Технологический суверенитет в силовой электронике

Завершилась защита ПИШ «Электроника и электротехника» @PISHETU СПбГЭТУ «ЛЭТИ» @LETIToday.

Разработка топологии и опытных образцов базовых ячеек SiC MOSFET и диодов Шоттки (1200 В) — один из ключевых результатов деятельности, представленных командой. На сегодняшний день создана эскизная конструкторская документация на карбидокремниевые компоненты, что, по мнению разработчиков, является фундаментом для создания отечественной линейки силовых ключей.

Еще об итогах:
• разработан и изготовлен специализированный стенд для реализации универсальной методики калибровки инерциальных навигационных систем с использованием термокамеры, дающей совместно сокращение времени калибровки на 40% и повышение точности гироскопов на 25% в нестационарных условиях;
• создана цифровая модель единой электроэнергетической системы судна, разработана архитектура резервированной системы управления пропульсивными комплексами, изготовлен и внедрен комплекс управления питанием электромагнитов для ускорителя;
• запущены практико-ориентированные магистерские программы, интегрированные с проектами индустриальных партнеров — АО «КЭАЗ», АО «НИИ Вектор», АО «РАСУ», ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ»;
• открыты пять специальных образовательных пространств — лаборатории силовой электроники, технического зрения, дигитализации производственных систем и др.

В этом году ПИШ ЛЭТИ планирует запуск деятельности Отраслевого центра компетенций (ОЦК) совместно с ГК «Росатом».

Узнали, в чем заинтересованность индустриального партнера, у первого заместителя генерального директора по корпоративным функциям АО «Концерн Росэнергоатом» Джумбери Ткебучавы.