощью создают продукты, которые отличаются низким энергопотреблением на высоких скоростях передачи данных. Ранее эту технологию применяли для создания автомобильных фар с высокой плотностью пикселей. Теперь с ее помощью стараются «расшить» узкое место инфраструктуры ИИ - высокое энергопотребление, необходимое для передачи данных между серверными стойками ИИ и внутри стоек.
Полученный продукт показывает частоту среза >1 ГГц при энергопотреблении ниже 2 пДж/бит.
Компания освоила производство микроизлучающих матриц, включающих 25 600 индивидуально адресуемых пикселей в компактном корпусе. Излучающая матрица интегрируется с управляющим кристаллом, - типичное изделие цифровой фотоники. На основе этого продукта были созданы оптические компоненты ввода-вывода для серверов ИИ и межстоечных подключений (до 10 м).
Впрочем, если для фар используют монолитный массив, то в приложениях для ЦОД применяются отдельные светодиоды, которые вырезают из кремниевой пластины и монтируют на подложку. Каждое изделие подключают к собственному оптоволоконному каналу. Подложку можно собрать на целевой CMOS-пластине для удобства интеграции.
Обеспечивается скорость данных на линию – от 3 Гбит/с, частота ошибок передачи битов – ниже 10⁻¹⁵. Обеспечиваются массовые, параллельные оптические пути ввода-вывода с малой дальностью действия. То есть вместо сверхвысокоскоростной последовательной линии, данные распределяются по сотням параллельно действующих каналов. С использованием оптических межсоединений можно достичь более высокой надежности, например, за счет использования резервных каналов; меньшего энергопотребления, меньшего тепловыделения – оба эти показателя чрезвычайно важны для операторов ЦОД. Еще одно преимущество – параллельность межсоединений microLED, что позволяет исключить этапы сериализации/десериализации.
Это направление развития – трендовое. Кроме европейцев Ams Osram темой оптического интерконнекта на базе moicroLED занимается тайваньская MediaTek вместе Microsoft Research (проект MOSAIC). Решения на microLED показывала на выставке Computex 2026 компания ACON Optics. Оптический трансивер для связи GPU-GPU, плата-к-плате и стойка-к-стойке в партнерстве с Fabric.AI разрабатывает Kopin.
Тем не менее, говорить о готовности технологии на базе MicroLED к массовому внедрению пока что было бы преждевременно, в частности, нужно подтвердить возможность серийного производства таких изделий, возможность массового изготовления микроLED-массивов.
((по материалам компании Ams-Osram))
✓ RUSmicro в Telegram l на MForum | в ВК
❤2👍2